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SiC-Epitaxie-Rezeptor

SiC-Epitaxie-Rezeptor

Der mit Präzision gefertigte und auf Zuverlässigkeit ausgelegte SiC-Epitaxie-Suszeptor zeichnet sich durch hohe Korrosionsbeständigkeit, hohe Wärmeleitfähigkeit, Beständigkeit gegen Thermoschocks und hohe chemische Stabilität aus und ermöglicht so einen effektiven Betrieb in einer epitaktischen Atmosphäre. Daher gilt der SiC-Epitaxie-Suszeptor als Kern und entscheidende Komponente in MOCVD-Geräten. Semicorex ist bestrebt, Qualitätsprodukte zu wettbewerbsfähigen Preisen anzubieten. Wir freuen uns darauf, Ihr langfristiger Partner in China zu werden.

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Produktbeschreibung

Der SiC-Epitaxie-Suszeptor ist eine wichtige Komponente, die in MOCVD-Geräten zur Unterstützung und Erwärmung von Einkristallsubstraten verwendet wird. Seine überlegenen Leistungsparameter wie thermische Stabilität und thermische Gleichmäßigkeit spielen eine entscheidende Rolle für die Qualität des epitaktischen Materialwachstums und gewährleisten ein hohes Maß an Gleichmäßigkeit und Reinheit in Dünnschichtmaterialien.

Der SiC-Epitaxie-Suszeptor verfügt über eine hervorragende Dichte und bietet wirksamen Schutz in Arbeitsumgebungen mit hohen Temperaturen und Korrosion. Darüber hinaus erfüllt seine hohe Oberflächenebenheit perfekt die Anforderungen für das Einkristallwachstum auf der Substratoberfläche.

Die minimalen Unterschiede der Wärmeausdehnungskoeffizienten im SiC-Epitaxie-Suszeptor verbessern die Bindungsstärke zwischen dem Epitaxiesubstrat und dem Beschichtungsmaterial erheblich und verringern so die Wahrscheinlichkeit von Rissen nach thermischen Wechselbelastungen bei hohen Temperaturen.

Gleichzeitig weist es eine hohe Wärmeleitfähigkeit auf, was eine schnelle und gleichmäßige Wärmeverteilung für das Chipwachstum ermöglicht. Darüber hinaus ermöglichen sein hoher Schmelzpunkt, seine Temperaturbeständigkeit, Oxidationsbeständigkeit und Korrosionsbeständigkeit einen stabilen Betrieb in Arbeitsumgebungen mit hohen Temperaturen und Korrosion.

Als entscheidende Komponente innerhalb der Reaktionskammer von MOCVD-Geräten muss der SiC-Epitaxie-Suszeptor Vorteile wie hohe Temperaturbeständigkeit, gleichmäßige Wärmeleitfähigkeit, gute chemische Stabilität und starke Beständigkeit gegen Thermoschocks aufweisen. Der Semicorex SiC Epitaxy Susceptor erfüllt alle diese Anforderungen.



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