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SiC-Substratwafer vom P-Typ
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SiC-Substratwafer vom P-Typ

Semicorex bietet verschiedene Arten von 4H- und 6H-SiC-Wafern an. Wir sind seit vielen Jahren Hersteller und Lieferant von Waffeln. Unser SiC-Substratwafer vom P-Typ hat einen guten Preisvorteil und deckt die meisten europäischen und amerikanischen Märkte ab. Wir freuen uns darauf, Ihr langfristiger Partner in China zu werden.

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Produktbeschreibung

Semicorex verfügt über eine komplette Produktlinie von Siliziumkarbid(SiC)-Wafern, einschließlich 4H- und 6H-Substraten mit N-Typ-, P-Typ- und hochreinen halbisolierenden Wafern, die mit oder ohne Epitaxie sein können.

Der SiC-Substratwafer vom Typ P von Semicorex verfügt über eine doppelt polierte Oberfläche, die eine hervorragende Ebenheit und Oberflächenqualität gewährleistet. Diese Funktion ist entscheidend für die Sicherstellung einer konsistenten und präzisen Abscheidung von Halbleitermaterialien während der Geräteherstellung.

Unser SiC-Substratwafer vom P-Typ bietet eine hervorragende elektrische Leitfähigkeit und ist somit ein ideales Substratmaterial für elektronische Hochtemperatur- und Hochleistungsgeräte. Seine einzigartigen Eigenschaften ermöglichen eine gute Leistung in rauen Umgebungen, einschließlich hoher Temperaturen, starker Strahlung und korrosiven Bedingungen.





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