Halbleiterempfänger

Der aus hochwertigem Graphit gefertigte Susceptor Semiconductor gewährleistet eine optimale Wärmeleitfähigkeit und bietet eine stabile und zuverlässige Umgebung für Ihre Wafer-Epitaxieprozesse.

Der Suszeptor-Halbleiter ist mit einer CVD-Beschichtung (Chemical Vapour Deposition) aus Siliziumkarbid (SiC) verstärkt, was seine Haltbarkeit und Beständigkeit gegenüber extremen Temperaturen erhöht. Diese fortschrittliche Beschichtung garantiert eine gleichbleibende Leistung, selbst in den anspruchsvollsten Ofenumgebungen.

Die Kombination aus Graphit und CVD-SiC sorgt für eine effiziente Wärmeverteilung und minimiert Temperaturschwankungen auf der Waferoberfläche. Dies führt zu einem gleichmäßigen epitaktischen Wachstum und verbessert letztendlich die Qualität und Ausbeute Ihrer Halbleiterbauelemente.

Der Susceptor Semiconductor ist so konzipiert, dass er sich nahtlos in verschiedene Ofensysteme integrieren lässt und so Vielseitigkeit und Anpassungsfähigkeit an verschiedene Fertigungsaufbauten bietet. Sein Design ermöglicht eine einfache Installation und einen zuverlässigen Betrieb in verschiedenen Halbleiterfertigungsumgebungen.

Dieser Suszeptor-Halbleiter wurde speziell für Wafer-Epitaxieprozesse entwickelt und zeichnet sich durch den sicheren Transport von Wafern im Ofen aus. Seine robuste Konstruktion gewährleistet eine sichere Waferplatzierung und minimiert das Risiko von Schäden während der epitaktischen Wachstumsphase.

Der langlebige Graphitkern in Kombination mit der SiC-Beschichtung steigert nicht nur die Leistung, sondern verlängert auch die Lebensdauer des Suszeptorhalbleiters. Diese Langlebigkeit führt im Laufe der Zeit zu Kosteneinsparungen und macht den Susceptor Semiconductor zu einer intelligenten Investition für Ihre Halbleiterfertigungsanlage.