Die SiC-Graphit-RTP-Trägerplatte von Semicorex für MOCVD bietet eine hervorragende Hitzebeständigkeit und thermische Gleichmäßigkeit und ist damit die perfekte Lösung für Halbleiter-Wafer-Verarbeitungsanwendungen. Mit einem hochwertigen SiC-beschichteten Graphit ist dieses Produkt so konstruiert, dass es den härtesten Abscheidungsumgebungen für epitaktisches Wachstum standhält. Die hohe Wärmeleitfähigkeit und die hervorragenden Wärmeverteilungseigenschaften gewährleisten eine zuverlässige Leistung bei RTA, RTP oder aggressiver chemischer Reinigung.
Unsere SiC-Graphit-RTP-Trägerplatte für MOCVD für das epitaktische MOCVD-Wachstum ist die perfekte Lösung für die Handhabung von Wafern und die epitaktische Wachstumsverarbeitung. Mit einer glatten Oberfläche und hoher Beständigkeit gegenüber chemischer Reinigung gewährleistet dieses Produkt eine zuverlässige Leistung in rauen Umgebungen mit Ablagerungen.
Das Material unserer SiC-Graphit-RTP-Trägerplatte für MOCVD wurde entwickelt, um Risse und Delaminierung zu verhindern, während die überlegene Hitzebeständigkeit und thermische Gleichmäßigkeit eine gleichbleibende Leistung bei RTA, RTP oder aggressiver chemischer Reinigung gewährleisten.
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Parameter der SiC-Graphit-RTP-Trägerplatte für MOCVD
Hauptspezifikationen der CVD-SIC-Beschichtung |
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SiC-CVD-Eigenschaften |
||
Kristallstruktur |
FCC-β-Phase |
|
Dichte |
g/cm³ |
3.21 |
Härte |
Vickershärte |
2500 |
Körnung |
μm |
2~10 |
Chemische Reinheit |
% |
99.99995 |
Wärmekapazität |
J kg-1 K-1 |
640 |
Sublimationstemperatur |
℃ |
2700 |
Biegekraft |
MPa (RT 4-Punkt) |
415 |
Elastizitätsmodul |
Gpa (4-Punkt-Biegung, 1300 ℃) |
430 |
Wärmeausdehnung (C.T.E) |
10-6K-1 |
4.5 |
Wärmeleitfähigkeit |
(W/mK) |
300 |
Merkmale der SiC-Graphit-RTP-Trägerplatte für MOCVD
Hochreiner SiC-beschichteter Graphit
Überragende Hitzebeständigkeit und thermische Gleichmäßigkeit
Feine SiC-Kristallbeschichtung für eine glatte Oberfläche
Hohe Beständigkeit gegen chemische Reinigung
Das Material ist so konzipiert, dass es nicht zu Rissen und Delaminationen kommt.