RTP/RTA SiC-Beschichtungsträger

Der Semicorex RTP/RTA SiC-Beschichtungsträger ist so konstruiert, dass er den härtesten Bedingungen der Abscheidungsumgebung standhält. Mit seiner hohen Hitze- und Korrosionsbeständigkeit ist dieses Produkt darauf ausgelegt, eine optimale Leistung für das epitaktische Wachstum zu bieten. Der mit SiC beschichtete Träger verfügt über eine hohe Wärmeleitfähigkeit und hervorragende Wärmeverteilungseigenschaften und gewährleistet so eine zuverlässige Leistung bei RTA, RTP oder aggressiver chemischer Reinigung.

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Produktbeschreibung

Unser RTP/RTA-SiC-Beschichtungsträger für MOCVD-Epitaxiewachstum ist die perfekte Lösung für die Waferhandhabung und Epitaxiewachstumsverarbeitung. Mit einer glatten Oberfläche und hoher Beständigkeit gegen chemische Reinigung bietet dieses Produkt zuverlässige Leistung in rauen Umgebungen mit Ablagerungen.
Das Material unseres RTP/RTA-SiC-Beschichtungsträgers wurde entwickelt, um Risse und Delaminierung zu verhindern, während die überlegene Hitzebeständigkeit und thermische Gleichmäßigkeit eine gleichbleibende Leistung bei RTA, RTP oder aggressiver chemischer Reinigung gewährleisten.
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Parameter des RTP/RTA SiC-Beschichtungsträgers

Hauptspezifikationen der CVD-SIC-Beschichtung
SiC-CVD-Eigenschaften
Kristallstruktur	FCC-β-Phase
Dichte	g/cm³	3.21
Härte	Vickershärte	2500
Körnung	μm	2~10
Chemische Reinheit	%	99.99995
Wärmekapazität	J kg-1 K-1	640
Sublimationstemperatur	℃	2700
Biegekraft	MPa (RT 4-Punkt)	415
Elastizitätsmodul	Gpa (4-Punkt-Biegung, 1300 ℃)	430
Wärmeausdehnung (C.T.E)	10-6K-1	4.5
Wärmeleitfähigkeit	(W/mK)	300

Merkmale des RTP/RTA SiC-Beschichtungsträgers

Hochreiner SiC-beschichteter Graphit
Überragende Hitzebeständigkeit und thermische Gleichmäßigkeit
Feine SiC-Kristallbeschichtung für eine glatte Oberfläche
Hohe Beständigkeit gegen chemische Reinigung
Das Material ist so konzipiert, dass es nicht zu Rissen und Delaminationen kommt.