Trommelstruktur für einen Halbleiter-Epitaxialreaktor

Mit seiner außergewöhnlichen Wärmeleitfähigkeit und Wärmeverteilungseigenschaften ist die Semicorex-Zylinderstruktur für Halbleiter-Epitaxialreaktoren die perfekte Wahl für den Einsatz in LPE-Prozessen und anderen Halbleiterfertigungsanwendungen. Seine hochreine SiC-Beschichtung bietet hervorragenden Schutz in Umgebungen mit hohen Temperaturen und Korrosion.

Anfrage absenden

Produktbeschreibung

Die Semicorex-Zylinderstruktur für Halbleiter-Epitaxialreaktoren ist die erste Wahl für Hochleistungs-Graphitsuszeptoranwendungen, die eine außergewöhnliche Hitze- und Korrosionsbeständigkeit erfordern. Seine hochreine SiC-Beschichtung sowie die überlegene Dichte und Wärmeleitfähigkeit bieten hervorragende Schutz- und Wärmeverteilungseigenschaften und sorgen so für zuverlässige und konstante Leistung selbst in den anspruchsvollsten Umgebungen.

Unsere Trommelstruktur für Halbleiter-Epitaxialreaktoren ist darauf ausgelegt, das beste laminare Gasströmungsmuster zu erzielen und ein gleichmäßiges thermisches Profil sicherzustellen. Dies trägt dazu bei, jegliche Kontamination oder Diffusion von Verunreinigungen zu verhindern und sorgt für ein qualitativ hochwertiges epitaktisches Wachstum auf dem Wafer-Chip.

Kontaktieren Sie uns noch heute, um mehr über unsere Trommelstruktur für Halbleiter-Epitaxiereaktoren zu erfahren.

Parameter der Trommelstruktur für einen Halbleiter-Epitaxiereaktor

Hauptspezifikationen der CVD-SIC-Beschichtung
SiC-CVD-Eigenschaften
Kristallstruktur	FCC-β-Phase
Dichte	g/cm³	3.21
Härte	Vickers-Härte	2500
Körnung	μm	2~10
Chemische Reinheit	%	99.99995
Wärmekapazität	J kg-1 K-1	640
Sublimationstemperatur	℃	2700
Biegekraft	MPa (RT 4-Punkt)	415
Elastizitätsmodul	Gpa (4-Punkt-Biegung, 1300 ℃)	430
Wärmeausdehnung (C.T.E)	10-6K-1	4.5
Wärmeleitfähigkeit	(W/mK)	300

Merkmale der Trommelstruktur für einen Halbleiter-Epitaxiereaktor

- Sowohl das Graphitsubstrat als auch die Siliziumkarbidschicht weisen eine gute Dichte auf und können in Arbeitsumgebungen mit hohen Temperaturen und Korrosion eine gute Schutzfunktion spielen.

- Der mit Siliziumkarbid beschichtete Suszeptor, der für die Einkristallzüchtung verwendet wird, weist eine sehr hohe Oberflächenebenheit auf.

- Reduzieren Sie den Unterschied im Wärmeausdehnungskoeffizienten zwischen dem Graphitsubstrat und der Siliziumkarbidschicht und verbessern Sie effektiv die Haftfestigkeit, um Risse und Delaminierung zu verhindern.

- Sowohl das Graphitsubstrat als auch die Siliziumkarbidschicht verfügen über eine hohe Wärmeleitfähigkeit und hervorragende Wärmeverteilungseigenschaften.

- Hoher Schmelzpunkt, Oxidationsbeständigkeit bei hohen Temperaturen, Korrosionsbeständigkeit.