SiC-Suszeptor für MOCVD

Semicorex ist ein führender Hersteller und Lieferant von SiC-Suszeptoren für MOCVD. Unser Produkt ist speziell auf die Bedürfnisse der Halbleiterindustrie beim Wachstum der Epitaxieschicht auf dem Wafer-Chip zugeschnitten. Das Produkt wird als Mittelplatte bei MOCVD verwendet, mit zahnrad- oder ringförmiger Gestaltung. Es weist eine hohe Hitze- und Korrosionsbeständigkeit auf und eignet sich daher ideal für den Einsatz in extremen Umgebungen.

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Produktbeschreibung

Unser SiC-Suszeptor für MOCVD ist ein Spitzenprodukt mit mehreren Hauptmerkmalen. Es gewährleistet eine Beschichtung auf der gesamten Oberfläche, verhindert ein Abblättern und verfügt über eine Oxidationsbeständigkeit bei hohen Temperaturen, die Stabilität auch bei hohen Temperaturen von bis zu 1600 °C gewährleistet. Das Produkt wird mit hoher Reinheit durch CVD-chemische Gasphasenabscheidung unter Hochtemperatur-Chlorierungsbedingungen hergestellt. Es verfügt über eine dichte Oberfläche mit feinen Partikeln und ist daher äußerst beständig gegen Korrosion durch Säuren, Laugen, Salze und organische Reagenzien.
Unser SiC-Suszeptor für MOCVD ist so konzipiert, dass er das beste laminare Gasströmungsmuster gewährleistet und ein gleichmäßiges thermisches Profil gewährleistet. Es verhindert die Diffusion von Verunreinigungen oder Verunreinigungen und gewährleistet so ein qualitativ hochwertiges epitaktisches Wachstum auf dem Wafer-Chip.

Parameter des SiC-Suszeptors für MOCVD

Hauptspezifikationen der CVD-SIC-Beschichtung
SiC-CVD-Eigenschaften
Kristallstruktur	FCC-β-Phase
Dichte	g/cm³	3.21
Härte	Vickershärte	2500
Körnung	μm	2~10
Chemische Reinheit	%	99.99995
Wärmekapazität	J kg-1 K-1	640
Sublimationstemperatur	℃	2700
Biegekraft	MPa (RT 4-Punkt)	415
Elastizitätsmodul	Gpa (4-Punkt-Biegung, 1300 ℃)	430
Wärmeausdehnung (C.T.E)	10-6K-1	4.5
Wärmeleitfähigkeit	(W/mK)	300

Merkmale des SiC-Suszeptors für MOCVD

- Vermeiden Sie ein Abblättern und stellen Sie sicher, dass die Beschichtung auf der gesamten Oberfläche vorhanden ist
Oxidationsbeständigkeit bei hohen Temperaturen: Stabil bei hohen Temperaturen bis 1600 °C
Hohe Reinheit: hergestellt durch CVD-chemische Gasphasenabscheidung unter Hochtemperatur-Chlorierungsbedingungen.
Korrosionsbeständigkeit: hohe Härte, dichte Oberfläche und feine Partikel.
Korrosionsbeständigkeit: Säure, Alkali, Salz und organische Reagenzien.
- Erzielen Sie das beste laminare Gasströmungsmuster
- Gewährleistung der Gleichmäßigkeit des thermischen Profils
- Verhindern Sie jegliche Kontamination oder Diffusion von Verunreinigungen