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CVD-Epitaxieabscheidung im Barrel-Reaktor

CVD-Epitaxieabscheidung im Barrel-Reaktor

Semicorex CVD Epitaxial Deposition In Barrel Reactor ist ein äußerst langlebiges und zuverlässiges Produkt zum Aufwachsen von Epixialschichten auf Waferchips. Seine Hochtemperatur-Oxidationsbeständigkeit und hohe Reinheit machen es für den Einsatz in der Halbleiterindustrie geeignet. Sein gleichmäßiges thermisches Profil, sein laminares Gasströmungsmuster und die Verhinderung von Kontamination machen es zur idealen Wahl für das Wachstum hochwertiger Epixialschichten.

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Produktbeschreibung

Unser CVD Epitaxial Deposition In Barrel Reactor ist ein Hochleistungsprodukt, das für eine zuverlässige Leistung in extremen Umgebungen entwickelt wurde. Seine hervorragende Beschichtungshaftung, Hochtemperatur-Oxidationsbeständigkeit und Korrosionsbeständigkeit machen es zu einer ausgezeichneten Wahl für den Einsatz in rauen Umgebungen. Darüber hinaus gewährleisten das gleichmäßige thermische Profil, das laminare Gasströmungsmuster und die Vermeidung von Kontamination die hohe Qualität der Epixialschicht.

Bei Semicorex konzentrieren wir uns darauf, unseren Kunden qualitativ hochwertige und kostengünstige Produkte anzubieten. Unsere CVD Epitaxial Deposition In Barrel Reactor hat einen Preisvorteil und wird in viele europäische und amerikanische Märkte exportiert. Unser Ziel ist es, Ihr langfristiger Partner zu sein, der gleichbleibende Qualitätsprodukte und außergewöhnlichen Kundenservice liefert.


Parameter der epitaxialen CVD-Abscheidung im Barrel-Reaktor

Hauptspezifikationen der CVD-SIC-Beschichtung

SiC-CVD-Eigenschaften

Kristallstruktur

FCC β-Phase

Dichte

g/cm³

3.21

Härte

Vickers-Härte

2500

Körnung

μm

2~10

Chemische Reinheit

%

99.99995

Wärmekapazität

J·kg –1 ·K –1

640

Sublimationstemperatur

2700

Biegefestigkeit

MPa (RT 4-Punkt)

415

Elastizitätsmodul

Gpa (4pt Biegung, 1300â)

430

Wärmeausdehnung (CTE)

10-6K-1

4.5

Wärmeleitfähigkeit

(W/mK)

300


Merkmale der epitaxialen CVD-Abscheidung im Barrel-Reaktor

- Sowohl das Graphitsubstrat als auch die Siliziumkarbidschicht haben eine gute Dichte und können eine gute schützende Rolle in Arbeitsumgebungen mit hohen Temperaturen und korrosiven Einflüssen spielen.

- Mit Siliziumkarbid beschichteter Suszeptor, der für die Einkristallzüchtung verwendet wird, hat eine sehr hohe Oberflächenebenheit.

- Reduzieren Sie den Unterschied im Wärmeausdehnungskoeffizienten zwischen dem Graphitsubstrat und der Siliziumkarbidschicht und verbessern Sie effektiv die Haftfestigkeit, um Risse und Delamination zu verhindern.

- Sowohl das Graphitsubstrat als auch die Siliziumkarbidschicht haben eine hohe Wärmeleitfähigkeit und ausgezeichnete Wärmeverteilungseigenschaften.

- Hoher Schmelzpunkt, Hochtemperatur-Oxidationsbeständigkeit, Korrosionsbeständigkeit.




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