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SiC-beschichtete Plattenträger für MOCVD

SiC-beschichtete Plattenträger für MOCVD

SiC-beschichtete Semicorex-Plattenträger für MOCVD sind hochwertige Träger, die für den Einsatz im Halbleiterherstellungsprozess entwickelt wurden. Seine hohe Reinheit, ausgezeichnete Korrosionsbeständigkeit und sein gleichmäßiges thermisches Profil machen es zu einer ausgezeichneten Wahl für diejenigen, die einen Träger suchen, der den Anforderungen des Halbleiterherstellungsprozesses standhalten kann.

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Produktbeschreibung

Unsere SiC-beschichteten Plattenträger für MOCVD zeichnen sich durch eine hohe Reinheit aus, was sie zu einer ausgezeichneten Wahl für diejenigen macht, die nach einem Träger suchen, der in seinen Eigenschaften sehr gleichmäßig und konsistent ist.
Unsere SiC-beschichteten Plattenträger für MOCVD werden mit einer hochreinen Siliziumkarbidbeschichtung auf Graphit hergestellt, die sie bei hohen Temperaturen von bis zu 1600 °C sehr oxidationsbeständig macht. Das bei seiner Herstellung verwendete chemische CVD-Dampfabscheidungsverfahren gewährleistet eine hohe Reinheit und eine hervorragende Korrosionsbeständigkeit. Es ist sehr korrosionsbeständig, mit einer dichten Oberfläche und feinen Partikeln, wodurch es beständig gegen Säuren, Laugen, Salz und organische Reagenzien ist. Seine Hochtemperatur-Oxidationsbeständigkeit gewährleistet Stabilität bei hohen Temperaturen bis zu 1600 °C.


Parameter SiC-beschichteter Plattenträger für MOCVD

Hauptspezifikationen der CVD-SIC-Beschichtung

SiC-CVD-Eigenschaften

Kristallstruktur

FCC β-Phase

Dichte

g/cm³

3.21

Härte

Vickers-Härte

2500

Körnung

μm

2~10

Chemische Reinheit

%

99.99995

Wärmekapazität

J·kg –1 ·K –1

640

Sublimationstemperatur

2700

Biegefestigkeit

MPa (RT 4-Punkt)

415

Elastizitätsmodul

Gpa (4pt Biegung, 1300â)

430

Wärmeausdehnung (CTE)

10-6K-1

4.5

Wärmeleitfähigkeit

(W/mK)

300


Merkmale des SiC-beschichteten Graphitsuszeptors für MOCVD

- Ablösen vermeiden und Beschichtung auf allen Oberflächen sicherstellen
Hochtemperatur-Oxidationsbeständigkeit: Stabil bei hohen Temperaturen bis zu 1600 °C
Hohe Reinheit: Hergestellt durch CVD-CVD unter Hochtemperatur-Chlorierungsbedingungen.
Korrosionsbeständigkeit: hohe Härte, dichte Oberfläche und feine Partikel.
Korrosionsbeständigkeit: Säure, Alkali, Salz und organische Reagenzien.
- Erzielen Sie das beste laminare Gasströmungsmuster
- Gewährleistung der Gleichmäßigkeit des thermischen Profils
- Verhindern Sie jegliche Kontamination oder Diffusion von Verunreinigungen




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