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China Siliziumkarbidbeschichtet Hersteller, Lieferanten, Fabrik

Bei der SiC-Beschichtung handelt es sich um eine dünne Schicht auf dem Suszeptor, die im CVD-Verfahren (Chemical Vapour Deposition) aufgebracht wird. Siliziumkarbid-Material bietet eine Reihe von Vorteilen gegenüber Silizium, darunter die 10-fache elektrische Durchbruchfeldstärke und die 3-fache Bandlücke, was dem Material eine hohe Temperatur- und Chemikalienbeständigkeit, eine ausgezeichnete Verschleißfestigkeit sowie Wärmeleitfähigkeit verleiht.

Semicorex bietet maßgeschneiderten Service und hilft Ihnen bei der Innovation mit Komponenten, die länger halten, Zykluszeiten verkürzen und Erträge verbessern.


Die SiC-Beschichtung bietet mehrere einzigartige Vorteile

Hohe Temperaturbeständigkeit: Der CVD-SiC-beschichtete Suszeptor kann hohen Temperaturen von bis zu 1600 °C standhalten, ohne dass es zu einer nennenswerten thermischen Beeinträchtigung kommt.

Chemikalienbeständigkeit: Die Siliziumkarbidbeschichtung bietet eine hervorragende Beständigkeit gegen eine Vielzahl von Chemikalien, darunter Säuren, Laugen und organische Lösungsmittel.

Verschleißfestigkeit: Die SiC-Beschichtung verleiht dem Material eine hervorragende Verschleißfestigkeit und eignet sich daher für Anwendungen mit hohem Verschleiß.

Wärmeleitfähigkeit: Die CVD-SiC-Beschichtung verleiht dem Material eine hohe Wärmeleitfähigkeit und eignet sich daher für den Einsatz in Hochtemperaturanwendungen, die eine effiziente Wärmeübertragung erfordern.

Hohe Festigkeit und Steifigkeit: Der mit Siliziumkarbid beschichtete Suszeptor verleiht dem Material eine hohe Festigkeit und Steifigkeit und eignet sich daher für Anwendungen, die eine hohe mechanische Festigkeit erfordern.


SiC-Beschichtungen werden in verschiedenen Anwendungen eingesetzt

LED-Herstellung: CVD-SiC-beschichteter Suszeptor wird aufgrund seiner hohen Wärmeleitfähigkeit und chemischen Beständigkeit bei der Herstellung verschiedener LED-Typen verwendet, einschließlich blauer und grüner LEDs, UV-LEDs und Deep-UV-LEDs.



Mobile Kommunikation: CVD-SiC-beschichteter Suszeptor ist ein entscheidender Bestandteil des HEMT zur Vervollständigung des GaN-auf-SiC-Epitaxieprozesses.



Halbleiterverarbeitung: CVD-SiC-beschichtete Suszeptoren werden in der Halbleiterindustrie für verschiedene Anwendungen verwendet, einschließlich Waferverarbeitung und epitaktisches Wachstum.





SiC-beschichtete Graphitkomponenten

Die aus Siliziumkarbid-Beschichtungsgraphit (SiC) hergestellte Beschichtung wird durch ein CVD-Verfahren auf bestimmte Graphitqualitäten hoher Dichte aufgetragen, sodass sie im Hochtemperaturofen mit über 3000 °C in einer inerten Atmosphäre und 2200 °C im Vakuum betrieben werden kann .

Die besonderen Eigenschaften und die geringe Masse des Materials ermöglichen schnelle Aufheizraten, eine gleichmäßige Temperaturverteilung und eine hervorragende Präzision bei der Steuerung.


Materialdaten der Semicorex SiC-Beschichtung

Typische Eigenschaften

Einheiten

Werte

Struktur


FCC-β-Phase

Orientierung

Anteil (%)

111 bevorzugt

Schüttdichte

g/cm³

3.21

Härte

Vickershärte

2500

Wärmekapazität

J kg-1 K-1

640

Wärmeausdehnung 100–600 °C (212–1112 °F)

10-6K-1

4.5

Elastizitätsmodul

Gpa (4-Punkt-Biegung, 1300 ℃)

430

Körnung

μm

2~10

Sublimationstemperatur

2700

Biegekraft

MPa (RT 4-Punkt)

415

Wärmeleitfähigkeit

(W/mK)

300


Fazit: CVD-SiC-beschichteter Suszeptor ist ein Verbundmaterial, das die Eigenschaften eines Suszeptors und von Siliziumkarbid kombiniert. Dieses Material verfügt über einzigartige Eigenschaften, darunter hohe Temperatur- und Chemikalienbeständigkeit, ausgezeichnete Verschleißfestigkeit, hohe Wärmeleitfähigkeit sowie hohe Festigkeit und Steifigkeit. Diese Eigenschaften machen es zu einem attraktiven Material für verschiedene Hochtemperaturanwendungen, darunter Halbleiterverarbeitung, chemische Verarbeitung, Wärmebehandlung, Solarzellenherstellung und LED-Herstellung.






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SiC-Bootshalter

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Der SiC-Bootshalter von Semicorex ist auf innovative Weise aus SiC gefertigt und speziell auf zentrale Aufgaben in den Bereichen Photovoltaik, Elektronik und Halbleiter zugeschnitten. Der mit Präzision konstruierte Semicorex SiC-Bootshalter bietet eine schützende, stabile Umgebung für Wafer in jeder Phase – sei es Verarbeitung, Transport oder Lagerung. Sein sorgfältiges Design gewährleistet Präzision in den Abmessungen und Gleichmäßigkeit, was entscheidend für die Minimierung der Waferverformung und die Maximierung der Betriebsausbeute ist.

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Der SiC-Führungsring von Semicorex wurde entwickelt, um den Einkristallwachstumsprozess zu optimieren. Seine außergewöhnliche Wärmeleitfähigkeit gewährleistet eine gleichmäßige Wärmeverteilung und trägt zur Bildung hochwertiger Kristalle mit erhöhter Reinheit und struktureller Integrität bei. Das Engagement von Semicorex für marktführende Qualität, gepaart mit wettbewerbsfähigen steuerlichen Überlegungen, festigt unser Bestreben, Partnerschaften bei der Erfüllung Ihrer Transportanforderungen für Halbleiterwafer aufzubauen.

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Empfängerscheibe

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Die Semicorex Susceptor Disc ist ein unverzichtbares Werkzeug bei der metallorganischen chemischen Gasphasenabscheidung (MOCVD), die speziell für die Unterstützung und Erwärmung von Halbleiterwafern während des kritischen Prozesses der epitaktischen Schichtabscheidung entwickelt wurde. Die Susceptor Disc spielt eine entscheidende Rolle bei der Herstellung von Halbleiterbauelementen, bei denen ein präzises Schichtwachstum von größter Bedeutung ist. Das Engagement von Semicorex für marktführende Qualität, gepaart mit wettbewerbsfähigen steuerlichen Überlegungen, festigt unser Bestreben, Partnerschaften bei der Erfüllung Ihrer Transportanforderungen für Halbleiterwafer aufzubauen.

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Epitaktische einkristalline Si-Platte

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Die epitaktische einkristalline Si-Platte verkörpert den Höhepunkt der Verfeinerung, Haltbarkeit und Zuverlässigkeit für Anwendungen im Zusammenhang mit Graphitepitaxie und Wafermanipulation. Es zeichnet sich durch seine Dichte, Planarität und Wärmemanagementfähigkeiten aus und ist damit die optimale Wahl für anspruchsvolle Betriebsbedingungen. Das Engagement von Semicorex für marktführende Qualität, gepaart mit wettbewerbsfähigen steuerlichen Überlegungen, festigt unser Bestreben, Partnerschaften bei der Erfüllung Ihrer Transportanforderungen für Halbleiterwafer aufzubauen.

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Einkristalliner Silizium-Epi-Suszeptor

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Der einkristalline Silizium-Epi-Suszeptor ist eine wesentliche Komponente für Si-GaN-Epitaxieprozesse, die an individuelle Spezifikationen und Vorlieben angepasst werden kann und eine maßgeschneiderte Lösung bietet, die perfekt auf spezifische Anforderungen abgestimmt ist. Unabhängig davon, ob es sich um Änderungen der Abmessungen oder Anpassungen der Beschichtungsdicke handelt, verfügen wir über die Fähigkeit, ein Produkt zu entwerfen und zu liefern, das verschiedene Prozessparameter berücksichtigt und so die Leistung für gezielte Anwendungen optimiert. Das Engagement von Semicorex für marktführende Qualität, gepaart mit wettbewerbsfähigen steuerlichen Überlegungen, festigt unser Bestreben, Partnerschaften bei der Erfüllung Ihrer Transportanforderungen für Halbleiterwafer aufzubauen.

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Semicorex produziert seit vielen Jahren Siliziumkarbidbeschichtet und ist einer der professionellen Siliziumkarbidbeschichtet Hersteller und Lieferanten in China. Sobald Sie unsere fortschrittlichen und langlebigen Produkte kaufen, die in Großpackungen geliefert werden, garantieren wir die große Menge in schneller Lieferung. Im Laufe der Jahre haben wir unseren Kunden einen maßgeschneiderten Service geboten. Kunden sind mit unseren Produkten und unserem exzellenten Service zufrieden. Wir freuen uns aufrichtig darauf, Ihr zuverlässiger langfristiger Geschäftspartner zu werden! Willkommen, um Produkte aus unserer Fabrik zu kaufen.
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