Langlebiger SiC-beschichteter Zylindersuszeptor

Mit seiner hervorragenden Dichte und Wärmeleitfähigkeit ist der langlebige SiC-beschichtete Zylindersuszeptor von Semicorex die ideale Wahl für den Einsatz in Epitaxieprozessen und anderen Halbleiterfertigungsanwendungen. Seine hochreine SiC-Beschichtung bietet hervorragende Schutz- und Wärmeverteilungseigenschaften und macht es zur ersten Wahl für zuverlässige und konsistente Ergebnisse.

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Produktbeschreibung

Wenn Sie einen hochwertigen Graphit-Suszeptor mit hervorragender Hitze- und Korrosionsbeständigkeit benötigen, ist der langlebige SiC-beschichtete Fass-Suszeptor von Semicorex genau das Richtige für Sie. Seine Siliziumkarbid-Beschichtung sorgt für außergewöhnliche Wärmeleitfähigkeit und Wärmeverteilung und sorgt so für zuverlässige und konstante Leistung selbst in den anspruchsvollsten Hochtemperaturumgebungen.
Unser langlebiger SiC-beschichteter Zylindersuszeptor ist darauf ausgelegt, das beste laminare Gasströmungsmuster zu erzielen und ein gleichmäßiges thermisches Profil sicherzustellen. Dadurch wird die Diffusion von Verunreinigungen oder Verunreinigungen verhindert und ein qualitativ hochwertiges epitaktisches Wachstum auf dem Waferchip gewährleistet.
Kontaktieren Sie uns noch heute, um mehr über unseren langlebigen SiC-beschichteten Fasssuszeptor zu erfahren.

Parameter des langlebigen SiC-beschichteten Fasssuszeptors

Hauptspezifikationen der CVD-SIC-Beschichtung
SiC-CVD-Eigenschaften
Kristallstruktur	FCC-β-Phase
Dichte	g/cm³	3.21
Härte	Vickers-Härte	2500
Körnung	μm	2~10
Chemische Reinheit	%	99.99995
Wärmekapazität	J kg-1 K-1	640
Sublimationstemperatur	℃	2700
Biegekraft	MPa (RT 4-Punkt)	415
Elastizitätsmodul	Gpa (4-Punkt-Biegung, 1300 ℃)	430
Wärmeausdehnung (C.T.E)	10-6K-1	4.5
Wärmeleitfähigkeit	(W/mK)	300

Merkmale des langlebigen SiC-beschichteten Fasssuszeptors

- Sowohl das Graphitsubstrat als auch die Siliziumkarbidschicht weisen eine gute Dichte auf und können in Arbeitsumgebungen mit hohen Temperaturen und Korrosion eine gute Schutzfunktion spielen.

- Der mit Siliziumkarbid beschichtete Suszeptor, der für die Einkristallzüchtung verwendet wird, weist eine sehr hohe Oberflächenebenheit auf.

- Reduzieren Sie den Unterschied im Wärmeausdehnungskoeffizienten zwischen dem Graphitsubstrat und der Siliziumkarbidschicht und verbessern Sie effektiv die Haftfestigkeit, um Risse und Delaminierung zu verhindern.

- Sowohl das Graphitsubstrat als auch die Siliziumkarbidschicht verfügen über eine hohe Wärmeleitfähigkeit und hervorragende Wärmeverteilungseigenschaften.

- Hoher Schmelzpunkt, Oxidationsbeständigkeit bei hohen Temperaturen, Korrosionsbeständigkeit.