SiC-MOCVD-Abdeckungssegment

Das SiC-MOCVD-Abdeckungssegment von Semicorex nutzt eine synergistische Kombination von Materialien, die aufgrund ihrer Leistung bei extremen Temperaturen und in Gegenwart hochreaktiver Vorläufer ausgewählt wurden. Der Kern jedes Segments besteht aushochreiner isostatischer Graphit, mit einem Aschegehalt unter 5 ppm. Diese außergewöhnliche Reinheit minimiert potenzielle Kontaminationsrisiken und gewährleistet die Integrität der wachsenden SiC-Epischichten. Abgesehen davon, eine präzise angewandteSiC-Beschichtung durch chemische Gasphasenabscheidung (CVD).bildet eine Schutzbarriere über dem Graphitsubstrat. Diese hochreine (≥ 6N) Schicht weist eine hervorragende Beständigkeit gegenüber den aggressiven Vorläufern auf, die üblicherweise in der SiC-Epitaxie verwendet werden.

Hauptmerkmale:

Diese Materialeigenschaften führen zu greifbaren Vorteilen im anspruchsvollen Umfeld von SiC MOCVD:

Unerschütterliche Temperaturbeständigkeit: Die kombinierte Stärke des SiC-MOCVD-Abdeckungssegments gewährleistet strukturelle Integrität und verhindert Verformungen oder Verformungen selbst bei den extremen Temperaturen (oft über 1500 °C), die für die SiC-Epitaxie erforderlich sind.

Beständigkeit gegen chemische Angriffe: Die CVD-SiC-Schicht fungiert als robuster Schutzschild gegen die korrosive Natur üblicher SiC-Epitaxie-Vorläufer wie Silan und Trimethylaluminium. Dieser Schutz erhält die Integrität des SiC-MOCVD-Abdeckungssegments über einen längeren Zeitraum hinweg aufrecht, minimiert die Partikelerzeugung und sorgt für eine sauberere Prozessumgebung.

Förderung der Wafer-Gleichmäßigkeit: Die inhärente thermische Stabilität und Gleichmäßigkeit des SiC-MOCVD-Abdeckungssegments tragen zu einem gleichmäßigeren Temperaturprofil über den Wafer während der Epitaxie bei. Dies führt zu einem homogeneren Wachstum und einer besseren Gleichmäßigkeit der abgeschiedenen SiC-Epischichten.

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Betriebliche Vorteile:

Über Prozessverbesserungen hinaus bietet das SiC-MOCVD-Abdeckungssegment von Semicorex erhebliche betriebliche Vorteile:

Längere Lebensdauer: Die robuste Materialauswahl und Konstruktion führt zu einer längeren Lebensdauer der Abdeckungssegmente und reduziert die Notwendigkeit eines häufigen Austauschs. Dies minimiert Prozessausfallzeiten und trägt zu niedrigeren Gesamtbetriebskosten bei.

Hochwertige Epitaxie ermöglicht: Letztendlich trägt das fortschrittliche SiC-MOCVD-Abdeckungssegment direkt zur Produktion hochwertiger SiC-Epischichten bei und ebnet den Weg für leistungsstärkere SiC-Geräte, die in der Leistungselektronik, der HF-Technologie und anderen anspruchsvollen Anwendungen eingesetzt werden.