Der Semicorex SiC Coating Flat Susceptor ist ein Hochleistungs-Substrathalter, der für präzises epitaktisches Wachstum in der Halbleiterfertigung entwickelt wurde. Wählen Sie Semicorex für zuverlässige, langlebige und hochwertige Suszeptoren, die die Effizienz und Präzision Ihrer CVD-Prozesse verbessern.*
SemicorexSiC-BeschichtungFlat Susceptor ist ein unverzichtbarer Waferhalter, der für epitaktische Wachstumsprozesse in der Halbleiterfertigung entwickelt wurde. Dieser Suszeptor wurde speziell zur Unterstützung der Abscheidung epitaktischer Schichten auf Substraten entwickelt und eignet sich ideal für Hochleistungsanwendungen wie LED-Geräte, Hochleistungsgeräte und HF-Kommunikationstechnologien. Durch den Einsatz der CVD-Technik (Chemical Vapour Deposition) ermöglicht es das präzise Wachstum kritischer Schichten wie GaAs auf Siliziumsubstraten, SiC auf leitfähigen SiC-Substraten und GaN auf halbisolierenden SiC-Substraten.
Während des Wafer-Herstellungsprozesses müssen bei einigen Wafer-Substraten weitere Epitaxieschichten aufgebaut werden, um die Herstellung von Geräten zu erleichtern. Typische Beispiele sind LED-Lichtemissionsgeräte, die die Herstellung von GaAs-Epitaxieschichten auf Siliziumsubstraten erfordern; SiC-Epitaxieschichten werden auf leitfähigen SiC-Substraten aufgewachsen, um Geräte wie SBDs und MOSFETs für Hochspannungs-, Hochstrom- und andere Leistungsanwendungen zu konstruieren. GaN-Epitaxieschichten werden auf halbisolierenden SiC-Substraten aufgebaut, um HEMT und andere Geräte für die Kommunikation und andere Hochfrequenzanwendungen weiter aufzubauen. Dieser Prozess ist untrennbar mit CVD-Geräten verbunden.
In CVD-Geräten kann das Substrat nicht direkt auf Metall oder einfach auf einer Unterlage zur epitaktischen Abscheidung platziert werden, da verschiedene Faktoren wie die Gasströmungsrichtung (horizontal, vertikal), Temperatur, Druck, Fixierung und herabfallende Verunreinigungen eine Rolle spielen. Daher wird eine Basis benötigt, und dann wird das Substrat auf eine Ablage gelegt, und dann wird eine epitaktische Abscheidung auf dem Substrat durchgeführtCVD-Technologie. Bei dieser Basis handelt es sich um eine SiC-beschichtete Graphitbasis (auch Tablett genannt).
Anwendungen
DerSiC-BeschichtungFlat Susceptor wird in verschiedenen Branchen für unterschiedliche Anwendungen eingesetzt:
LED-Herstellung: Bei der Herstellung von GaAs-basierten LEDs hält der Suszeptor Siliziumsubstrate während des CVD-Prozesses und stellt so sicher, dass die GaAs-Epitaxieschicht präzise abgeschieden wird.
Hochleistungsgeräte: Bei Geräten wie SiC-basierten MOSFETs und Schottky-Barriere-Dioden (SBDs) unterstützt der Suszeptor das epitaktische Wachstum von SiC-Schichten auf leitfähigen SiC-Substraten, was für Hochspannungs- und Hochstromanwendungen unerlässlich ist.
HF-Kommunikationsgeräte: Bei der Entwicklung von GaN-HEMTs auf halbisolierenden SiC-Substraten sorgt der Suszeptor für die nötige Stabilität, um präzise Schichten wachsen zu lassen, die für Hochfrequenz- und Hochleistungs-HF-Anwendungen von entscheidender Bedeutung sind.
Die Vielseitigkeit des SiC Coating Flat Susceptor macht ihn zu einem wichtigen Werkzeug beim Wachstum epitaktischer Schichten für diese vielfältigen Anwendungen.
Als eine der Kernkomponenten von MOCVD-Geräten ist der Graphitsuszeptor der Träger und das Heizelement des Substrats, das direkt die Gleichmäßigkeit und Reinheit des Dünnschichtmaterials bestimmt. Daher wirkt sich seine Qualität direkt auf die Vorbereitung epitaktischer Wafer aus. Gleichzeitig verschleißt es mit zunehmender Nutzungsdauer und veränderten Arbeitsbedingungen sehr schnell und ist ein Verbrauchsmaterial.
Der flache Suszeptor mit SiC-Beschichtung wurde entwickelt, um die strengen Anforderungen des CVD-Prozesses zu erfüllen:
Durch die Bereitstellung einer stabilen, sauberen und thermisch effizienten Plattform für epitaktisches Wachstum verbessert der SiC Coating Flat Susceptor die Gesamtleistung und Ausbeute des CVD-Prozesses erheblich.
SemicorexSiC-BeschichtungFlat Susceptor wurde entwickelt, um höchste Präzisions- und Qualitätsstandards zu erfüllen und eine hervorragende Leistung in kritischen Halbleiterfertigungsprozessen zu gewährleisten. Wir beweisen, dass wir konsistente Produkte und zuverlässige Ergebnisse in CVD-Systemen liefern und die Produktion hochwertiger Halbleiterbauelemente ermöglichen. Mit bemerkenswerter chemischer Beständigkeit, außergewöhnlichem Wärmemanagement und beispielloser Haltbarkeit ist Semicorex SiC Coating Flat Susceptor die definitive Wahl für Hersteller, die die Wafer-Epitaxieprozesse optimieren möchten.
Der flache Suszeptor mit SiC-Beschichtung von Semicorex ist eine unverzichtbare Komponente bei der Herstellung von Halbleiterbauelementen, die epitaktisches Wachstum erfordern. Seine überragende Haltbarkeit, Beständigkeit gegenüber thermischen und chemischen Belastungen und die Fähigkeit, während des Abscheidungsprozesses präzise Bedingungen aufrechtzuerhalten, machen es für moderne CVD-Systeme unverzichtbar. Mit dem Semicorex SiC Coating Flat Susceptor erhalten Hersteller eine robuste Lösung zur Erzielung von Epitaxieschichten höchster Qualität, die eine hervorragende Leistung bei zahlreichen Halbleiteranwendungen garantiert. Arbeiten Sie mit Semicorex zusammen, um Ihren Produktionsprozess mit Produkten zu verbessern, die sorgfältig auf optimale Effizienz und Zuverlässigkeit ausgelegt sind.