6-Zoll-N-Typ-SiC-Wafer

Semicorex bietet verschiedene Arten von 4H- und 6H-SiC-Wafern an. Wir sind seit vielen Jahren Hersteller und Lieferant von Waffeln. Unser doppelt polierter 6-Zoll-N-Typ-SiC-Wafer hat einen guten Preisvorteil und deckt die meisten europäischen und amerikanischen Märkte ab. Wir freuen uns darauf, Ihr langfristiger Partner in China zu werden.

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Produktbeschreibung

Semicorex verfügt über eine komplette Siliziumkarbid(SiC)-Wafer-Produktlinie, einschließlich 4H- und 6H-Substraten mit N-Typ-, P-Typ- und hochreinen halbisolierenden Wafern, die mit oder ohne Epitaxie sein können. Unser 4-Zoll-N-Typ-SiC-Substrat (Siliziumkarbid) ist eine Art hochwertiger Wafer aus einem Einkristall aus Siliziumkarbid mit einer N-Typ-Dotierung, der doppelt poliert ist.

6-Zoll-SiC-Wafer vom N-Typ werden hauptsächlich in Fahrzeugen mit neuer Energie, Hochspannungsübertragung und Umspannwerken, Haushaltsgeräten, Hochgeschwindigkeitszügen, Elektromotoren, Photovoltaik-Wechselrichtern, gepulsten Stromversorgungen und anderen Bereichen verwendet, die den Vorteil einer Reduzierung der Ausrüstung bieten Energieverlust, Verbesserung der Gerätezuverlässigkeit, Reduzierung der Gerätegröße und Verbesserung der Geräteleistung und bieten unersetzliche Vorteile bei der Herstellung leistungselektronischer Geräte.

Artikel	Produktion	Forschung	Dummy
Kristallparameter
Polytypie	4H
Fehler bei der Oberflächenausrichtung	<11-20 >4±0,15°
Elektrische Parameter
Dotierstoff	Stickstoff vom n-Typ
Widerstand	0,015–0,025 Ohm·cm
Mechanische Parameter
Durchmesser	150,0 ± 0,2 mm
Dicke	350 ± 25 μm
Primäre flache Ausrichtung	[1-100]±5°
Primäre flache Länge	47,5 ± 1,5 mm
Zweitwohnung	Keiner
TTV	≤5 μm	≤10 μm	≤15 μm
LTV	≤3 μm (5 mm * 5 mm)	≤5 μm (5 mm * 5 mm)	≤10 μm (5 mm * 5 mm)
Bogen	-15μm ~ 15μm	-35μm ~ 35μm	-45μm ~ 45μm
Kette	≤35 μm	≤45 μm	≤55 μm
Rauheit der Vorderseite (Si-Fläche) (AFM)	Ra≤0,2nm (5μm*5μm)
Struktur
Mikrorohrdichte	<1 ea/cm2	<10 ea/cm2	<15 ea/cm2
Metallverunreinigungen	≤5E10Atome/cm2		DAS
BPD	≤1500 ea/cm2	≤3000 ea/cm2	DAS
TSD	≤500 ea/cm2	≤1000 ea/cm2	DAS
Vordere Qualität
Front	Und
Oberflächenbeschaffenheit	Si-Face-CMP
Partikel	≤60 Stück pro Wafer (Größe ≥ 0,3 μm)	DAS
Kratzer	≤5ea/mm. Kumulierte Länge ≤Durchmesser	Kumulierte Länge ≤ 2 * Durchmesser	DAS
Orangenschale/Kerne/Flecken/Streifen/Risse/Verunreinigung	Keiner		DAS
Kantensplitter/Einkerbungen/Bruch/Sechskantplatten	Keiner
Polytypiebereiche	Keiner	Kumulierte Fläche ≤ 20 %	Kumulierte Fläche ≤ 30 %
Lasermarkierung vorne	Keiner
Zurück Qualität
Hinterer Abschluss	C-Gesichts-CMP
Kratzer	≤5ea/mm, Gesamtlänge≤2*Durchmesser	DAS
Mängel an der Rückseite (Kantenabsplitterungen/Einkerbungen)	Keiner
Rückenrauheit	Ra≤0,2nm (5μm*5μm)
Lasermarkierung auf der Rückseite	1 mm (ab Oberkante)
Rand
Rand	Fase
Verpackung
Verpackung	Epi-ready mit Vakuumverpackung Verpackung für Multi-Wafer-Kassetten
*Hinweise: „NA“ bedeutet keine Anfrage. Nicht erwähnte Artikel beziehen sich möglicherweise auf SEMI-STD.