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Trommelsuszeptor für die Flüssigphasenepitaxie

Trommelsuszeptor für die Flüssigphasenepitaxie

Wenn Sie einen Graphit-Suszeptor benötigen, der selbst in den anspruchsvollsten Hochtemperatur- und korrosiven Umgebungen zuverlässig und konstant funktioniert, ist der Semicorex Barrel-Suszeptor für die Flüssigphasenepitaxie die perfekte Wahl. Seine Siliziumkarbidbeschichtung bietet eine hervorragende Wärmeleitfähigkeit und Wärmeverteilung und gewährleistet eine außergewöhnliche Leistung bei Anwendungen in der Halbleiterfertigung.

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Produktbeschreibung

Der Semicorex Barrel Susceptor für die Flüssigphasenepitaxie ist die erste Wahl für Anwendungen in der Halbleiterfertigung, die eine hohe Hitze- und Korrosionsbeständigkeit erfordern. Die hochreine SiC-Beschichtung und die außergewöhnliche Wärmeleitfähigkeit bieten hervorragende Schutz- und Wärmeverteilungseigenschaften und gewährleisten eine zuverlässige und konsistente Leistung selbst in den anspruchsvollsten Umgebungen.

Unser Barrel Susceptor für die Flüssigphasenepitaxie wurde entwickelt, um das beste laminare Gasströmungsmuster zu erzielen und ein gleichmäßiges thermisches Profil zu gewährleisten. Dies trägt dazu bei, jegliche Kontamination oder Diffusion von Verunreinigungen zu verhindern, wodurch ein qualitativ hochwertiges epitaxiales Wachstum auf dem Waferchip sichergestellt wird.

Kontaktieren Sie uns noch heute, um mehr über unseren Barrel-Suszeptor für die Flüssigphasenepitaxie zu erfahren.


Parameter des Trommelsuszeptors für die Flüssigphasenepitaxie

Hauptspezifikationen der CVD-SIC-Beschichtung

SiC-CVD-Eigenschaften

Kristallstruktur

FCC β-Phase

Dichte

g/cm³

3.21

Härte

Vickers-Härte

2500

Körnung

μm

2~10

Chemische Reinheit

%

99.99995

Wärmekapazität

J·kg –1 ·K –1

640

Sublimationstemperatur

2700

Biegefestigkeit

MPa (RT 4-Punkt)

415

Elastizitätsmodul

Gpa (4pt Bend, 1300â)

430

Wärmeausdehnung (CTE)

10-6K-1

4.5

Wärmeleitfähigkeit

(W/mK)

300


Merkmale des Trommelsuszeptors für die Flüssigphasenepitaxie

- Sowohl das Graphitsubstrat als auch die Siliziumkarbidschicht haben eine gute Dichte und können eine gute schützende Rolle in Arbeitsumgebungen mit hohen Temperaturen und korrosiven Einflüssen spielen.

- Mit Siliziumkarbid beschichteter Suszeptor, der für die Einkristallzüchtung verwendet wird, hat eine sehr hohe Oberflächenebenheit.

- Reduzieren Sie den Unterschied im Wärmeausdehnungskoeffizienten zwischen dem Graphitsubstrat und der Siliziumkarbidschicht und verbessern Sie effektiv die Haftfestigkeit, um Risse und Delamination zu verhindern.

- Sowohl das Graphitsubstrat als auch die Siliziumkarbidschicht haben eine hohe Wärmeleitfähigkeit und ausgezeichnete Wärmeverteilungseigenschaften.

- Hoher Schmelzpunkt, Hochtemperatur-Oxidationsbeständigkeit, Korrosionsbeständigkeit.






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