> Produkte > Siliziumkarbidbeschichtet > RTP-Träger > SiC-beschichtete RTP-Trägerplatte für epitaktisches Wachstum

Produkte

Neue Produkte

SiC-beschichtete RTP-Trägerplatte für epitaktisches Wachstum

Die SiC-beschichtete RTP-Trägerplatte von Semicorex für epitaktisches Wachstum ist die perfekte Lösung für Anwendungen zur Halbleiterwaferverarbeitung. Mit seinen hochwertigen Kohlenstoff-Graphit-Suszeptoren und Quarztiegeln, die durch MOCVD auf der Oberfläche von Graphit, Keramik usw. verarbeitet werden, ist dieses Produkt ideal für die Wafer-Handhabung und epitaktische Wachstumsverarbeitung. Der mit SiC beschichtete Träger gewährleistet eine hohe Wärmeleitfähigkeit und hervorragende Wärmeverteilungseigenschaften und ist somit eine zuverlässige Wahl für RTA-, RTP- oder aggressive chemische Reinigung.

Anfrage absenden

Produktbeschreibung

Unsere SiC-beschichtete RTP-Trägerplatte für epitaktisches Wachstum ist so konzipiert, dass sie den härtesten Bedingungen der Abscheidungsumgebung standhält. Aufgrund ihrer hohen Hitze- und Korrosionsbeständigkeit sind die Epitaxie-Suszeptoren der perfekten Abscheidungsumgebung für epitaktisches Wachstum ausgesetzt. Die feine SiC-Kristallbeschichtung auf dem Träger sorgt für eine glatte Oberfläche und hohe Beständigkeit gegen chemische Reinigung, während das Material so konstruiert ist, dass Risse und Delaminierung verhindert werden.
Kontaktieren Sie uns noch heute, um mehr über unsere SiC-beschichtete RTP-Trägerplatte für epitaktisches Wachstum zu erfahren.

Parameter einer SiC-beschichteten RTP-Trägerplatte für epitaktisches Wachstum

Hauptspezifikationen der CVD-SIC-Beschichtung
SiC-CVD-Eigenschaften
Kristallstruktur	FCC-β-Phase
Dichte	g/cm³	3.21
Härte	Vickershärte	2500
Körnung	μm	2~10
Chemische Reinheit	%	99.99995
Wärmekapazität	J kg-1 K-1	640
Sublimationstemperatur	℃	2700
Biegekraft	MPa (RT 4-Punkt)	415
Elastizitätsmodul	Gpa (4-Punkt-Biegung, 1300 ℃)	430
Wärmeausdehnung (C.T.E)	10-6K-1	4.5
Wärmeleitfähigkeit	(W/mK)	300

Merkmale der SiC-beschichteten RTP-Trägerplatte für epitaktisches Wachstum

Hochreiner SiC-beschichteter Graphit
Überragende Hitzebeständigkeit und thermische Gleichmäßigkeit
Feine SiC-Kristallbeschichtung für eine glatte Oberfläche
Hohe Beständigkeit gegen chemische Reinigung
Das Material ist so konzipiert, dass es nicht zu Rissen und Delaminationen kommt.

Hot-Tags: SiC-beschichtete RTP-Trägerplatte für epitaktisches Wachstum, China, Hersteller, Lieferanten, Fabrik, kundenspezifisch, Bulk, fortschrittlich, langlebig