Silizium-Epitaxie-Suszeptoren

Sie können sicher sein, Silizium-Epitaxie-Suszeptoren in unserer Fabrik zu kaufen. Der Silizium-Epitaxie-Suszeptor von Semicorex ist ein hochwertiges, hochreines Produkt, das in der Halbleiterindustrie für das epitaxiale Wachstum des Wafer-Chips verwendet wird. Unser Produkt verfügt über eine überlegene Beschichtungstechnologie, die sicherstellt, dass die Beschichtung auf allen Oberflächen vorhanden ist und ein Ablösen verhindert. Das Produkt ist bei hohen Temperaturen bis zu 1600 °C stabil und eignet sich daher für den Einsatz in extremen Umgebungen.

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Produktbeschreibung

Unsere Silizium-Epitaxie-Suszeptoren werden durch chemische CVD-Dampfabscheidung unter Hochtemperatur-Chlorierungsbedingungen hergestellt, um eine hohe Reinheit zu gewährleisten. Die Oberfläche des Produkts ist dicht, mit feinen Partikeln und hoher Härte, wodurch es korrosionsbeständig gegenüber Säuren, Alkalien, Salzen und organischen Reagenzien ist.
Unser Produkt wurde entwickelt, um das beste laminare Gasströmungsmuster zu erzielen und die Gleichmäßigkeit des thermischen Profils zu gewährleisten. Unsere Silizium-Epitaxie-Suszeptoren verhindern jegliche Kontamination oder Diffusion von Verunreinigungen während des epitaktischen Wachstumsprozesses und gewährleisten so qualitativ hochwertige Ergebnisse.
Bei Semicorex konzentrieren wir uns darauf, unseren Kunden qualitativ hochwertige und kostengünstige Produkte anzubieten. Unsere Silizium-Epitaxie-Suszeptoren haben einen Preisvorteil und werden in viele europäische und amerikanische Märkte exportiert. Unser Ziel ist es, Ihr langfristiger Partner zu sein, der gleichbleibende Qualitätsprodukte und außergewöhnlichen Kundenservice liefert.

Parameter von Silizium-Epitaxie-Suszeptoren

Hauptspezifikationen der CVD-SIC-Beschichtung
SiC-CVD-Eigenschaften
Kristallstruktur	FCC β-Phase
Dichte	g/cm³	3.21
Härte	Vickers-Härte	2500
Körnung	Î¼m	2~10
Chemische Reinheit	%	99.99995
Wärmekapazität	J·kg –1 ·K –1	640
Sublimationstemperatur	℃	2700
Biegefestigkeit	MPa (RT 4-Punkt)	415
Elastizitätsmodul	Gpa (4pt Biegung, 1300â)	430
Wärmeausdehnung (CTE)	10-6K-1	4.5
Wärmeleitfähigkeit	(W/mK)	300

Parameter von Silizium-Epitaxie-Suszeptoren

- Ablösen vermeiden und Beschichtung auf allen Oberflächen sicherstellen
Hochtemperatur-Oxidationsbeständigkeit: Stabil bei hohen Temperaturen bis zu 1600 °C
Hohe Reinheit: Hergestellt durch CVD-CVD unter Hochtemperatur-Chlorierungsbedingungen.
Korrosionsbeständigkeit: hohe Härte, dichte Oberfläche und feine Partikel.
Korrosionsbeständigkeit: Säure, Alkali, Salz und organische Reagenzien.
- Erzielen Sie das beste laminare Gasströmungsmuster
- Gewährleistung der Gleichmäßigkeit des thermischen Profils
- Verhindern Sie jegliche Kontamination oder Diffusion von Verunreinigungen