SiC-beschichtete Epitaxiescheibe

Semicorex SiC-beschichtete Epitaxiescheiben bieten eine Reihe beispielloser Vorteile in der Halbleiterindustrie, die wie folgt näher erläutert werden können:

Niedriger Wärmeausdehnungskoeffizient: Die SiC-beschichtete Epitaxiescheibe verfügt über einen besonders niedrigen Wärmeausdehnungskoeffizienten, der bei der Halbleiterverarbeitung von entscheidender Bedeutung ist, wo Dimensionsstabilität von entscheidender Bedeutung ist. Diese Eigenschaft stellt sicher, dass sich die SiC-beschichtete Epitaxiescheibe bei Temperaturschwankungen nur minimal ausdehnt oder zusammenzieht, wodurch die Integrität der Halbleiterstruktur während Hochtemperaturprozessen erhalten bleibt.

Oxidationsbeständigkeit bei hohen Temperaturen: Diese SiC-beschichtete Epitaxiescheibe verfügt über eine bemerkenswerte Oxidationsbeständigkeit und behält ihre strukturelle Integrität bei erhöhten Temperaturen. Dies macht sie zu einer idealen Komponente für Anwendungen in Hochtemperatur-Halbleiterprozessen, bei denen thermische Stabilität von entscheidender Bedeutung ist.

Dichte und feinporöse Oberfläche: Die Oberfläche der SiC-beschichteten Epitaxiescheibe zeichnet sich durch ihre Dichte und feine Porosität aus, die eine optimale Oberflächentextur zum Anhaften verschiedener Beschichtungen bietet und einen effektiven Materialabtrag während der Halbleiterwaferbearbeitung gewährleistet, ohne die empfindliche Oberfläche zu beschädigen.

Hohe Härte: Die Beschichtung verleiht der Graphitscheibe eine hohe Härte, die kratz- und verschleißfest ist, wodurch die Lebensdauer der SiC-beschichteten Epitaxiescheibe verlängert und die Häufigkeit des Austauschs in Halbleiterfertigungsumgebungen verringert wird.

Beständigkeit gegen Säuren, Basen, Salze und organische Reagenzien: Die CVD-SiC-Beschichtung der SiC-beschichteten Epitaxiescheibe bietet eine hervorragende Beständigkeit gegen eine Vielzahl korrosiver Stoffe, einschließlich Säuren, Basen, Salze und organische Reagenzien, und eignet sich daher für den Einsatz in Umgebungen, in denen Die Belastung durch Chemikalien stellt ein Problem dar und erhöht dadurch die Zuverlässigkeit und Langlebigkeit der Ausrüstung.

Beta-SiC-Oberflächenschicht: Die SIC-Oberflächenschicht (Siliziumkarbid) der SiC-beschichteten Epitaxiescheibe besteht aus Beta-SiC, das eine kubisch-flächenzentrierte (FCC) Kristallstruktur aufweist. Diese Kristallstruktur trägt zu den außergewöhnlichen mechanischen und thermischen Eigenschaften der Beschichtung bei und verleiht der Scheibe eine hervorragende Festigkeit und Wärmeleitfähigkeit, was für Halbleiterverarbeitungsgeräte unerlässlich ist.