Laufempfänger-Epi-System

Das Semicorex Barrel Susceptor Epi System ist ein hochwertiges Produkt, das eine hervorragende Beschichtungshaftung, hohe Reinheit und Oxidationsbeständigkeit bei hohen Temperaturen bietet. Sein gleichmäßiges thermisches Profil, das laminare Gasströmungsmuster und die Vermeidung von Kontaminationen machen es zur idealen Wahl für das Wachstum von Epixieschichten auf Waferchips. Seine Kosteneffizienz und Anpassbarkeit machen es zu einem äußerst wettbewerbsfähigen Produkt auf dem Markt.

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Produktbeschreibung

Unser Barrel Susceptor Epi System ist ein hochinnovatives Produkt, das eine hervorragende thermische Leistung, ein gleichmäßiges thermisches Profil und eine hervorragende Beschichtungshaftung bietet. Seine hohe Reinheit, Oxidationsbeständigkeit bei hohen Temperaturen und Korrosionsbeständigkeit machen es zu einem äußerst zuverlässigen Produkt für den Einsatz in der Halbleiterindustrie. Die Vermeidung von Kontaminationen und Verunreinigungen sowie der geringe Wartungsaufwand machen es zu einem äußerst wettbewerbsfähigen Produkt auf dem Markt.
Bei Semicorex konzentrieren wir uns darauf, unseren Kunden qualitativ hochwertige und kostengünstige Produkte anzubieten. Unser Barrel Susceptor Epi System hat einen Preisvorteil und wird in viele europäische und amerikanische Märkte exportiert. Unser Ziel ist es, Ihr langfristiger Partner zu sein, der gleichbleibende Qualitätsprodukte und außergewöhnlichen Kundenservice liefert.
Kontaktieren Sie uns noch heute, um mehr über unser Barrel Susceptor Epi System zu erfahren.

Parameter des Barrel Susceptor Epi-Systems

Hauptspezifikationen der CVD-SIC-Beschichtung
SiC-CVD-Eigenschaften
Kristallstruktur	FCC-β-Phase
Dichte	g/cm³	3.21
Härte	Vickershärte	2500
Körnung	μm	2~10
Chemische Reinheit	%	99.99995
Wärmekapazität	J kg-1 K-1	640
Sublimationstemperatur	℃	2700
Biegekraft	MPa (RT 4-Punkt)	415
Elastizitätsmodul	Gpa (4-Punkt-Biegung, 1300 ℃)	430
Wärmeausdehnung (C.T.E)	10-6K-1	4.5
Wärmeleitfähigkeit	(W/mK)	300

Merkmale des Barrel Susceptor Epi-Systems

- Sowohl das Graphitsubstrat als auch die Siliziumkarbidschicht weisen eine gute Dichte auf und können in Arbeitsumgebungen mit hohen Temperaturen und Korrosion eine gute Schutzfunktion spielen.

- Der mit Siliziumkarbid beschichtete Suszeptor, der für die Einkristallzüchtung verwendet wird, weist eine sehr hohe Oberflächenebenheit auf.

- Reduzieren Sie den Unterschied im Wärmeausdehnungskoeffizienten zwischen dem Graphitsubstrat und der Siliziumkarbidschicht und verbessern Sie effektiv die Haftfestigkeit, um Risse und Delaminierung zu verhindern.

- Sowohl das Graphitsubstrat als auch die Siliziumkarbidschicht verfügen über eine hohe Wärmeleitfähigkeit und hervorragende Wärmeverteilungseigenschaften.

- Hoher Schmelzpunkt, Oxidationsbeständigkeit bei hohen Temperaturen, Korrosionsbeständigkeit.