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SiC-beschichtete RTP-Trägerplatte für epitaktisches Wachstum

SiC-beschichtete RTP-Trägerplatte für epitaktisches Wachstum

Die SiC-beschichtete RTP-Trägerplatte von Semicorex für epitaktisches Wachstum ist die perfekte Lösung für Anwendungen zur Halbleiterwaferverarbeitung. Mit seinen hochwertigen Kohlenstoff-Graphit-Suszeptoren und Quarztiegeln, die durch MOCVD auf der Oberfläche von Graphit, Keramik usw. verarbeitet werden, ist dieses Produkt ideal für die Wafer-Handhabung und epitaktische Wachstumsverarbeitung. Der mit SiC beschichtete Träger gewährleistet eine hohe Wärmeleitfähigkeit und hervorragende Wärmeverteilungseigenschaften und ist somit eine zuverlässige Wahl für RTA-, RTP- oder aggressive chemische Reinigung.

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RTP RTA SiC-beschichteter Träger

RTP RTA SiC-beschichteter Träger

Semicorex ist ein großer Hersteller und Lieferant von mit Siliziumkarbid beschichteten Graphitsuszeptoren in China. Semicorex-Graphitsuszeptor, der speziell für Epitaxiegeräte mit hoher Hitze- und Korrosionsbeständigkeit in China entwickelt wurde. Unser RTP RTA SiC-beschichteter Träger hat einen guten Preisvorteil und deckt viele europäische und amerikanische Märkte ab. Wir freuen uns darauf, Ihr langfristiger Partner zu werden.

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RTP-Träger für MOCVD-Epitaxiewachstum

RTP-Träger für MOCVD-Epitaxiewachstum

Der Semicorex RTP-Träger für MOCVD-Epitaxiewachstum ist ideal für Halbleiter-Wafer-Verarbeitungsanwendungen, einschließlich Epitaxiewachstum und Wafer-Handling-Verarbeitung. Kohlenstoffgraphitsuszeptoren und Quarztiegel werden durch MOCVD auf der Oberfläche von Graphit, Keramik usw. verarbeitet. Unsere Produkte haben einen guten Preisvorteil und decken viele europäische und amerikanische Märkte ab. Wir freuen uns darauf, Ihr langfristiger Partner in China zu werden.

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ICP-Ätzträgerplatte

ICP-Ätzträgerplatte

Die ICP-Ätzträgerplatte von Semicorex ist die perfekte Lösung für anspruchsvolle Waferhandhabung und Dünnschichtabscheidungsprozesse. Unser Produkt bietet hervorragende Hitze- und Korrosionsbeständigkeit, gleichmäßige thermische Gleichmäßigkeit und laminare Gasströmungsmuster. Mit einer sauberen und glatten Oberfläche eignet sich unser Träger perfekt für die Handhabung makelloser Waffeln.

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SiC-Platte für den ICP-Ätzprozess

SiC-Platte für den ICP-Ätzprozess

Die SiC-Platte von Semicorex für den ICP-Ätzprozess ist die perfekte Lösung für hohe Temperaturen und raue chemische Verarbeitungsanforderungen bei der Dünnschichtabscheidung und Waferhandhabung. Unser Produkt zeichnet sich durch eine hervorragende Hitzebeständigkeit und gleichmäßige thermische Gleichmäßigkeit aus und gewährleistet eine gleichmäßige Dicke und Beständigkeit der Epi-Schicht. Mit einer sauberen und glatten Oberfläche sorgt unsere hochreine SiC-Kristallbeschichtung für eine optimale Handhabung makelloser Wafer.

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SiC-beschichteter Zylindersuszeptor für epitaktisches LPE-Wachstum

SiC-beschichteter Zylindersuszeptor für epitaktisches LPE-Wachstum

Der SiC-beschichtete Zylindersuszeptor von Semicorex für das epitaxiale LPE-Wachstum ist ein Hochleistungsprodukt, das für eine konstante und zuverlässige Leistung über einen längeren Zeitraum ausgelegt ist. Sein gleichmäßiges thermisches Profil, das laminare Gasströmungsmuster und die Vermeidung von Kontaminationen machen es zur idealen Wahl für das Wachstum hochwertiger Epitaxieschichten auf Waferchips. Seine Anpassbarkeit und Kosteneffizienz machen es zu einem äußerst wettbewerbsfähigen Produkt auf dem Markt.

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Möchten Sie fortschrittliche und langlebige Graphite-Susceptors kaufen? Semicorex ist definitiv Ihre gute Wahl. Wir sind als einer der wettbewerbsfähigsten Graphite-Susceptors Hersteller und Lieferanten in China bekannt. Wir bieten auch Sammelverpackungen an. Möglicherweise benötigen Sie einige kundenspezifische Dienstleistungen, um die tatsächlichen Bedürfnisse Ihrer Region zu erfüllen. Sie können uns über die Kontaktinformationen auf der Webseite eine Nachricht hinterlassen. Wir heißen neue und alte Kunden herzlich willkommen, unsere Fabrik zur Beratung und Verhandlung zu besuchen.
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