RTP-Träger für MOCVD-Epitaxiewachstum

Der Semicorex RTP-Träger für MOCVD-Epitaxiewachstum ist ideal für Halbleiter-Wafer-Verarbeitungsanwendungen, einschließlich Epitaxiewachstum und Wafer-Handling-Verarbeitung. Kohlenstoffgraphitsuszeptoren und Quarztiegel werden durch MOCVD auf der Oberfläche von Graphit, Keramik usw. verarbeitet. Unsere Produkte haben einen guten Preisvorteil und decken viele europäische und amerikanische Märkte ab. Wir freuen uns darauf, Ihr langfristiger Partner in China zu werden.

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Produktbeschreibung

Semicorex liefert RTP-Träger für das epitaxiale MOCVD-Wachstum, die zur Unterstützung von Wafern verwendet werden und äußerst stabil für RTA, RTP oder aggressive chemische Reinigung sind. Im Mittelpunkt des Prozesses stehen die Epitaxie-Suszeptoren, die zunächst der Abscheidungsumgebung ausgesetzt werden, sodass sie eine hohe Hitze- und Korrosionsbeständigkeit aufweisen. Der mit SiC beschichtete Träger verfügt außerdem über eine hohe Wärmeleitfähigkeit und hervorragende Wärmeverteilungseigenschaften.
Unser RTP-Träger für das epitaktische MOCVD-Wachstum ist darauf ausgelegt, das beste laminare Gasströmungsmuster zu erzielen und ein gleichmäßiges thermisches Profil sicherzustellen. Dies trägt dazu bei, jegliche Kontamination oder Diffusion von Verunreinigungen zu verhindern und sorgt für ein qualitativ hochwertiges epitaktisches Wachstum auf dem Wafer-Chip.
Kontaktieren Sie uns noch heute, um mehr über unseren RTP-Träger für MOCVD-Epitaxiewachstum zu erfahren.

Parameter des RTP-Trägers für das epitaktische MOCVD-Wachstum

Hauptspezifikationen der CVD-SIC-Beschichtung
SiC-CVD-Eigenschaften
Kristallstruktur	FCC-β-Phase
Dichte	g/cm³	3.21
Härte	Vickershärte	2500
Körnung	μm	2~10
Chemische Reinheit	%	99.99995
Wärmekapazität	J kg-1 K-1	640
Sublimationstemperatur	℃	2700
Biegekraft	MPa (RT 4-Punkt)	415
Elastizitätsmodul	Gpa (4-Punkt-Biegung, 1300 ℃)	430
Wärmeausdehnung (C.T.E)	10-6K-1	4.5
Wärmeleitfähigkeit	(W/mK)	300

Merkmale des RTP-Trägers für das epitaktische MOCVD-Wachstum

Hochreiner SiC-beschichteter Graphit
Überragende Hitzebeständigkeit und thermische Gleichmäßigkeit
Feine SiC-Kristallbeschichtung für eine glatte Oberfläche
Hohe Beständigkeit gegen chemische Reinigung
Das Material ist so konzipiert, dass es nicht zu Rissen und Delaminationen kommt.