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Trommelstruktur für Halbleiter-Epitaxiereaktor

Trommelstruktur für Halbleiter-Epitaxiereaktor

Mit ihren außergewöhnlichen Wärmeleitfähigkeits- und Wärmeverteilungseigenschaften ist die Semicorex Barrel Structure for Semiconductor Epitaxial Reactor die perfekte Wahl für den Einsatz in LPE-Prozessen und anderen Halbleiterfertigungsanwendungen. Seine hochreine SiC-Beschichtung bietet überlegenen Schutz in Hochtemperatur- und korrosiven Umgebungen.

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Produktbeschreibung

Die Semicorex-Zylinderstruktur für Halbleiter-Epitaxiereaktoren ist die erste Wahl für Hochleistungs-Graphit-Suszeptoranwendungen, die eine außergewöhnliche Hitze- und Korrosionsbeständigkeit erfordern. Die hochreine SiC-Beschichtung und die hervorragende Dichte und Wärmeleitfähigkeit bieten hervorragende Schutz- und Wärmeverteilungseigenschaften und gewährleisten eine zuverlässige und konsistente Leistung selbst in den anspruchsvollsten Umgebungen.

Unsere Zylinderstruktur für Halbleiter-Epitaxiereaktoren wurde entwickelt, um das beste laminare Gasströmungsmuster zu erzielen und ein gleichmäßiges thermisches Profil zu gewährleisten. Dies trägt dazu bei, jegliche Kontamination oder Diffusion von Verunreinigungen zu verhindern, wodurch ein qualitativ hochwertiges epitaxiales Wachstum auf dem Waferchip sichergestellt wird.

Kontaktieren Sie uns noch heute, um mehr über unsere Fassstruktur für Halbleiter-Epitaxiereaktoren zu erfahren.


Parameter der Barrel-Struktur für den Halbleiter-Epitaxiereaktor

Hauptspezifikationen der CVD-SIC-Beschichtung

SiC-CVD-Eigenschaften

Kristallstruktur

FCC β-Phase

Dichte

g/cm³

3.21

Härte

Vickers-Härte

2500

Körnung

μm

2~10

Chemische Reinheit

%

99.99995

Wärmekapazität

J·kg –1 ·K –1

640

Sublimationstemperatur

2700

Biegefestigkeit

MPa (RT 4-Punkt)

415

Elastizitätsmodul

Gpa (4pt Biegung, 1300â)

430

Wärmeausdehnung (CTE)

10-6K-1

4.5

Wärmeleitfähigkeit

(W/mK)

300


Merkmale der Trommelstruktur für Halbleiter-Epitaxiereaktoren

- Sowohl das Graphitsubstrat als auch die Siliziumkarbidschicht haben eine gute Dichte und können eine gute schützende Rolle in Arbeitsumgebungen mit hohen Temperaturen und korrosiven Einflüssen spielen.

- Mit Siliziumkarbid beschichteter Suszeptor, der für die Einkristallzüchtung verwendet wird, hat eine sehr hohe Oberflächenebenheit.

- Reduzieren Sie den Unterschied im Wärmeausdehnungskoeffizienten zwischen dem Graphitsubstrat und der Siliziumkarbidschicht und verbessern Sie effektiv die Haftfestigkeit, um Risse und Delamination zu verhindern.

- Sowohl das Graphitsubstrat als auch die Siliziumkarbidschicht haben eine hohe Wärmeleitfähigkeit und ausgezeichnete Wärmeverteilungseigenschaften.

- Hoher Schmelzpunkt, Hochtemperatur-Oxidationsbeständigkeit, Korrosionsbeständigkeit.






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