Semicorex SiC-beschichtete RTP-Trägerplatte für epitaxiales Wachstum ist die perfekte Lösung für Halbleiterwafer-Verarbeitungsanwendungen. Mit seinen hochwertigen Kohlenstoff-Graphit-Suszeptoren und Quarztiegeln, die durch MOCVD auf der Oberfläche von Graphit, Keramik usw. verarbeitet werden, ist dieses Produkt ideal für die Wafer-Handhabung und die epitaxiale Wachstumsverarbeitung. Der SiC-beschichtete Träger gewährleistet eine hohe Wärmeleitfähigkeit und hervorragende Wärmeverteilungseigenschaften, was ihn zu einer zuverlässigen Wahl für RTA-, RTP- oder aggressive chemische Reinigung macht.
Unsere SiC-beschichtete RTP-Trägerplatte für epitaktisches Wachstum wurde entwickelt, um den härtesten Bedingungen der Abscheidungsumgebung standzuhalten. Mit ihrer hohen Hitze- und Korrosionsbeständigkeit sind die Epitaxie-Suszeptoren der perfekten Abscheidungsumgebung für epitaktisches Wachstum ausgesetzt. Die feine SiC-Kristallbeschichtung auf dem Träger sorgt für eine glatte Oberfläche und eine hohe Beständigkeit gegen chemische Reinigung, während das Material so konstruiert ist, dass es Risse und Delamination verhindert.
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Parameter einer SiC-beschichteten RTP-Trägerplatte für epitaktisches Wachstum
Hauptspezifikationen der CVD-SIC-Beschichtung |
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SiC-CVD-Eigenschaften |
||
Kristallstruktur |
FCC β-Phase |
|
Dichte |
g/cm³ |
3.21 |
Härte |
Vickers-Härte |
2500 |
Körnung |
μm |
2~10 |
Chemische Reinheit |
% |
99.99995 |
Wärmekapazität |
J·kg –1 ·K –1 |
640 |
Sublimationstemperatur |
℃ |
2700 |
Biegefestigkeit |
MPa (RT 4-Punkt) |
415 |
Elastizitätsmodul |
Gpa (4pt Biegung, 1300â) |
430 |
Wärmeausdehnung (CTE) |
10-6K-1 |
4.5 |
Wärmeleitfähigkeit |
(W/mK) |
300 |
Merkmale der SiC-beschichteten RTP-Trägerplatte für epitaktisches Wachstum
Hochreiner SiC-beschichteter Graphit
Hervorragende Hitzebeständigkeit und thermische Gleichmäßigkeit
Feine SiC-Kristallbeschichtung für eine glatte Oberfläche
Hohe Beständigkeit gegen chemische Reinigung
Das Material ist so konzipiert, dass keine Risse und Delaminationen auftreten.