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SiC-beschichtete Graphitsubstrat-Waferträger für MOCVD

Sie können sicher sein, SiC-beschichtete Graphitsubstrat-Waferträger für MOCVD in unserem Werk zu kaufen. Bei Semicorex sind wir ein großer Hersteller und Lieferant von SiC-beschichteten Graphit-Suszeptoren in China. Unser Produkt hat einen guten Preisvorteil und deckt viele europäische und amerikanische Märkte ab. Wir sind bestrebt, unseren Kunden qualitativ hochwertige Produkte anzubieten, die ihren spezifischen Anforderungen entsprechen. Unser SiC-beschichteter Graphitsubstrat-Waferträger für MOCVD ist eine ausgezeichnete Wahl für diejenigen, die einen Hochleistungsträger für ihren Halbleiterherstellungsprozess suchen.

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Produktbeschreibung

Der SiC-beschichtete Graphitsubstrat-Waferträger für MOCVD spielt eine entscheidende Rolle im Halbleiterherstellungsprozess. Unser Produkt ist selbst in extremen Umgebungen äußerst stabil und eignet sich daher hervorragend für die Herstellung hochwertiger Wafer.
Die Eigenschaften unserer SiC-beschichteten Graphitsubstrat-Waferträger für MOCVD sind hervorragend. Seine dichte Oberfläche und die feinen Partikel erhöhen die Korrosionsbeständigkeit und machen es beständig gegen Säuren, Laugen, Salze und organische Reagenzien. Der Träger sorgt für ein gleichmäßiges thermisches Profil und garantiert das beste laminare Gasströmungsmuster, wodurch verhindert wird, dass Verunreinigungen oder Verunreinigungen in den Wafer diffundieren.

Parameter von SiC-beschichteten Graphitsubstrat-Waferträgern für MOCVD

Hauptspezifikationen der CVD-SIC-Beschichtung
SiC-CVD-Eigenschaften
Kristallstruktur	FCC-β-Phase
Dichte	g/cm³	3.21
Härte	Vickershärte	2500
Körnung	μm	2~10
Chemische Reinheit	%	99.99995
Wärmekapazität	J kg-1 K-1	640
Sublimationstemperatur	℃	2700
Biegekraft	MPa (RT 4-Punkt)	415
Elastizitätsmodul	Gpa (4-Punkt-Biegung, 1300 ℃)	430
Wärmeausdehnung (C.T.E)	10-6K-1	4.5
Wärmeleitfähigkeit	(W/mK)	300

Merkmale des SiC-beschichteten Graphitsuszeptors für MOCVD

- Vermeiden Sie ein Abblättern und stellen Sie sicher, dass die Beschichtung auf der gesamten Oberfläche vorhanden ist
Oxidationsbeständigkeit bei hohen Temperaturen: Stabil bei hohen Temperaturen bis 1600 °C
Hohe Reinheit: hergestellt durch CVD-chemische Gasphasenabscheidung unter Hochtemperatur-Chlorierungsbedingungen.
Korrosionsbeständigkeit: hohe Härte, dichte Oberfläche und feine Partikel.
Korrosionsbeständigkeit: Säure, Alkali, Salz und organische Reagenzien.
- Erzielen Sie das beste laminare Gasströmungsmuster
- Gewährleistung der Gleichmäßigkeit des thermischen Profils
- Verhindern Sie jegliche Kontamination oder Diffusion von Verunreinigungen

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