SICOI-Wafer

WIR SINDWaferist ein Verbundhalbleitermaterial mit einer dreischichtigen Struktur, das nach einem einzigartigen Verfahren hergestellt wird.

Die Siliziumkarbid-Geräteschicht ist die grundlegende Funktionsschicht der SICOI-Waferstruktur. Aufgrund seiner außergewöhnlichen mechanischen Festigkeit, seines hohen Brechungsindex, seines geringen optischen Verlusts und seiner bemerkenswerten Wärmeleitfähigkeit ist es für die Erzielung leistungsstarker elektronischer, photonischer und Quantenfunktionen unerlässlich.

Die isolierende Oxidschicht befindet sich zwischen dem Siliziumsubstrat und der SiC-Geräteschicht und ist die mittlere Schicht des SICOI-Wafers. Durch die Isolierung der Strompfade zwischen der oberen und unteren Schicht verringert die isolierende Oxidschicht effektiv das Risiko von Kurzschlüssen und garantiert die stabile elektrische Leistung von Halbleiterbauelementen. Aufgrund seiner geringen Absorptionseigenschaft kann es die optische Streuung erheblich reduzieren und die Effizienz der optischen Signalübertragung von Halbleiterbauelementen verbessern.

Die Siliziumkarbid-Geräteschicht ist die grundlegende Funktionsschicht der SICOI-Waferstruktur. Aufgrund seiner außergewöhnlichen mechanischen Festigkeit, seines hohen Brechungsindex, seines geringen optischen Verlusts und seiner bemerkenswerten Wärmeleitfähigkeit ist es für die Erzielung leistungsstarker elektronischer, photonischer und Quantenfunktionen unerlässlich.

Die Anwendungen von SICOI-Wafern:

1. Zur Herstellung nichtlinearer optischer Geräte wie optischer Frequenzkamm.

2. Zur Herstellung integrierter photonischer Chips.

3. Zur Herstellung eines elektrooptischen Modulators

4. Zur Herstellung von Leistungselektronikgeräten wie Leistungsschaltern und HF-Geräten.

5. Zur Herstellung von MEMS-Sensoren wie Beschleunigungsmessern und Gyroskopen.