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CVD-SiC-beschichteter Zylindersuszeptor
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CVD-SiC-beschichteter Zylindersuszeptor

Der Semicorex CVD SiC Coated Barrel Susceptor ist eine sorgfältig entwickelte Komponente, die auf fortschrittliche Halbleiterfertigungsprozesse, insbesondere Epitaxie, zugeschnitten ist. Unsere Produkte haben einen guten Preisvorteil und decken die meisten europäischen und amerikanischen Märkte ab. Wir freuen uns darauf, Ihr langfristiger Partner in China zu werden.

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Produktbeschreibung

Der Semicorex CVD SiC Coated Barrel Susceptor ist eine sorgfältig entwickelte Komponente, die auf fortschrittliche Halbleiterfertigungsprozesse, insbesondere Epitaxie, zugeschnitten ist. Dieser mit Präzision und Innovation konstruierte CVD-SiC-beschichtete Zylindersuszeptor wurde entwickelt, um das epitaktische Wachstum von Halbleitermaterialien auf Wafern mit beispielloser Effizienz und Zuverlässigkeit zu erleichtern.

Im Kern des CVD SiC Coated Barrel Susceptor liegt eine robuste Graphitstruktur, die für ihre außergewöhnliche Wärmeleitfähigkeit und mechanische Festigkeit bekannt ist. Diese Graphitbasis dient als stabiles Fundament für den Suszeptor und gewährleistet Stabilität und Langlebigkeit unter den anspruchsvollen Bedingungen von Epitaxiereaktoren.

Das Graphitsubstrat wird durch eine hochmoderne Beschichtung aus Siliziumkarbid (SiC) durch chemische Gasphasenabscheidung (CVD) veredelt. Diese spezielle SiC-Beschichtung wird sorgfältig durch einen Prozess der chemischen Gasphasenabscheidung aufgetragen, wodurch eine gleichmäßige und dauerhafte Schicht entsteht, die die Graphitoberfläche bedeckt. Die CVD-SiC-Beschichtung des CVD-SiC-beschichteten Zylindersuszeptors bietet eine Vielzahl von Vorteilen, die für epitaktische Prozesse entscheidend sind.

Die CVD-SiC-Beschichtung des CVD-SiC-beschichteten Zylindersuszeptors weist außergewöhnliche thermische Eigenschaften auf, einschließlich hoher Wärmeleitfähigkeit und thermischer Stabilität. Diese Eigenschaften tragen dazu bei, eine gleichmäßige und präzise Erwärmung von Halbleiterwafern während des epitaktischen Wachstums sicherzustellen, wodurch eine gleichmäßige Schichtabscheidung gefördert und Defekte im Endprodukt minimiert werden.

Das tonnenförmige Design des CVD SiC Coated Barrel Susceptor ist für ein effizientes Be- und Entladen des Wafers sowie eine optimale Wärmeverteilung über die Waferoberfläche optimiert. Dieses Konstruktionsmerkmal, gepaart mit der überlegenen Leistung der CVD-SiC-Beschichtung, garantiert eine beispiellose Prozesskontrolle und Ausbeute bei epitaktischen Fertigungsvorgängen.



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