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SiC-beschichtete RTP-Trägerplatte für epitaktisches Wachstum

SiC-beschichtete RTP-Trägerplatte für epitaktisches Wachstum

Die SiC-beschichtete RTP-Trägerplatte von Semicorex für epitaktisches Wachstum ist die perfekte Lösung für Anwendungen zur Halbleiterwaferverarbeitung. Mit seinen hochwertigen Kohlenstoff-Graphit-Suszeptoren und Quarztiegeln, die durch MOCVD auf der Oberfläche von Graphit, Keramik usw. verarbeitet werden, ist dieses Produkt ideal für die Wafer-Handhabung und epitaktische Wachstumsverarbeitung. Der mit SiC beschichtete Träger gewährleistet eine hohe Wärmeleitfähigkeit und hervorragende Wärmeverteilungseigenschaften und ist somit eine zuverlässige Wahl für RTA-, RTP- oder aggressive chemische Reinigung.
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RTP RTA SiC-beschichteter Träger

RTP RTA SiC-beschichteter Träger

Semicorex ist ein großer Hersteller und Lieferant von mit Siliziumkarbid beschichteten Graphitsuszeptoren in China. Semicorex-Graphitsuszeptor, der speziell für Epitaxiegeräte mit hoher Hitze- und Korrosionsbeständigkeit in China entwickelt wurde. Unser RTP RTA SiC-beschichteter Träger hat einen guten Preisvorteil und deckt viele europäische und amerikanische Märkte ab. Wir freuen uns darauf, Ihr langfristiger Partner zu werden.
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SiC-beschichtete ICP-Komponente

SiC-beschichtete ICP-Komponente

Die SiC-beschichtete ICP-Komponente von Semicorex wurde speziell für Hochtemperatur-Wafer-Handhabungsprozesse wie Epitaxie und MOCVD entwickelt. Mit einer feinen SiC-Kristallbeschichtung bieten unsere Träger eine hervorragende Hitzebeständigkeit, gleichmäßige thermische Gleichmäßigkeit und dauerhafte chemische Beständigkeit.
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Hochtemperatur-SiC-Beschichtung für Plasmaätzkammern

Hochtemperatur-SiC-Beschichtung für Plasmaätzkammern

Wenn es um Wafer-Handhabungsprozesse wie Epitaxie und MOCVD geht, ist die Hochtemperatur-SiC-Beschichtung für Plasmaätzkammern von Semicorex die erste Wahl. Unsere Träger bieten dank unserer feinen SiC-Kristallbeschichtung eine hervorragende Hitzebeständigkeit, gleichmäßige thermische Gleichmäßigkeit und dauerhafte chemische Beständigkeit.
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SiC-Platte für den ICP-Ätzprozess

SiC-Platte für den ICP-Ätzprozess

Die SiC-Platte von Semicorex für den ICP-Ätzprozess ist die perfekte Lösung für hohe Temperaturen und raue chemische Verarbeitungsanforderungen bei der Dünnschichtabscheidung und Waferhandhabung. Unser Produkt zeichnet sich durch eine hervorragende Hitzebeständigkeit und gleichmäßige thermische Gleichmäßigkeit aus und gewährleistet eine gleichmäßige Dicke und Beständigkeit der Epi-Schicht. Mit einer sauberen und glatten Oberfläche sorgt unsere hochreine SiC-Kristallbeschichtung für eine optimale Handhabung makelloser Wafer.
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SiC-beschichteter ICP-Ätzträger

SiC-beschichteter ICP-Ätzträger

Semicorex SiC-beschichteter ICP-Ätzträger, der speziell für Epitaxiegeräte mit hoher Hitze- und Korrosionsbeständigkeit in China entwickelt wurde. Unsere Produkte haben einen guten Preisvorteil und decken viele europäische und amerikanische Märkte ab. Wir freuen uns darauf, Ihr langfristiger Partner in China zu werden.
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