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Fasssuszeptor für die Flüssigphasenepitaxie

Fasssuszeptor für die Flüssigphasenepitaxie

Wenn Sie einen Graphitsuszeptor benötigen, der selbst in den anspruchsvollsten Hochtemperatur- und Korrosionsumgebungen zuverlässig und konstant funktioniert, ist der Semicorex Barrel Susceptor für die Flüssigphasenepitaxie die perfekte Wahl. Seine Siliziumkarbidbeschichtung sorgt für eine hervorragende Wärmeleitfähigkeit und Wärmeverteilung und gewährleistet so eine außergewöhnliche Leistung bei Anwendungen in der Halbleiterfertigung.

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Produktbeschreibung

Der Semicorex Barrel Susceptor für die Flüssigphasenepitaxie ist die erste Wahl für Anwendungen in der Halbleiterfertigung, die eine hohe Hitze- und Korrosionsbeständigkeit erfordern. Seine hochreine SiC-Beschichtung und außergewöhnliche Wärmeleitfähigkeit bieten hervorragende Schutz- und Wärmeverteilungseigenschaften und sorgen so für zuverlässige und konstante Leistung selbst in den anspruchsvollsten Umgebungen.

Unser Fasssuszeptor für die Flüssigphasenepitaxie ist darauf ausgelegt, das beste laminare Gasströmungsmuster zu erzielen und ein gleichmäßiges thermisches Profil sicherzustellen. Dies trägt dazu bei, jegliche Kontamination oder Diffusion von Verunreinigungen zu verhindern und sorgt für ein qualitativ hochwertiges epitaktisches Wachstum auf dem Wafer-Chip.

Kontaktieren Sie uns noch heute, um mehr über unseren Barrel Susceptor für die Flüssigphasenepitaxie zu erfahren.


Parameter des Fasssuszeptors für die Flüssigphasenepitaxie

Hauptspezifikationen der CVD-SIC-Beschichtung

SiC-CVD-Eigenschaften

Kristallstruktur

FCC-β-Phase

Dichte

g/cm³

3.21

Härte

Vickers-Härte

2500

Körnung

μm

2~10

Chemische Reinheit

%

99.99995

Wärmekapazität

J kg-1 K-1

640

Sublimationstemperatur

2700

Biegekraft

MPa (RT 4-Punkt)

415

Elastizitätsmodul

Gpa (4-Punkt-Biegung, 1300 ℃)

430

Wärmeausdehnung (C.T.E)

10-6K-1

4.5

Wärmeleitfähigkeit

(W/mK)

300


Merkmale des Fasssuszeptors für die Flüssigphasenepitaxie

- Sowohl das Graphitsubstrat als auch die Siliziumkarbidschicht weisen eine gute Dichte auf und können in Arbeitsumgebungen mit hohen Temperaturen und Korrosion eine gute Schutzfunktion spielen.

- Der mit Siliziumkarbid beschichtete Suszeptor, der für die Einkristallzüchtung verwendet wird, weist eine sehr hohe Oberflächenebenheit auf.

- Reduzieren Sie den Unterschied im Wärmeausdehnungskoeffizienten zwischen dem Graphitsubstrat und der Siliziumkarbidschicht und verbessern Sie effektiv die Haftfestigkeit, um Risse und Delaminierung zu verhindern.

- Sowohl das Graphitsubstrat als auch die Siliziumkarbidschicht verfügen über eine hohe Wärmeleitfähigkeit und hervorragende Wärmeverteilungseigenschaften.

- Hoher Schmelzpunkt, Oxidationsbeständigkeit bei hohen Temperaturen, Korrosionsbeständigkeit.






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