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RTP-Träger für epitaktisches MOCVD-Wachstum

RTP-Träger für epitaktisches MOCVD-Wachstum

Semicorex RTP-Träger für MOCVD-Epitaxiewachstum ist ideal für Halbleiterwafer-Verarbeitungsanwendungen, einschließlich Epitaxiewachstum und Wafer-Handling-Verarbeitung. Kohlenstoff-Graphit-Suszeptoren und Quarztiegel werden durch MOCVD auf der Oberfläche von Graphit, Keramik usw. verarbeitet. Unsere Produkte haben einen guten Preisvorteil und decken viele der europäischen und amerikanischen Märkte ab. Wir freuen uns darauf, Ihr langfristiger Partner in China zu werden.

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Produktbeschreibung

Semicorex liefert RTP-Träger für MOCVD-Epitaxiewachstum zur Unterstützung von Wafern, die wirklich stabil für RTA, RTP oder aggressive chemische Reinigung sind. Im Kern des Prozesses werden die Epitaxie-Suszeptoren zuerst der Abscheidungsumgebung ausgesetzt, sodass sie eine hohe Hitze- und Korrosionsbeständigkeit aufweisen. Der SiC-beschichtete Träger hat auch eine hohe Wärmeleitfähigkeit und ausgezeichnete Wärmeverteilungseigenschaften.
Unser RTP-Träger für MOCVD-Epitaxialwachstum wurde entwickelt, um das beste laminare Gasströmungsmuster zu erzielen und ein gleichmäßiges thermisches Profil zu gewährleisten. Dies trägt dazu bei, jegliche Kontamination oder Diffusion von Verunreinigungen zu verhindern, wodurch ein qualitativ hochwertiges epitaxiales Wachstum auf dem Waferchip sichergestellt wird.
Kontaktieren Sie uns noch heute, um mehr über unseren RTP-Träger für epitaktisches MOCVD-Wachstum zu erfahren.


Parameter des RTP-Trägers für MOCVD-Epitaxiewachstum

Hauptspezifikationen der CVD-SIC-Beschichtung

SiC-CVD-Eigenschaften

Kristallstruktur

FCC β-Phase

Dichte

g/cm³

3.21

Härte

Vickers-Härte

2500

Körnung

μm

2~10

Chemische Reinheit

%

99.99995

Wärmekapazität

J·kg –1 ·K –1

640

Sublimationstemperatur

2700

Biegefestigkeit

MPa (RT 4-Punkt)

415

Elastizitätsmodul

Gpa (4pt Biegung, 1300â)

430

Wärmeausdehnung (CTE)

10-6K-1

4.5

Wärmeleitfähigkeit

(W/mK)

300


Merkmale des RTP-Trägers für MOCVD-Epitaxiewachstum

Hochreiner SiC-beschichteter Graphit
Hervorragende Hitzebeständigkeit und thermische Gleichmäßigkeit
Feine SiC-Kristallbeschichtung für eine glatte Oberfläche
Hohe Beständigkeit gegen chemische Reinigung
Das Material ist so konzipiert, dass keine Risse und Delaminationen auftreten.





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