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SiC-Beschichtung von Graphitsubstrat-Waferträgern für MOCVD

SiC-Beschichtung von Graphitsubstrat-Waferträgern für MOCVD

Sie können sicher sein, SiC-beschichtete Graphitsubstrat-Waferträger für MOCVD in unserem Werk zu kaufen. Bei Semicorex sind wir ein Großhersteller und Lieferant von SiC-beschichteten Graphitsuszeptoren in China. Unser Produkt hat einen guten Preisvorteil und deckt viele der europäischen und amerikanischen Märkte ab. Wir sind bestrebt, unseren Kunden qualitativ hochwertige Produkte anzubieten, die ihren spezifischen Anforderungen entsprechen. Unser SiC-beschichteter Graphitsubstrat-Waferträger für MOCVD ist eine ausgezeichnete Wahl für diejenigen, die nach einem Hochleistungsträger für ihren Halbleiterherstellungsprozess suchen.

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Produktbeschreibung

Der SiC Coating Graphite Substrate Wafer Carrier für MOCVD spielt eine entscheidende Rolle im Halbleiterherstellungsprozess. Unser Produkt ist auch in extremen Umgebungen sehr stabil, was es zu einer ausgezeichneten Wahl für die Herstellung hochwertiger Wafer macht.
Die Eigenschaften unserer SiC-beschichteten Graphitsubstrat-Waferträger für MOCVD sind herausragend. Seine dichte Oberfläche und die feinen Partikel verbessern seine Korrosionsbeständigkeit und machen es beständig gegen Säuren, Laugen, Salz und organische Reagenzien. Der Träger sorgt für ein gleichmäßiges thermisches Profil und garantiert das beste laminare Gasströmungsmuster, wodurch verhindert wird, dass Kontaminationen oder Verunreinigungen in den Wafer diffundieren.


Parameter von SiC-beschichteten Graphitsubstrat-Waferträgern für MOCVD

Hauptspezifikationen der CVD-SIC-Beschichtung

SiC-CVD-Eigenschaften

Kristallstruktur

FCC β-Phase

Dichte

g/cm³

3.21

Härte

Vickers-Härte

2500

Körnung

μm

2~10

Chemische Reinheit

%

99.99995

Wärmekapazität

J·kg –1 ·K –1

640

Sublimationstemperatur

2700

Biegefestigkeit

MPa (RT 4-Punkt)

415

Elastizitätsmodul

Gpa (4pt Bend, 1300â)

430

Wärmeausdehnung (CTE)

10-6K-1

4.5

Wärmeleitfähigkeit

(W/mK)

300


Merkmale des SiC-beschichteten Graphitsuszeptors für MOCVD

- Ablösen vermeiden und Beschichtung auf allen Oberflächen sicherstellen
Hochtemperatur-Oxidationsbeständigkeit: Stabil bei hohen Temperaturen bis zu 1600 °C
Hohe Reinheit: Hergestellt durch CVD-CVD unter Hochtemperatur-Chlorierungsbedingungen.
Korrosionsbeständigkeit: hohe Härte, dichte Oberfläche und feine Partikel.
Korrosionsbeständigkeit: Säure, Alkali, Salz und organische Reagenzien.
- Erzielen Sie das beste laminare Gasströmungsmuster
- Gewährleistung der Gleichmäßigkeit des thermischen Profils
- Verhindern Sie jegliche Kontamination oder Diffusion von Verunreinigungen




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