Batch-Wafer-Boot

Semicorex bietet Waferboote, Sockel und kundenspezifische Waferträger sowohl für vertikale/Säulen- als auch horizontale Konfigurationen. Wir sind seit vielen Jahren Hersteller und Lieferant von Siliziumkarbid-Beschichtungsfolien. Unser Batch-Wafer-Boot hat einen guten Preisvorteil und deckt die meisten europäischen und amerikanischen Märkte ab. Wir freuen uns darauf, Ihr langfristiger Partner in China zu werden.

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Produktbeschreibung

Semicorex Batch Wafer Boat bestehen aus hochwertigem Siliziumkarbid-Keramikmaterial für hervorragende chemische Beständigkeit und thermische Stabilität.
Unser Batch-Wafer-Boot hat eine glatte Oberfläche und bietet eine hervorragende Wafer-Unterstützung und Schutz während der Verarbeitung. Die SiC-Beschichtung gewährleistet Gleichmäßigkeit und Stabilität während der Verarbeitung und schützt die Wafer vor Verunreinigungen und Beschädigungen. Mit ausgezeichneter Wärmeleitfähigkeit und hervorragender mechanischer Festigkeit liefern unsere Waferhalter konsistente und zuverlässige Ergebnisse.
Unser Expertenteam ist bestrebt, die beste Qualität und den besten Service zu bieten. Wir bieten maßgeschneiderte Designs an, die Ihren spezifischen Anforderungen entsprechen, und unsere Batch-Wafer-Boote werden durch unser Qualitätssicherungsprogramm abgesichert.

Parameter des Batch-Wafer-Bootes

Technische Eigenschaften
Index	Einheit	Wert
Materialname		Reaktionsgesintertes Siliziumkarbid	Drucklos gesintertes Siliziumkarbid	Rekristallisiertes Siliziumkarbid
Zusammensetzung		RBSiC	SSiC	R-SiC
Schüttdichte	g/cm3	3	3,15 ± 0,03	2,60-2,70
Biegefestigkeit	MPa (kpsi)	338(49)	380(55)	80-90 (20°C) 90–100 (1400 °C)
Druckfestigkeit	MPa (kpsi)	1120(158)	3970(560)	> 600
Härte	Taste	2700	2800	/
Hartnäckigkeit brechen	MPa m1/2	4.5	4	/
Wärmeleitfähigkeit	W/m.k	95	120	23
Wärmeausdehnungskoeffizient	10^-6.1/°C	5	4	4.7
Spezifische Wärme	Joule/g 0k	0.8	0.67	/
Maximale Temperatur in der Luft	℃	1200	1500	1600
Elastizitätsmodul	Gpa	360	410	240

Der Unterschied zwischen SSiC und RBSiC:

1. Der Sinterprozess ist anders. RBSiC soll bei niedriger Temperatur freies Si in Siliziumkarbid infiltrieren, SSiC entsteht durch natürliche Schrumpfung bei 2100 Grad.

2. SSiC hat eine glattere Oberfläche, eine höhere Dichte und eine höhere Festigkeit. Für einige Dichtungen mit strengeren Oberflächenanforderungen ist SSiC besser.

3. Unterschiedliche Nutzungsdauer bei unterschiedlichem pH-Wert und unterschiedlicher Temperatur, SSiC ist länger als RBSiC

Merkmale des Batch-Wafer-Bootes

- Hohe Festigkeit (Mohs-Härte 9,5, an zweiter Stelle nach Diamant)
- Korrosionsbeständigkeit gegenüber Säuren, Laugen, Salzen und organischen Lösungsmitteln
- Hohe Wärmeleitfähigkeit, Plasmabeständigkeit, lange Lebensdauer
- Halbleiter