Heim > Produkte > Siliziumkarbid beschichtet > MOCVD-Suszeptor > Suszeptoren für MOCVD-Reaktoren
Suszeptoren für MOCVD-Reaktoren

Suszeptoren für MOCVD-Reaktoren

Die Suszeptoren für MOCVD-Reaktoren von Semicorex sind hochwertige Produkte, die in der Halbleiterindustrie für verschiedene Anwendungen wie Siliziumkarbidschichten und Epitaxie-Halbleiter verwendet werden. Unser Produkt ist in Zahnrad- oder Ringform erhältlich und wurde entwickelt, um eine Hochtemperatur-Oxidationsbeständigkeit zu erreichen, wodurch es bei Temperaturen bis zu 1600 °C stabil ist.

Anfrage absenden

Produktbeschreibung

Unsere Suszeptoren für MOCVD-Reaktoren werden durch chemische CVD-Dampfabscheidung unter Hochtemperatur-Chlorierungsbedingungen hergestellt, um eine hohe Reinheit zu gewährleisten. Die Oberfläche des Produkts ist dicht, mit feinen Partikeln und hoher Härte, wodurch es korrosionsbeständig gegenüber Säuren, Alkalien, Salzen und organischen Reagenzien ist.
Unsere Suszeptoren für MOCVD-Reaktoren sind so konzipiert, dass sie eine Beschichtung auf allen Oberflächen gewährleisten, ein Ablösen vermeiden und das beste laminare Gasströmungsmuster erzielen. Das Produkt garantiert die Gleichmäßigkeit des thermischen Profils und verhindert jegliche Kontamination oder Diffusion von Verunreinigungen während des Prozesses, wodurch qualitativ hochwertige Ergebnisse gewährleistet werden.
Bei Semicorex priorisieren wir die Kundenzufriedenheit und bieten kostengünstige Lösungen. Wir freuen uns darauf, Ihr langfristiger Partner zu werden, der qualitativ hochwertige Produkte und einen außergewöhnlichen Kundenservice liefert.


Parameter von Suszeptoren für MOCVD-Reaktoren

Hauptspezifikationen der CVD-SIC-Beschichtung

SiC-CVD-Eigenschaften

Kristallstruktur

FCC β-Phase

Dichte

g/cm³

3.21

Härte

Vickers-Härte

2500

Körnung

μm

2~10

Chemische Reinheit

%

99.99995

Wärmekapazität

J·kg –1 ·K –1

640

Sublimationstemperatur

2700

Biegefestigkeit

MPa (RT 4-Punkt)

415

Elastizitätsmodul

Gpa (4pt Biegung, 1300â)

430

Wärmeausdehnung (CTE)

10-6K-1

4.5

Wärmeleitfähigkeit

(W/mK)

300


Merkmale des SiC-beschichteten Graphitsuszeptors für MOCVD

- Ablösen vermeiden und Beschichtung auf allen Oberflächen sicherstellen
Hochtemperatur-Oxidationsbeständigkeit: Stabil bei hohen Temperaturen bis zu 1600 °C
Hohe Reinheit: Hergestellt durch CVD-CVD unter Hochtemperatur-Chlorierungsbedingungen.
Korrosionsbeständigkeit: hohe Härte, dichte Oberfläche und feine Partikel.
Korrosionsbeständigkeit: Säure, Alkali, Salz und organische Reagenzien.
- Erzielen Sie das beste laminare Gasströmungsmuster
- Gewährleistung der Gleichmäßigkeit des thermischen Profils
- Verhindern Sie jegliche Kontamination oder Diffusion von Verunreinigungen




Hot-Tags: Suszeptoren für MOCVD-Reaktoren, China, Hersteller, Lieferanten, Fabrik, kundenspezifisch, Bulk, fortschrittlich, langlebig

Verwandte Kategorie

Anfrage absenden

Bitte zögern Sie nicht, Ihre Anfrage im untenstehenden Formular zu stellen. Wir werden Ihnen innerhalb von 24 Stunden antworten.