Silizium-Epitaxie-Suszeptoren

Sie können sicher sein, Silizium-Epitaxie-Suszeptoren in unserer Fabrik zu kaufen. Der Silizium-Epitaxie-Suszeptor von Semicorex ist ein hochwertiges, hochreines Produkt, das in der Halbleiterindustrie für das epitaktische Wachstum des Wafer-Chips verwendet wird. Unser Produkt verfügt über eine überlegene Beschichtungstechnologie, die sicherstellt, dass die Beschichtung auf allen Oberflächen vorhanden ist und ein Abblättern verhindert. Das Produkt ist bei hohen Temperaturen bis zu 1600 °C stabil und eignet sich daher für den Einsatz in extremen Umgebungen.

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Produktbeschreibung

Unsere Silizium-Epitaxie-Suszeptoren werden durch CVD-chemische Gasphasenabscheidung unter Hochtemperatur-Chlorierungsbedingungen hergestellt, wodurch eine hohe Reinheit gewährleistet wird. Die Oberfläche des Produkts ist dicht, mit feinen Partikeln und hoher Härte, wodurch es korrosionsbeständig gegenüber Säuren, Laugen, Salzen und organischen Reagenzien ist.
Unser Produkt ist darauf ausgelegt, das beste laminare Gasströmungsmuster zu erzielen und die Gleichmäßigkeit des thermischen Profils zu gewährleisten. Unsere Silizium-Epitaxie-Suszeptoren verhindern jegliche Kontamination oder Diffusion von Verunreinigungen während des epitaktischen Wachstumsprozesses und sorgen so für qualitativ hochwertige Ergebnisse.
Bei Semicorex konzentrieren wir uns darauf, unseren Kunden qualitativ hochwertige und kostengünstige Produkte anzubieten. Unsere Silizium-Epitaxie-Suszeptoren haben einen Preisvorteil und werden in viele europäische und amerikanische Märkte exportiert. Unser Ziel ist es, Ihr langfristiger Partner zu sein, der gleichbleibende Qualitätsprodukte und außergewöhnlichen Kundenservice liefert.

Parameter von Silizium-Epitaxie-Suszeptoren

Hauptspezifikationen der CVD-SIC-Beschichtung
SiC-CVD-Eigenschaften
Kristallstruktur	FCC-β-Phase
Dichte	g/cm³	3.21
Härte	Vickershärte	2500
Körnung	μm	2~10
Chemische Reinheit	%	99.99995
Wärmekapazität	J kg-1 K-1	640
Sublimationstemperatur	℃	2700
Biegekraft	MPa (RT 4-Punkt)	415
Elastizitätsmodul	Gpa (4-Punkt-Biegung, 1300 ℃)	430
Wärmeausdehnung (C.T.E)	10-6K-1	4.5
Wärmeleitfähigkeit	(W/mK)	300

Parameter von Silizium-Epitaxie-Suszeptoren

- Vermeiden Sie ein Abblättern und stellen Sie sicher, dass die Beschichtung auf der gesamten Oberfläche vorhanden ist
Oxidationsbeständigkeit bei hohen Temperaturen: Stabil bei hohen Temperaturen bis 1600 °C
Hohe Reinheit: hergestellt durch CVD-chemische Gasphasenabscheidung unter Hochtemperatur-Chlorierungsbedingungen.
Korrosionsbeständigkeit: hohe Härte, dichte Oberfläche und feine Partikel.
Korrosionsbeständigkeit: Säure, Alkali, Salz und organische Reagenzien.
- Erzielen Sie das beste laminare Gasströmungsmuster
- Gewährleistung der Gleichmäßigkeit des thermischen Profils
- Verhindern Sie jegliche Kontamination oder Diffusion von Verunreinigungen