SiC-Wafer-Suszeptoren für MOCVD

Die SiC-Wafer-Suszeptoren von Semicorex für MOCVD sind ein Paradebeispiel für Präzision und Innovation und wurden speziell für die epitaktische Abscheidung von Halbleitermaterialien auf Wafern entwickelt. Aufgrund ihrer hervorragenden Materialeigenschaften können die Platten den strengen Bedingungen des epitaktischen Wachstums standhalten, einschließlich hoher Temperaturen und korrosiver Umgebungen, was sie für die hochpräzise Halbleiterfertigung unverzichtbar macht. Wir bei Semicorex widmen uns der Herstellung und Lieferung leistungsstarker SiC-Wafer-Suszeptoren für MOCVD, die Qualität mit Kosteneffizienz verbinden.

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Produktbeschreibung

Die Kombination aus thermischer Stabilität, chemischer Beständigkeit und mechanischer Robustheit gewährleistet, dass die Semicorex SiC-Wafer-Suszeptoren für MOCVD auch unter rauen Verarbeitungsbedingungen eine lange Lebensdauer haben:

1. Diese SiC-Wafer-Suszeptoren für MOCVD sind so konstruiert, dass sie extrem hohen Temperaturen, oft über 1500 °C, standhalten, ohne dass es zu einer Verschlechterung kommt. Diese Widerstandsfähigkeit ist von entscheidender Bedeutung für Prozesse, die eine längere Einwirkung hoher thermischer Umgebungen erfordern. Die hervorragenden thermischen Eigenschaften minimieren Wärmegradienten und Spannungen innerhalb des Suszeptors und verringern so das Risiko von Verwerfungen oder Verformungen bei extremen Verarbeitungstemperaturen.

2. Die SiC-Beschichtung der SiC-Wafer-Suszeptoren für MOCVD bietet eine außergewöhnliche Beständigkeit gegen korrosive Chemikalien, die in CVD-Prozessen verwendet werden, wie z. B. Gase auf Halogenbasis. Diese Inertheit stellt sicher, dass die Träger nicht mit Prozessgasen reagieren, wodurch die Integrität und Reinheit der abgeschiedenen Filme erhalten bleibt.

3. Die robuste Konstruktion dieser SiC-Wafer-Suszeptoren für MOCVD stellt sicher, dass sie den mechanischen Belastungen bei der Handhabung und Verarbeitung standhalten, ohne dass Partikel entstehen, die den Wafer verunreinigen könnten. Die Gleichmäßigkeit der Oberfläche der Suszeptoren fördert reproduzierbare Verarbeitungsbedingungen, die für die Herstellung von Halbleiterbauelementen mit gleichbleibender Leistung und Zuverlässigkeit unerlässlich sind.

Diese erweiterten Beschreibungen heben die professionellen und technischen Vorteile von SiC-Wafer-Suszeptoren für MOCVD in Halbleiter-CVD-Prozessen hervor und betonen ihre einzigartigen Eigenschaften und Vorteile bei der Aufrechterhaltung hoher Reinheits-, Leistungs- und Effizienzstandards im Herstellungsprozess.