Waferträger für MOCVD

Der Semicorex Wafer Carrier für MOCVD, der genau auf die Anforderungen der metallorganischen chemischen Gasphasenabscheidung (MOCVD) zugeschnitten ist, erweist sich als unverzichtbares Werkzeug bei der Verarbeitung von einkristallinem Si oder SiC für hochintegrierte Schaltkreise. Die Zusammensetzung des Wafer-Trägers für MOCVD zeichnet sich durch beispiellose Reinheit, Beständigkeit gegenüber erhöhten Temperaturen und korrosiven Umgebungen sowie hervorragende Dichtungseigenschaften zur Aufrechterhaltung einer makellosen Atmosphäre aus. Wir bei Semicorex widmen uns der Herstellung und Lieferung leistungsstarker Waferträger für MOCVD, die Qualität mit Kosteneffizienz verbinden.

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Produktbeschreibung

Das fortschrittliche Design des Semicorex Wafer Carrier for MOCVD für MOCVD-Anwendungen dient als sichere Grundlage, die fachmännisch für die Aufnahme von Halbleiterwafern entwickelt wurde. Es bietet ein optimiertes Design, das einen festen Halt der Wafer gewährleistet und gleichzeitig eine optimale Gasverteilung für eine gleichmäßige Materialschichtung ermöglicht. Der Waferträger für MOCVD ist mit einer Siliziumkarbid (SiC)-Beschichtung durch chemische Gasphasenabscheidung (CVD) versehen und kombiniert die Widerstandsfähigkeit von Graphit mit den Eigenschaften von CVD-SiC, hohen Temperaturen standzuhalten, einen vernachlässigbaren Wärmeausdehnungskoeffizienten zu besitzen und eine gleichmäßige Wärmeverteilung zu fördern. Dieses Gleichgewicht ist entscheidend für die Wahrung der Integrität der Oberflächentemperatur der Wafer.

Der Wafer Carrier für MOCVD zeichnet sich durch Eigenschaften wie Korrosionshemmung, chemische Widerstandsfähigkeit und damit eine längere Betriebslebensdauer aus und steigert sowohl das Kaliber als auch die Ausbeute der Wafer erheblich. Seine Haltbarkeit stellt einen direkten wirtschaftlichen Vorteil dar und macht den Wafer Carrier für MOCVD zu einer sinnvollen Beschaffungswahl für Ihre Halbleiterproduktion.

Der Semicorex Wafer Carrier für MOCVD ist sorgfältig auf die Epitaxieverfahren von Wafern zugeschnitten und zeichnet sich durch den sicheren Transport von Wafern in Hochtemperaturöfen aus. Sein langlebiges Gerüst sorgt dafür, dass die Wafer intakt bleiben, und verringert so die Schadensanfälligkeit während der kritischen epitaktischen Wachstumsphasen.**