Wafer-Träger aus Keramik

Semicorex bietet Keramik in Halbleiterqualität für Ihre OEM-Halbfabrikationswerkzeuge und Waferhandhabungskomponenten mit Schwerpunkt auf Siliziumkarbidschichten in der Halbleiterindustrie. Wir sind seit vielen Jahren Hersteller und Lieferant von Keramik-Waferträgern. Unsere Produkte haben einen guten Preisvorteil und decken die meisten europäischen und amerikanischen Märkte ab. Wir freuen uns darauf, Ihr langfristiger Partner in China zu werden.

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Produktbeschreibung

Siliziumkarbid-Keramik-Waferträger haben eine gute Korrosionsbeständigkeit und eine ausgezeichnete Beständigkeit gegen hohe Temperaturen und Wärmeschocks. Ein hoher E-Modul führt zudem zu einer hervorragenden Dimensionsstabilität. Hinzu kommen die Nullporosität und die geringe Porendichte des Keramikmaterials.
Wir können alle Arten von Keramikwaferträgern nach Kundenwunsch verarbeiten.

Parameter des Keramikwaferträgers

Technische Eigenschaften
Index	Einheit	Wert
Material Name		Reaktionsgesintertes Siliziumkarbid	Drucklos gesintertes Siliziumkarbid	Rekristallisiertes Siliziumkarbid
Komposition		RBSiC	SSiC	R-SiC
Schüttdichte	g/cm3	3	3,15 ± 0,03	2,60-2,70
Biegefestigkeit	MPa (kpsi)	338(49)	380(55)	80-90 (20°C)90-100(1400°C)
Druckfestigkeit	MPa (kpsi)	1120(158)	3970(560)	> 600
Härte	Knoop	2700	2800	/
Hartnäckigkeit brechen	MPa·m1/2	4.5	4	/
Wärmeleitfähigkeit	W/m.k	95	120	23
Der Wärmeausdehnungskoeffizient	10^-6.1/°C	5	4	4.7
Spezifische Wärme	Joule/g 0k	0.8	0.67	/
Maximale Temperatur in der Luft	℃	1200	1500	1600
Elastizitätsmodul	Gpa	360	410	240

Semicorex produzierte keramische Waferträger in drei Formen: reaktionsgesintertes Siliziumkarbid (RBSiC), drucklos gesintertes Siliziumkarbid (SSiC) und rekristallines Siliziumkarbid (R-SiC).

Der Unterschied zwischen SSiC und RBSiC:

1. Der Sinterprozess ist anders. RBSiC soll freies Si bei niedriger Temperatur in Siliziumkarbid infiltrieren, SSiC wird durch natürliches Schrumpfen bei 2100 Grad gebildet.

2. SSiC hat eine glattere Oberfläche, eine höhere Dichte und eine höhere Festigkeit. Für einige Dichtungen mit strengeren Oberflächenanforderungen ist SSiC besser.

3. Unterschiedliche Nutzungszeiten bei unterschiedlichen pH-Werten und Temperaturen, SSiC ist länger als RBSiC

Merkmale des keramischen Wafer-Trägers

Hochreiner SiC-beschichteter Graphit
Hervorragende Hitzebeständigkeit und thermische Gleichmäßigkeit
Feine SiC-Kristallbeschichtung für eine glatte Oberfläche
Hohe Beständigkeit gegen chemische Reinigung
Das Material ist so konzipiert, dass keine Risse und Delaminationen auftreten.

Verfügbare Formen von Siliziumkarbid-Keramik

â Keramikstab / Keramikstift / Keramikkolben

â Keramikrohr / Keramikbuchse / Keramikhülse

â Keramikring / Keramikscheibe / Keramikabstandshalter

â Keramikscheibe

â Keramikplatte / Keramikblock

â Keramikkugel

â Keramikkolben

â Keramikdüse

â Keramiktiegel

â Andere kundenspezifische Keramikteile