CVD-Epitaxialabscheidung im Trommelreaktor

Der Semicorex CVD Epitaxial Deposition In Barrel Reactor ist ein äußerst langlebiges und zuverlässiges Produkt zum Aufwachsen epixieller Schichten auf Wafer-Chips. Aufgrund seiner Oxidationsbeständigkeit bei hohen Temperaturen und seiner hohen Reinheit eignet es sich für den Einsatz in der Halbleiterindustrie. Sein gleichmäßiges thermisches Profil, das laminare Gasströmungsmuster und die Vermeidung von Kontaminationen machen es zur idealen Wahl für das Wachstum hochwertiger Epixieschichten.

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Produktbeschreibung

Unser CVD Epitaxial Deposition In Barrel Reactor ist ein Hochleistungsprodukt, das für zuverlässige Leistung in extremen Umgebungen entwickelt wurde. Seine hervorragende Beschichtungshaftung, Oxidationsbeständigkeit bei hohen Temperaturen und Korrosionsbeständigkeit machen es zu einer ausgezeichneten Wahl für den Einsatz in rauen Umgebungen. Darüber hinaus gewährleisten das gleichmäßige Wärmeprofil, das laminare Gasströmungsmuster und die Vermeidung von Verunreinigungen die hohe Qualität der Epixieschicht.

Bei Semicorex konzentrieren wir uns darauf, unseren Kunden qualitativ hochwertige und kostengünstige Produkte anzubieten. Unser CVD-Epitaxie-Abscheidungs-In-Fass-Reaktor hat einen Preisvorteil und wird in viele europäische und amerikanische Märkte exportiert. Unser Ziel ist es, Ihr langfristiger Partner zu sein, der gleichbleibende Qualitätsprodukte und außergewöhnlichen Kundenservice liefert.

Parameter der CVD-Epitaxieabscheidung im Trommelreaktor

Hauptspezifikationen der CVD-SIC-Beschichtung
SiC-CVD-Eigenschaften
Kristallstruktur	FCC-β-Phase
Dichte	g/cm³	3.21
Härte	Vickershärte	2500
Körnung	μm	2~10
Chemische Reinheit	%	99.99995
Wärmekapazität	J kg-1 K-1	640
Sublimationstemperatur	℃	2700
Biegekraft	MPa (RT 4-Punkt)	415
Elastizitätsmodul	Gpa (4-Punkt-Biegung, 1300 ℃)	430
Wärmeausdehnung (C.T.E)	10-6K-1	4.5
Wärmeleitfähigkeit	(W/mK)	300

Merkmale der CVD-Epitaxieabscheidung im Trommelreaktor

- Sowohl das Graphitsubstrat als auch die Siliziumkarbidschicht weisen eine gute Dichte auf und können in Arbeitsumgebungen mit hohen Temperaturen und Korrosion eine gute Schutzfunktion spielen.

- Der mit Siliziumkarbid beschichtete Suszeptor, der für die Einkristallzüchtung verwendet wird, weist eine sehr hohe Oberflächenebenheit auf.

- Reduzieren Sie den Unterschied im Wärmeausdehnungskoeffizienten zwischen dem Graphitsubstrat und der Siliziumkarbidschicht und verbessern Sie effektiv die Haftfestigkeit, um Risse und Delaminierung zu verhindern.

- Sowohl das Graphitsubstrat als auch die Siliziumkarbidschicht verfügen über eine hohe Wärmeleitfähigkeit und hervorragende Wärmeverteilungseigenschaften.

- Hoher Schmelzpunkt, Oxidationsbeständigkeit bei hohen Temperaturen, Korrosionsbeständigkeit.

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