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Silizium auf Isolatorwafer

Silizium auf Isolatorwafer

Ein Silizium-auf-Isolator-Wafer, auch bekannt als Silizium-auf-Isolator-Wafer, ist eine Art Halbleiterwafer, der häufig bei der Herstellung fortschrittlicher integrierter Schaltkreise (ICs) verwendet wird. Semicorex ist bestrebt, Qualitätsprodukte zu wettbewerbsfähigen Preisen anzubieten. Wir freuen uns darauf, Ihr langfristiger Partner in China zu werden.

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Produktbeschreibung

Die Struktur eines Silizium-auf-Isolator-Wafers besteht aus drei Hauptschichten. Die oberste Schicht ist ein dünner Film aus einkristallinem Silizium, dessen Dicke typischerweise zwischen einigen Nanometern und einigen Mikrometern liegt. Diese dünne Siliziumschicht dient als aktiver Bereich, in dem Transistoren und andere elektronische Komponenten gebaut werden.

Unter der dünnen Siliziumschicht befindet sich eine Schicht aus isolierendem Material. Diese Isolierschicht fungiert als Barriere und verhindert den Fluss elektrischer Ladungen zwischen der dünnen Siliziumschicht und der Substratschicht.

Die unterste Schicht ist das Substrat, eine dickere Schicht aus einkristallinem Silizium. Es bietet dem Wafer mechanischen Halt und dient gleichzeitig als Kühlkörper zur Ableitung der erzeugten Wärme.

Der Herstellungsprozess von Silizium-auf-Isolator-Wafern umfasst verschiedene Techniken, einschließlich Wafer-Bonding und Schichtübertragungsmethoden. Diese Techniken ermöglichen die Erzeugung einer hochwertigen dünnen Siliziumschicht auf der Isolierschicht.

Silizium-auf-Isolator-Wafer haben in der Halbleiterindustrie zunehmend an Bedeutung gewonnen, insbesondere bei der Herstellung von Mikroprozessoren, Speichergeräten, HF-Schaltkreisen und Hochgeschwindigkeitskommunikationssystemen. Ihre einzigartige Struktur und ihre Vorteile machen sie zu einer bevorzugten Wahl für fortschrittliche elektronische Anwendungen und tragen zu schnelleren und effizienteren Geräten in verschiedenen Bereichen bei.

 

 

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