Barrel Susceptor Epi-System für die LPE-Epitaxie

Das Semicorex Barrel Susceptor Epi System für die LPE-Epitaxie ist ein hochwertiges Produkt, das eine hervorragende Beschichtungshaftung, hohe Reinheit und Oxidationsbeständigkeit bei hohen Temperaturen bietet. Sein gleichmäßiges thermisches Profil, sein laminares Gasströmungsmuster und die Verhinderung von Kontamination machen es zur idealen Wahl für das Wachstum epixialer Schichten auf Waferchips. Seine Kosteneffizienz und Anpassbarkeit machen es zu einem äußerst wettbewerbsfähigen Produkt auf dem Markt.

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Produktbeschreibung

Unser Barrel Susceptor Epi-System für die LPE-Epitaxie ist ein hochinnovatives Produkt, das eine hervorragende thermische Leistung, ein gleichmäßiges thermisches Profil und eine hervorragende Beschichtungshaftung bietet. Seine hohe Reinheit, Hochtemperatur-Oxidationsbeständigkeit und Korrosionsbeständigkeit machen es zu einem äußerst zuverlässigen Produkt für den Einsatz in der Halbleiterindustrie. Die Verhinderung von Kontamination und Verunreinigungen und der geringe Wartungsaufwand machen es zu einem äußerst wettbewerbsfähigen Produkt auf dem Markt.

Bei Semicorex konzentrieren wir uns darauf, unseren Kunden qualitativ hochwertige und kostengünstige Produkte anzubieten. Unser Barrel Susceptor Epi System für die LPE-Epitaxie hat einen Preisvorteil und wird in viele europäische und amerikanische Märkte exportiert. Unser Ziel ist es, Ihr langfristiger Partner zu sein, der gleichbleibende Qualitätsprodukte und außergewöhnlichen Kundenservice liefert.

Kontaktieren Sie uns noch heute, um mehr über unser Barrel Susceptor Epi-System für die LPE-Epitaxie zu erfahren.

Parameter des Barrel Susceptor Epi-Systems für die LPE-Epitaxie

Hauptspezifikationen der CVD-SIC-Beschichtung
SiC-CVD-Eigenschaften
Kristallstruktur	FCC β-Phase
Dichte	g/cm³	3.21
Härte	Vickers-Härte	2500
Körnung	Î¼m	2~10
Chemische Reinheit	%	99.99995
Wärmekapazität	J·kg –1 ·K –1	640
Sublimationstemperatur	℃	2700
Biegefestigkeit	MPa (RT 4-Punkt)	415
Elastizitätsmodul	Gpa (4pt Biegung, 1300â)	430
Wärmeausdehnung (CTE)	10-6K-1	4.5
Wärmeleitfähigkeit	(W/mK)	300

Merkmale des Barrel Susceptor Epi-Systems für die LPE-Epitaxie

- Sowohl das Graphitsubstrat als auch die Siliziumkarbidschicht haben eine gute Dichte und können eine gute schützende Rolle in Arbeitsumgebungen mit hohen Temperaturen und korrosiven Einflüssen spielen.

- Mit Siliziumkarbid beschichteter Suszeptor, der für die Einkristallzüchtung verwendet wird, hat eine sehr hohe Oberflächenebenheit.

- Reduzieren Sie den Unterschied im Wärmeausdehnungskoeffizienten zwischen dem Graphitsubstrat und der Siliziumkarbidschicht und verbessern Sie effektiv die Haftfestigkeit, um Risse und Delamination zu verhindern.

- Sowohl das Graphitsubstrat als auch die Siliziumkarbidschicht haben eine hohe Wärmeleitfähigkeit und ausgezeichnete Wärmeverteilungseigenschaften.

- Hoher Schmelzpunkt, Hochtemperatur-Oxidationsbeständigkeit, Korrosionsbeständigkeit.