SiC-beschichtete Suszeptoren auf Graphitbasis für MOCVD

SiC-beschichtete Semicorex-Suszeptoren auf Graphitbasis für MOCVD sind hochwertige Träger, die in der Halbleiterindustrie verwendet werden. Unser Produkt wurde mit hochwertigem Siliziumkarbid entwickelt, das eine hervorragende Leistung und lange Haltbarkeit bietet. Dieser Träger ist ideal zur Verwendung im Prozess des Aufwachsens einer Epitaxieschicht auf dem Waferchip.

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Produktbeschreibung

Unsere SiC-beschichteten Suszeptoren auf Graphitbasis für MOCVD haben eine hohe Hitze- und Korrosionsbeständigkeit, die selbst in extremen Umgebungen eine große Stabilität gewährleistet.
Die Eigenschaften dieser SiC-beschichteten Graphitbasis-Suszeptoren für MOCVD sind hervorragend. Es wird mit einer hochreinen Siliziumkarbidbeschichtung auf Graphit hergestellt, was es bei hohen Temperaturen von bis zu 1600 °C sehr widerstandsfähig gegen Oxidation macht. Das bei seiner Herstellung verwendete chemische CVD-Dampfabscheidungsverfahren gewährleistet eine hohe Reinheit und eine hervorragende Korrosionsbeständigkeit. Die Oberfläche des Trägers ist dicht, mit feinen Partikeln, die seine Korrosionsbeständigkeit verbessern und ihn widerstandsfähig gegen Säuren, Alkalien, Salze und organische Reagenzien machen.
Unsere SiC-beschichteten Suszeptoren auf Graphitbasis für MOCVD gewährleisten ein gleichmäßiges thermisches Profil und garantieren das beste laminare Gasströmungsmuster. Es verhindert, dass Kontaminationen oder Verunreinigungen in den Wafer diffundieren, wodurch es ideal für den Einsatz in Reinraumumgebungen ist. Semicorex ist ein großer Hersteller und Lieferant von SiC-beschichteten Graphitsuszeptoren in China, und unsere Produkte haben einen guten Preisvorteil. Wir freuen uns darauf, Ihr langfristiger Partner in der Halbleiterindustrie zu werden.

Parameter von SiC-beschichteten Suszeptoren auf Graphitbasis für MOCVD

Hauptspezifikationen der CVD-SIC-Beschichtung
SiC-CVD-Eigenschaften
Kristallstruktur	FCC β-Phase
Dichte	g/cm³	3.21
Härte	Vickers-Härte	2500
Körnung	Î¼m	2~10
Chemische Reinheit	%	99.99995
Wärmekapazität	J·kg –1 ·K –1	640
Sublimationstemperatur	℃	2700
Biegefestigkeit	MPa (RT 4-Punkt)	415
Elastizitätsmodul	Gpa (4pt Biegung, 1300â)	430
Wärmeausdehnung (CTE)	10-6K-1	4.5
Wärmeleitfähigkeit	(W/mK)	300

Merkmale des SiC-beschichteten Graphitsuszeptors für MOCVD

- Ablösen vermeiden und Beschichtung auf allen Oberflächen sicherstellen
Hochtemperatur-Oxidationsbeständigkeit: Stabil bei hohen Temperaturen bis zu 1600 °C
Hohe Reinheit: Hergestellt durch CVD-CVD unter Hochtemperatur-Chlorierungsbedingungen.
Korrosionsbeständigkeit: hohe Härte, dichte Oberfläche und feine Partikel.
Korrosionsbeständigkeit: Säure, Alkali, Salz und organische Reagenzien.
- Erzielen Sie das beste laminare Gasströmungsmuster
- Gewährleistung der Gleichmäßigkeit des thermischen Profils
- Verhindern Sie jegliche Kontamination oder Diffusion von Verunreinigungen

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