ALD-Planetensuszeptor

Anwendungen:

High-k-Dielektrikumsabscheidung: Der ALD Planetary Susceptor zeigt eine hervorragende Beständigkeit gegenüber aggressiven Vorläufern, die bei der Abscheidung von dielektrischen High-k-Materialien wie Hafniumoxid (HfO2) und Aluminiumoxid (Al2O3) verwendet werden. Dadurch eignet sich der ALD Planetary Susceptor für die Herstellung von Hochleistungstransistoren für Logik- und Speicheranwendungen.

Metallisierungsschichten: Die Hochtemperaturstabilität des ALD Planetary Susceptor ermöglicht die Abscheidung von Metallisierungsschichten bei erhöhten Temperaturen, was zu verbesserten Filmeigenschaften wie einem geringeren spezifischen Widerstand und einer höheren Dichte führt. Dies ist entscheidend für die Schaffung effizienter Verbindungen in fortschrittlichen Halbleiterbauelementen.

Herstellung optoelektronischer Geräte:Die inerte Natur des ALD Planetary Susceptor minimiert unerwünschte Reaktionen mit Vorläufern, die bei der Abscheidung empfindlicher Materialien wie III-V-Halbleiter verwendet werden, wodurch sich der ALD Planetary Susceptor perfekt für die Herstellung von LEDs, Lasern und anderen optoelektronischen Komponenten eignet.

ALD-Zyklus

Atomlagenabscheidung (ALD)bietet mehrere entscheidende Vorteile gegenüber anderen Dünnschicht-Abscheidungstechniken, weshalb es für verschiedene Anwendungen, insbesondere in der Mikroelektronik und Nanotechnologie, immer beliebter wird.

Hier sind einige der wichtigsten Vorteile von ALD:

1. Dickenkontrolle auf Angström-Ebene:

ALD ermöglicht eine präzise Steuerung der Filmdicke bis in den Angström-Bereich (0,1 Nanometer). Dieses Maß an Präzision wird durch selbstlimitierende Oberflächenreaktionen erreicht, bei denen bei jedem Zyklus eine einzelne Atomschicht abgeschieden wird.

2. Ausgezeichnete Gleichmäßigkeit und Konformität:

ALD weist eine außergewöhnliche Gleichmäßigkeit über große Oberflächenbereiche und komplexe 3D-Strukturen auf, einschließlich Merkmalen mit hohem Aspektverhältnis wie Gräben und Durchkontaktierungen. Dies ist von entscheidender Bedeutung für Anwendungen, die gleichmäßige Beschichtungen auf komplizierten Geometrien erfordern, beispielsweise in Halbleiterbauelementen.

3. Niedrige Abscheidungstemperatur:

ALD kann im Vergleich zu anderen Abscheidungstechniken bei relativ niedrigen Temperaturen (oft unter 300 °C) durchgeführt werden. Dies ist für wärmeempfindliche Substrate von Vorteil und ermöglicht den Einsatz einer breiteren Materialpalette.

4. Hochwertige Filme:

ALD produziert typischerweise Filme mit ausgezeichneter Dichte, geringem Verunreinigungsgrad und hoher Gleichmäßigkeit in Zusammensetzung und Dicke. Diese Eigenschaften sind für die Erzielung einer optimalen Leistung in verschiedenen Anwendungen unerlässlich.

5. Große Materialauswahl:

ALD bietet eine große Auswahl an Materialien, die abgeschieden werden können, darunter Oxide, Nitride, Metalle und Sulfide. Diese Vielseitigkeit macht es für ein breites Anwendungsspektrum geeignet.

6. Skalierbarkeit und industrielle Anwendbarkeit:

Die ALD-Technologie ist hoch skalierbar und lässt sich problemlos in bestehende Fertigungsprozesse integrieren. Es ist mit verschiedenen Substratgrößen und -formen kompatibel und eignet sich daher für die Massenproduktion.