RTP/RTA SiC-Beschichtungsträger

Der SiC-Beschichtungsträger Semicorex RTP/RTA wurde entwickelt, um den härtesten Bedingungen der Abscheidungsumgebung standzuhalten. Mit seiner hohen Hitze- und Korrosionsbeständigkeit wurde dieses Produkt entwickelt, um eine optimale Leistung für epitaktisches Wachstum zu bieten. Der SiC-beschichtete Träger hat eine hohe Wärmeleitfähigkeit und hervorragende Wärmeverteilungseigenschaften, was eine zuverlässige Leistung für RTA, RTP oder aggressive chemische Reinigung gewährleistet.

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Produktbeschreibung

Unser RTP/RTA-SiC-Beschichtungsträger für MOCVD-Epitaxiewachstum ist die perfekte Lösung für die Waferhandhabung und die Epitaxiewachstumsverarbeitung. Mit einer glatten Oberfläche und einer hohen Beständigkeit gegen chemische Reinigung bietet dieses Produkt eine zuverlässige Leistung in rauen Abscheidungsumgebungen.
Das Material unseres RTP/RTA-SiC-Beschichtungsträgers wurde entwickelt, um Risse und Delaminierung zu verhindern, während die überlegene Hitzebeständigkeit und thermische Gleichmäßigkeit eine konstante Leistung für RTA, RTP oder aggressive chemische Reinigung gewährleisten.
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Parameter des RTP/RTA-SiC-Beschichtungsträgers

Hauptspezifikationen der CVD-SIC-Beschichtung
SiC-CVD-Eigenschaften
Kristallstruktur	FCC β-Phase
Dichte	g/cm³	3.21
Härte	Vickers-Härte	2500
Körnung	Î¼m	2~10
Chemische Reinheit	%	99.99995
Wärmekapazität	J·kg –1 ·K –1	640
Sublimationstemperatur	℃	2700
Biegefestigkeit	MPa (RT 4-Punkt)	415
Elastizitätsmodul	Gpa (4pt Biegung, 1300â)	430
Wärmeausdehnung (CTE)	10-6K-1	4.5
Wärmeleitfähigkeit	(W/mK)	300

Merkmale des RTP/RTA-SiC-Beschichtungsträgers

Hochreiner SiC-beschichteter Graphit
Hervorragende Hitzebeständigkeit und thermische Gleichmäßigkeit
Feine SiC-Kristallbeschichtung für eine glatte Oberfläche
Hohe Beständigkeit gegen chemische Reinigung
Das Material ist so konzipiert, dass keine Risse und Delaminationen auftreten.