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SiC-Suszeptor für MOCVD

Semicorex ist ein führender Hersteller und Lieferant von SiC-Suszeptoren für MOCVD. Unser Produkt ist speziell auf die Bedürfnisse der Halbleiterindustrie beim Wachstum der Epitaxieschicht auf dem Wafer-Chip zugeschnitten. Das Produkt wird als Mittelplatte bei MOCVD verwendet, mit zahnrad- oder ringförmiger Gestaltung. Es weist eine hohe Hitze- und Korrosionsbeständigkeit auf und eignet sich daher ideal für den Einsatz in extremen Umgebungen.

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MOCVD-Abdeckstern-Scheibenplatte für die Wafer-Epitaxie

Semicorex ist ein renommierter Hersteller und Lieferant hochwertiger MOCVD-Cover-Stern-Scheibenplatten für die Wafer-Epitaxie. Unser Produkt ist speziell auf die Bedürfnisse der Halbleiterindustrie zugeschnitten, insbesondere beim Wachstum der Epitaxieschicht auf dem Wafer-Chip. Unser Suszeptor wird als Mittelplatte bei MOCVD verwendet und ist zahnrad- oder ringförmig gestaltet. Das Produkt weist eine hohe Hitze- und Korrosionsbeständigkeit auf und eignet sich daher ideal für den Einsatz in extremen Umgebungen.

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RTP-SiC-Beschichtungsträger

Der Semicorex RTP SiC-Beschichtungsträger bietet eine hervorragende Hitzebeständigkeit und thermische Gleichmäßigkeit und ist damit die perfekte Lösung für Anwendungen bei der Verarbeitung von Halbleiterwafern. Mit seinem hochwertigen SiC-beschichteten Graphit ist dieses Produkt so konzipiert, dass es den härtesten Abscheidungsumgebungen für epitaktisches Wachstum standhält. Die hohe Wärmeleitfähigkeit und die hervorragenden Wärmeverteilungseigenschaften gewährleisten eine zuverlässige Leistung bei RTA, RTP oder aggressiver chemischer Reinigung.

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RTP/RTA SiC-Beschichtungsträger

Der Semicorex RTP/RTA SiC-Beschichtungsträger ist so konstruiert, dass er den härtesten Bedingungen der Abscheidungsumgebung standhält. Mit seiner hohen Hitze- und Korrosionsbeständigkeit ist dieses Produkt darauf ausgelegt, eine optimale Leistung für das epitaktische Wachstum zu bieten. Der mit SiC beschichtete Träger verfügt über eine hohe Wärmeleitfähigkeit und hervorragende Wärmeverteilungseigenschaften und gewährleistet so eine zuverlässige Leistung bei RTA, RTP oder aggressiver chemischer Reinigung.

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SiC-Graphit-RTP-Trägerplatte für MOCVD

Die SiC-Graphit-RTP-Trägerplatte von Semicorex für MOCVD bietet eine hervorragende Hitzebeständigkeit und thermische Gleichmäßigkeit und ist damit die perfekte Lösung für Halbleiter-Wafer-Verarbeitungsanwendungen. Mit einem hochwertigen SiC-beschichteten Graphit ist dieses Produkt so konstruiert, dass es den härtesten Abscheidungsumgebungen für epitaktisches Wachstum standhält. Die hohe Wärmeleitfähigkeit und die hervorragenden Wärmeverteilungseigenschaften gewährleisten eine zuverlässige Leistung bei RTA, RTP oder aggressiver chemischer Reinigung.

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SiC-beschichtete RTP-Trägerplatte für epitaktisches Wachstum

Die SiC-beschichtete RTP-Trägerplatte von Semicorex für epitaktisches Wachstum ist die perfekte Lösung für Anwendungen zur Halbleiterwaferverarbeitung. Mit seinen hochwertigen Kohlenstoff-Graphit-Suszeptoren und Quarztiegeln, die durch MOCVD auf der Oberfläche von Graphit, Keramik usw. verarbeitet werden, ist dieses Produkt ideal für die Wafer-Handhabung und epitaktische Wachstumsverarbeitung. Der mit SiC beschichtete Träger gewährleistet eine hohe Wärmeleitfähigkeit und hervorragende Wärmeverteilungseigenschaften und ist somit eine zuverlässige Wahl für RTA-, RTP- oder aggressive chemische Reinigung.

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