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Endeffektor für die Handhabung von Wafern

Endeffektor für die Handhabung von Wafern

Semicorex End Effector for Wafer Handling sind maßgenau und thermisch stabil für die Waferbearbeitung. Wir sind seit vielen Jahren Hersteller und Lieferant von Beschichtungselementen aus Siliziumkarbid. Unsere Produkte haben einen guten Preisvorteil und decken die meisten europäischen und amerikanischen Märkte ab. Wir freuen uns darauf, Ihr langfristiger Partner in China zu werden.

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Produktbeschreibung

Semicorex-Endeffektoren für die Wafer-Handhabung sind maßgenau und thermisch stabil und verfügen gleichzeitig über einen glatten, abriebfesten CVD-SiC-Beschichtungsfilm, um Wafer sicher zu handhaben, ohne Geräte zu beschädigen oder Partikelkontamination zu erzeugen, wodurch Halbleiterwafer zwischen Positionen in Wafer-Verarbeitungsgeräten und Trägern bewegt werden können präzise und effizient. Unser hochreiner Siliziumkarbid (SiC)-Beschichtungs-Endeffektor für die Wafer-Handhabung bietet eine hervorragende Hitzebeständigkeit, gleichmäßige thermische Gleichmäßigkeit für eine konsistente Dicke und Beständigkeit der Epi-Schicht sowie eine dauerhafte chemische Beständigkeit.

Bei Semicorex konzentrieren wir uns darauf, unseren Kunden qualitativ hochwertige und kostengünstige Produkte anzubieten. Unser Endeffektor für das Wafer-Handling hat einen Preisvorteil und wird in viele europäische und amerikanische Märkte exportiert. Unser Ziel ist es, Ihr langfristiger Partner zu sein, der gleichbleibende Qualitätsprodukte und außergewöhnlichen Kundenservice liefert.


Parameter des Endeffektors für die Wafer-Handhabung

Hauptspezifikationen der CVD-SIC-Beschichtung

SiC-CVD-Eigenschaften

Kristallstruktur

FCC β-Phase

Dichte

g/cm³

3.21

Härte

Vickers-Härte

2500

Körnung

μm

2~10

Chemische Reinheit

%

99.99995

Wärmekapazität

J·kg –1 ·K –1

640

Sublimationstemperatur

2700

Biegefestigkeit

MPa (RT 4-Punkt)

415

Elastizitätsmodul

Gpa (4pt Biegung, 1300â)

430

Wärmeausdehnung (CTE)

10-6K-1

4.5

Wärmeleitfähigkeit

(W/mK)

300


Merkmale des Endeffektors für die Handhabung von Wafern

Hochreine SiC-Beschichtung mit CVD-Verfahren

Hervorragende Hitzebeständigkeit und thermische Gleichmäßigkeit

Feine SiC-Kristallbeschichtung für eine glatte Oberfläche

Hohe Beständigkeit gegen chemische Reinigung

Das Material ist so konzipiert, dass keine Risse und Delaminationen auftreten.




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