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SiC-beschichtete RTP-Trägerplatte für epitaktisches Wachstum

SiC-beschichtete RTP-Trägerplatte für epitaktisches Wachstum

Semicorex SiC-beschichtete RTP-Trägerplatte für epitaxiales Wachstum ist die perfekte Lösung für Halbleiterwafer-Verarbeitungsanwendungen. Mit seinen hochwertigen Kohlenstoff-Graphit-Suszeptoren und Quarztiegeln, die durch MOCVD auf der Oberfläche von Graphit, Keramik usw. verarbeitet werden, ist dieses Produkt ideal für die Wafer-Handhabung und die epitaxiale Wachstumsverarbeitung. Der SiC-beschichtete Träger gewährleistet eine hohe Wärmeleitfähigkeit und hervorragende Wärmeverteilungseigenschaften, was ihn zu einer zuverlässigen Wahl für RTA-, RTP- oder aggressive chemische Reinigung macht.

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Produktbeschreibung

Unsere SiC-beschichtete RTP-Trägerplatte für epitaktisches Wachstum wurde entwickelt, um den härtesten Bedingungen der Abscheidungsumgebung standzuhalten. Mit ihrer hohen Hitze- und Korrosionsbeständigkeit sind die Epitaxie-Suszeptoren der perfekten Abscheidungsumgebung für epitaktisches Wachstum ausgesetzt. Die feine SiC-Kristallbeschichtung auf dem Träger sorgt für eine glatte Oberfläche und eine hohe Beständigkeit gegen chemische Reinigung, während das Material so konstruiert ist, dass es Risse und Delamination verhindert.
Kontaktieren Sie uns noch heute, um mehr über unsere SiC-beschichtete RTP-Trägerplatte für epitaktisches Wachstum zu erfahren.


Parameter einer SiC-beschichteten RTP-Trägerplatte für epitaktisches Wachstum

Hauptspezifikationen der CVD-SIC-Beschichtung

SiC-CVD-Eigenschaften

Kristallstruktur

FCC β-Phase

Dichte

g/cm³

3.21

Härte

Vickers-Härte

2500

Körnung

μm

2~10

Chemische Reinheit

%

99.99995

Wärmekapazität

J·kg –1 ·K –1

640

Sublimationstemperatur

2700

Biegefestigkeit

MPa (RT 4-Punkt)

415

Elastizitätsmodul

Gpa (4pt Biegung, 1300â)

430

Wärmeausdehnung (CTE)

10-6K-1

4.5

Wärmeleitfähigkeit

(W/mK)

300


Merkmale der SiC-beschichteten RTP-Trägerplatte für epitaktisches Wachstum

Hochreiner SiC-beschichteter Graphit
Hervorragende Hitzebeständigkeit und thermische Gleichmäßigkeit
Feine SiC-Kristallbeschichtung für eine glatte Oberfläche
Hohe Beständigkeit gegen chemische Reinigung
Das Material ist so konzipiert, dass keine Risse und Delaminationen auftreten.





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