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SiC-Graphit-RTP-Trägerplatte für MOCVD

Die SiC-Graphit-RTP-Trägerplatte von Semicorex für MOCVD bietet eine hervorragende Hitzebeständigkeit und thermische Gleichmäßigkeit und ist damit die perfekte Lösung für Halbleiter-Wafer-Verarbeitungsanwendungen. Mit einem hochwertigen SiC-beschichteten Graphit ist dieses Produkt so konstruiert, dass es den härtesten Abscheidungsumgebungen für epitaktisches Wachstum standhält. Die hohe Wärmeleitfähigkeit und die hervorragenden Wärmeverteilungseigenschaften gewährleisten eine zuverlässige Leistung bei RTA, RTP oder aggressiver chemischer Reinigung.

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SiC-beschichtete RTP-Trägerplatte für epitaktisches Wachstum

Die SiC-beschichtete RTP-Trägerplatte von Semicorex für epitaktisches Wachstum ist die perfekte Lösung für Anwendungen zur Halbleiterwaferverarbeitung. Mit seinen hochwertigen Kohlenstoff-Graphit-Suszeptoren und Quarztiegeln, die durch MOCVD auf der Oberfläche von Graphit, Keramik usw. verarbeitet werden, ist dieses Produkt ideal für die Wafer-Handhabung und epitaktische Wachstumsverarbeitung. Der mit SiC beschichtete Träger gewährleistet eine hohe Wärmeleitfähigkeit und hervorragende Wärmeverteilungseigenschaften und ist somit eine zuverlässige Wahl für RTA-, RTP- oder aggressive chemische Reinigung.

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RTP RTA SiC-beschichteter Träger

Semicorex ist ein großer Hersteller und Lieferant von mit Siliziumkarbid beschichteten Graphitsuszeptoren in China. Semicorex-Graphitsuszeptor, der speziell für Epitaxiegeräte mit hoher Hitze- und Korrosionsbeständigkeit in China entwickelt wurde. Unser RTP RTA SiC-beschichteter Träger hat einen guten Preisvorteil und deckt viele europäische und amerikanische Märkte ab. Wir freuen uns darauf, Ihr langfristiger Partner zu werden.

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RTP-Träger für MOCVD-Epitaxiewachstum

Der Semicorex RTP-Träger für MOCVD-Epitaxiewachstum ist ideal für Halbleiter-Wafer-Verarbeitungsanwendungen, einschließlich Epitaxiewachstum und Wafer-Handling-Verarbeitung. Kohlenstoffgraphitsuszeptoren und Quarztiegel werden durch MOCVD auf der Oberfläche von Graphit, Keramik usw. verarbeitet. Unsere Produkte haben einen guten Preisvorteil und decken viele europäische und amerikanische Märkte ab. Wir freuen uns darauf, Ihr langfristiger Partner in China zu werden.

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SiC-beschichtete ICP-Komponente

Die SiC-beschichtete ICP-Komponente von Semicorex wurde speziell für Hochtemperatur-Wafer-Handhabungsprozesse wie Epitaxie und MOCVD entwickelt. Mit einer feinen SiC-Kristallbeschichtung bieten unsere Träger eine hervorragende Hitzebeständigkeit, gleichmäßige thermische Gleichmäßigkeit und dauerhafte chemische Beständigkeit.

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Hochtemperatur-SiC-Beschichtung für Plasmaätzkammern

Wenn es um Wafer-Handhabungsprozesse wie Epitaxie und MOCVD geht, ist die Hochtemperatur-SiC-Beschichtung für Plasmaätzkammern von Semicorex die erste Wahl. Unsere Träger bieten dank unserer feinen SiC-Kristallbeschichtung eine hervorragende Hitzebeständigkeit, gleichmäßige thermische Gleichmäßigkeit und dauerhafte chemische Beständigkeit.

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Möchten Sie fortschrittliche und langlebige susceptor kaufen? Semicorex ist definitiv Ihre gute Wahl. Wir sind als einer der wettbewerbsfähigsten susceptor Hersteller und Lieferanten in China bekannt. Wir bieten auch Sammelverpackungen an. Möglicherweise benötigen Sie einige kundenspezifische Dienstleistungen, um die tatsächlichen Bedürfnisse Ihrer Region zu erfüllen. Sie können uns über die Kontaktinformationen auf der Webseite eine Nachricht hinterlassen. Wir heißen neue und alte Kunden herzlich willkommen, unsere Fabrik zur Beratung und Verhandlung zu besuchen.