CVD-SiC-beschichtete obere Erdungsringe

CVD-SiC-Beschichtete obere Erdungsringe werden typischerweise im oberen Bereich der Reaktionskammer in Plasmaätzgeräten installiert und umgeben den elektrostatischen Waferhalter. CVD-SiC-beschichtete obere Erdungsringe sind für das gesamte Ätzsystem von entscheidender Bedeutung. Sie können als physikalische Barriere fungieren, um Gerätekomponenten vor Plasmaangriffen zu schützen, das interne elektrische Feld anzupassen und den Plasmaverteilungsbereich einzuschränken, um gleichmäßige Ätzergebnisse sicherzustellen.

Plasmaätzen ist eine in der Halbleiterfertigung weit verbreitete Trockenätztechnologie, die physikalische und chemische Wechselwirkungen zwischen Plasma und der Oberfläche von Halbleitermaterialien nutzt, um bestimmte Bereiche selektiv zu entfernen und so die Bearbeitung präziser Strukturen zu erreichen. In der anspruchsvollen Umgebung des Plasmaätzens verursacht hochenergetisches Plasma aggressive Korrosion und Angriffe auf Komponenten innerhalb der Reaktionskammer. Um einen zuverlässigen und effizienten Betrieb zu gewährleisten, müssen Kammerkomponenten eine hervorragende Korrosionsbeständigkeit, mechanische Eigenschaften und geringe Kontaminationseigenschaften aufweisen. Die oberen Erdungsringe mit CVD-SiC-Beschichtung von Semicorex sind perfekt für diese rauen Betriebsumgebungen mit hoher Korrosion ausgelegt.

Zuverlässige CVD-SiC-Beschichtung

Um unter den rauen Ätzbedingungen eine bessere Leistung zu erzielen, sind die oberen Erdungsringe mit CVD-SiC-Beschichtung von Semicorex mit einer leistungsstarken CVD-SiC-Beschichtung überzogen, die ihre Leistung und Haltbarkeit weiter verbessert.

1. Ultrahohe Reinheit

DerSiC-BeschichtungDas im CVD-Verfahren hergestellte Material zeichnet sich durch eine hervorragende Verdichtung mit ultrahoher Reinheit (Reinheit über 99,9999 %) aus, wodurch Semicorex CVD SiC-beschichtete obere Grundringe vor einem Angriff durch hochenergetisches Plasma bei Ätzanwendungen geschützt werden können, wodurch eine Kontamination durch Verunreinigungspartikel aus Matrizen vermieden wird.

2. Verbesserte Korrosionsbeständigkeit

Die im CVD-Verfahren hergestellte SiC-Beschichtung bietet eine verbesserte Korrosionsbeständigkeit, wodurch die oberen Erdungsringe mit CVD-SiC-Beschichtung von Semicorex der anspruchsvollen Korrosion durch Plasma (insbesondere korrosive Gase wie Halogene und Fluor) effektiv standhalten.

3. Verbesserte mechanische Eigenschaften

Semicorex CVD SiC-beschichtete obere Bodenringe können dank der verbesserten Härte und Verschleißfestigkeit der CVD SiC-Beschichtung dem intensiven Plasmabeschuss, der mechanischen Beanspruchung und der häufigen Handhabung ohne Verformung oder Bruch im Langzeitbetrieb standhalten.

Hochwertige Verarbeitung und Qualitätsprüfung

Um sich perfekt an die anspruchsvollen Ätzbedingungen von Halbleitern anzupassen, werden die oberen Grundringe mit CVD-SiC-Beschichtung von Semicorex einer Präzisionsbearbeitung und einer strengen Prüfung unterzogen.

Oberflächenbehandlung: Die Poliergenauigkeit beträgt Ra < 0,1 µm; Die Feinschleifgenauigkeit beträgt Ra > 0,1 µm

Die Verarbeitungsgenauigkeit wird innerhalb von ≤ 0,03 mm kontrolliert

Qualitätsprüfung:

Die festen CVD-SiC-Ringe von Semicorex werden einer ICP-MS-Analyse (Massenspektrometrie mit induktiv gekoppeltem Plasma) unterzogen. Die festen CVD-SiC-Ringe von Semicorex werden einer Dimensionsmessung, Widerstandsprüfung und Sichtprüfung unterzogen, um sicherzustellen, dass die Produkte frei von Absplitterungen, Kratzern, Rissen, Flecken und anderen Mängeln sind.