SiC-beschichtete Graphitbasis-Suszeptoren für MOCVD

Semicorex SiC-beschichtete Graphitbasis-Suszeptoren für MOCVD sind Träger höchster Qualität, die in der Halbleiterindustrie verwendet werden. Unser Produkt besteht aus hochwertigem Siliziumkarbid, das eine hervorragende Leistung und lange Haltbarkeit bietet. Dieser Träger ist ideal für den Einsatz beim Wachstum einer Epitaxieschicht auf dem Wafer-Chip.

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Produktbeschreibung

Unsere SiC-beschichteten Graphitbasis-Suszeptoren für MOCVD verfügen über eine hohe Hitze- und Korrosionsbeständigkeit, die auch in extremen Umgebungen für große Stabilität sorgt.
Die Eigenschaften dieser SiC-beschichteten Graphitbasis-Suszeptoren für MOCVD sind hervorragend. Es besteht aus einer hochreinen Siliziumkarbid-Beschichtung auf Graphit, die ihm eine hohe Oxidationsbeständigkeit bei hohen Temperaturen von bis zu 1600 °C verleiht. Das bei seiner Herstellung verwendete CVD-Verfahren zur chemischen Gasphasenabscheidung gewährleistet eine hohe Reinheit und ausgezeichnete Korrosionsbeständigkeit. Die Oberfläche des Trägers ist dicht und enthält feine Partikel, die seine Korrosionsbeständigkeit erhöhen und ihn beständig gegen Säuren, Laugen, Salze und organische Reagenzien machen.
Unsere SiC-beschichteten Graphitbasis-Suszeptoren für MOCVD sorgen für ein gleichmäßiges thermisches Profil und garantieren so das beste laminare Gasströmungsmuster. Es verhindert, dass Kontaminationen oder Verunreinigungen in den Wafer diffundieren und eignet sich daher ideal für den Einsatz in Reinraumumgebungen. Semicorex ist ein großer Hersteller und Lieferant von SiC-beschichteten Graphit-Suszeptoren in China, und unsere Produkte haben einen guten Preisvorteil. Wir freuen uns darauf, Ihr langfristiger Partner in der Halbleiterindustrie zu werden.

Parameter von SiC-beschichteten Graphitbasis-Suszeptoren für MOCVD

Hauptspezifikationen der CVD-SIC-Beschichtung
SiC-CVD-Eigenschaften
Kristallstruktur	FCC-β-Phase
Dichte	g/cm³	3.21
Härte	Vickershärte	2500
Körnung	μm	2~10
Chemische Reinheit	%	99.99995
Wärmekapazität	J kg-1 K-1	640
Sublimationstemperatur	℃	2700
Biegekraft	MPa (RT 4-Punkt)	415
Elastizitätsmodul	Gpa (4-Punkt-Biegung, 1300 ℃)	430
Wärmeausdehnung (C.T.E)	10-6K-1	4.5
Wärmeleitfähigkeit	(W/mK)	300

Merkmale des SiC-beschichteten Graphitsuszeptors für MOCVD

- Vermeiden Sie ein Abblättern und stellen Sie sicher, dass die Beschichtung auf der gesamten Oberfläche vorhanden ist
Oxidationsbeständigkeit bei hohen Temperaturen: Stabil bei hohen Temperaturen bis zu 1600 °C
Hohe Reinheit: hergestellt durch CVD-chemische Gasphasenabscheidung unter Hochtemperatur-Chlorierungsbedingungen.
Korrosionsbeständigkeit: hohe Härte, dichte Oberfläche und feine Partikel.
Korrosionsbeständigkeit: Säure, Alkali, Salz und organische Reagenzien.
- Erzielen Sie das beste laminare Gasströmungsmuster
- Gewährleistung der Gleichmäßigkeit des thermischen Profils
- Verhindern Sie jegliche Kontamination oder Diffusion von Verunreinigungen

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