Die Semicorex-SiC-Graphit-RTP-Trägerplatte für MOCVD bietet eine hervorragende Hitzebeständigkeit und thermische Gleichmäßigkeit und ist damit die perfekte Lösung für Halbleiterwafer-Verarbeitungsanwendungen. Mit einem hochwertigen SiC-beschichteten Graphit ist dieses Produkt so konstruiert, dass es den rauesten Abscheidungsumgebungen für epitaktisches Wachstum standhält. Die hohe Wärmeleitfähigkeit und die hervorragenden Wärmeverteilungseigenschaften gewährleisten eine zuverlässige Leistung für RTA-, RTP- oder aggressive chemische Reinigung.
Unsere SiC-Graphit-RTP-Trägerplatte für MOCVD für MOCVD-Epitaxiewachstum ist die perfekte Lösung für die Waferhandhabung und die Epitaxiewachstumsverarbeitung. Mit einer glatten Oberfläche und einer hohen Beständigkeit gegen chemische Reinigung gewährleistet dieses Produkt eine zuverlässige Leistung in rauen Abscheidungsumgebungen.
Das Material unserer SiC-Graphit-RTP-Trägerplatte für MOCVD wurde entwickelt, um Risse und Delaminierung zu verhindern, während die überlegene Hitzebeständigkeit und thermische Gleichmäßigkeit eine konstante Leistung für RTA, RTP oder aggressive chemische Reinigung gewährleisten.
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Parameter der SiC-Graphit-RTP-Trägerplatte für MOCVD
Hauptspezifikationen der CVD-SIC-Beschichtung |
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SiC-CVD-Eigenschaften |
||
Kristallstruktur |
FCC β-Phase |
|
Dichte |
g/cm³ |
3.21 |
Härte |
Vickers-Härte |
2500 |
Körnung |
μm |
2~10 |
Chemische Reinheit |
% |
99.99995 |
Wärmekapazität |
J·kg –1 ·K –1 |
640 |
Sublimationstemperatur |
℃ |
2700 |
Biegefestigkeit |
MPa (RT 4-Punkt) |
415 |
Elastizitätsmodul |
Gpa (4pt Biegung, 1300â) |
430 |
Wärmeausdehnung (CTE) |
10-6K-1 |
4.5 |
Wärmeleitfähigkeit |
(W/mK) |
300 |
Merkmale der SiC-Graphit-RTP-Trägerplatte für MOCVD
Hochreiner SiC-beschichteter Graphit
Hervorragende Hitzebeständigkeit und thermische Gleichmäßigkeit
Feine SiC-Kristallbeschichtung für eine glatte Oberfläche
Hohe Beständigkeit gegen chemische Reinigung
Das Material ist so konzipiert, dass keine Risse und Delaminationen auftreten.