Empfängerplatte

Die Suszeptorplatte von Semicorex ist eine entscheidende Komponente im epitaktischen Wachstumsprozess und wurde speziell für den Transport von Halbleiterwafern während der Abscheidung dünner Filme oder Schichten entwickelt. Im Rahmen der metallorganischen chemischen Gasphasenabscheidung (MOCVD) werden diese Platten insbesondere aus Materialien hergestellt, die hohen Temperaturen standhalten und eine stabile Oberfläche für das Wachstum epitaktischer Schichten bieten.

Die in diesem Prozess verwendete Suszeptorplatte besteht aus Graphit, der durch einen MOCVD-Prozess selbst mit Siliziumkarbid (SiC) beschichtet wird. Siliziumkarbid bietet außergewöhnliche thermische Stabilität, mechanische Festigkeit und Beständigkeit gegenüber chemischen Reaktionen und ist damit eine ideale Wahl für die anspruchsvollen Bedingungen des epitaktischen Wachstums.

Beim MOCVD spielt die Suszeptorplatte eine zentrale Rolle, indem sie die Wärme effektiv auf die Halbleiterwafer überträgt. Die Platte absorbiert Energie aus der Umgebung und strahlt sie auf die Wafer ab, wodurch die kontrollierte Abscheidung dünner Filme auf den Waferoberflächen erleichtert wird. Diese präzise Temperaturkontrolle ist für die Erzielung gleichmäßiger und qualitativ hochwertiger Epitaxieschichten unerlässlich, die für die Herstellung fortschrittlicher Halbleiterbauelemente von entscheidender Bedeutung sind.

Die Suszeptorplatte in MOCVD-Prozessen besteht aus SiC-beschichtetem Graphit und dient als zuverlässige Plattform zur Unterstützung von Halbleiterwafern, sorgt für eine optimale Wärmeübertragung und trägt zum erfolgreichen epitaktischen Wachstum dünner Filme mit den gewünschten Eigenschaften für Halbleiteranwendungen bei.