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China Siliziumkarbidbeschichtet Hersteller, Lieferanten, Fabrik
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RTP-Träger für MOCVD-Epitaxiewachstum
Der Semicorex RTP-Träger für MOCVD-Epitaxiewachstum ist ideal für Halbleiter-Wafer-Verarbeitungsanwendungen, einschließlich Epitaxiewachstum und Wafer-Handling-Verarbeitung. Kohlenstoffgraphitsuszeptoren und Quarztiegel werden durch MOCVD auf der Oberfläche von Graphit, Keramik usw. verarbeitet. Unsere Produkte haben einen guten Preisvorteil und decken viele europäische und amerikanische Märkte ab. Wir freuen uns darauf, Ihr langfristiger Partner in China zu werden.
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SiC-beschichtete ICP-Komponente
Die SiC-beschichtete ICP-Komponente von Semicorex wurde speziell für Hochtemperatur-Wafer-Handhabungsprozesse wie Epitaxie und MOCVD entwickelt. Mit einer feinen SiC-Kristallbeschichtung bieten unsere Träger eine hervorragende Hitzebeständigkeit, gleichmäßige thermische Gleichmäßigkeit und dauerhafte chemische Beständigkeit.
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Hochtemperatur-SiC-Beschichtung für Plasmaätzkammern
Wenn es um Wafer-Handhabungsprozesse wie Epitaxie und MOCVD geht, ist die Hochtemperatur-SiC-Beschichtung für Plasmaätzkammern von Semicorex die erste Wahl. Unsere Träger bieten dank unserer feinen SiC-Kristallbeschichtung eine hervorragende Hitzebeständigkeit, gleichmäßige thermische Gleichmäßigkeit und dauerhafte chemische Beständigkeit.
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ICP-Plasmaätztablett
Das ICP-Plasma-Ätztablett von Semicorex wurde speziell für Hochtemperatur-Wafer-Handhabungsprozesse wie Epitaxie und MOCVD entwickelt. Mit einer stabilen Oxidationsbeständigkeit bei hohen Temperaturen von bis zu 1600 °C sorgen unsere Träger für gleichmäßige thermische Profile und laminare Gasströmungsmuster und verhindern die Diffusion von Verunreinigungen oder Verunreinigungen.
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ICP-Plasmaätzsystem
Der SiC-beschichtete Träger von Semicorex für das ICP-Plasmaätzsystem ist eine zuverlässige und kostengünstige Lösung für Hochtemperatur-Wafer-Handhabungsprozesse wie Epitaxie und MOCVD. Unsere Träger verfügen über eine feine SiC-Kristallbeschichtung, die eine hervorragende Hitzebeständigkeit, gleichmäßige thermische Gleichmäßigkeit und dauerhafte chemische Beständigkeit bietet.
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Induktiv gekoppeltes Plasma (ICP)
Der mit Siliziumkarbid beschichtete Suszeptor von Semicorex für induktiv gekoppeltes Plasma (ICP) wurde speziell für Hochtemperatur-Wafer-Handhabungsprozesse wie Epitaxie und MOCVD entwickelt. Mit einer stabilen Hochtemperatur-Oxidationsbeständigkeit von bis zu 1600 °C sorgen unsere Träger für gleichmäßige thermische Profile und laminare Gasströmungsmuster und verhindern die Diffusion von Verunreinigungen oder Verunreinigungen.
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Semicorex produziert seit vielen Jahren Siliziumkarbidbeschichtet und ist einer der professionellen Siliziumkarbidbeschichtet Hersteller und Lieferanten in China. Sobald Sie unsere fortschrittlichen und langlebigen Produkte kaufen, die in Großpackungen geliefert werden, garantieren wir die große Menge in schneller Lieferung. Im Laufe der Jahre haben wir unseren Kunden einen maßgeschneiderten Service geboten. Kunden sind mit unseren Produkten und unserem exzellenten Service zufrieden. Wir freuen uns aufrichtig darauf, Ihr zuverlässiger langfristiger Geschäftspartner zu werden! Willkommen, um Produkte aus unserer Fabrik zu kaufen.
