SiC-beschichtete Graphitwafer-Suszeptoren

Semicorex SiC-beschichteter GraphitWafer-Suszeptorensind scheibenförmige Komponenten, die häufig in rotierenden MOCVD-Systemen zum Halten und Erhitzen von Wafern verwendet werden. Sie können eine gleichmäßige Gasverteilung und eine konsistente Wärmeverteilung in den Reaktionskammern ermöglichen und so eine optimale Prozessumgebung für hochwertiges und hocheffizientes epitaktisches Wachstum schaffen. Semicorex SiC-beschichtete Graphit-Wafer-Suszeptoren eignen sich für Anwendungen, die eine hervorragende Dünnschichtgleichmäßigkeit erfordern, wie z. B. GaN-Epitaxie auf Saphirsubstraten.

Eigenschaften von Semicorex SiC-beschichteten Graphit-Wafer-Suszeptoren

SiC-beschichtete Graphit-Wafer-Suszeptoren von Semicorex verwenden hochreinen Graphit als Basismaterial und tragen durch chemische Gasphasenabscheidung eine gleichmäßige und dichte Siliziumkarbidbeschichtung auf ihrer Basis auf. Durch den Einsatz hochwertiger Rohstoffe und fortschrittlicher Produktionstechnologie verfügen Semicorex SiC-beschichtete Graphit-Wafer-Suszeptoren über die folgenden herausragenden Eigenschaften.

1. Außergewöhnliche thermische Stabilität

MOCVD-Geräte arbeiten typischerweise bei Temperaturen über 1000℃, was strenge Anforderungen an die Hochtemperaturleistung der internen Komponenten stellt. Semicorex SiC-beschichtete Graphit-Wafer-Suszeptoren können diesen rauen Arbeitsbedingungen gut standhalten und auch bei langfristigem Hochtemperaturbetrieb stabil arbeiten. Semicorex SiC-beschichtete Graphit-Wafer-Suszeptoren sind frei von Abplatzungen oder Ablösungen der Beschichtung und können das Risiko der Freisetzung von Gas und Verunreinigungen aus der Graphitbasis weitgehend eliminieren.

2. Starke Korrosionsbeständigkeit

Semicorex SiC-beschichtete Graphit-Wafer-Suszeptoren zeichnen sich durch eine hervorragende Oxidations- und Korrosionsbeständigkeit bei komplexen Hochtemperatur- und starken Korrosionsbedingungen aus. IhreCVD-SiC-Beschichtungkönnen die Erosion ihrer Basis durch Prozessgase wie NH3 und H2 erheblich verhindern, die Freisetzung von Kohlenstoffverunreinigungen minimieren und dadurch die Reinheit epitaktischer Filme verbessern.

3. Hervorragende Wärmeleitfähigkeit

SiC-beschichtete Graphit-Wafer-Suszeptoren von Semicorex zeichnen sich durch eine zuverlässige Wärmemanagementfähigkeit während epitaktischer Wachstumsprozesse aus, da ihre Graphitbasen und CVD-SiC-Beschichtungen eine hervorragende Wärmeleitfähigkeit aufweisen. Sie können bei Dünnschichtabscheidungsprozessen eine gleichmäßige Wärmeverteilung über die Substratwafer hinweg gewährleisten, was zu hochwertigen Epitaxieschichten führt.