Heim > Produkte > Wafer > SiC-Wafer > 4 Zoll hochreines halbisolierendes HPSI SiC doppelseitig poliertes Wafer-Substrat
4 Zoll hochreines halbisolierendes HPSI SiC doppelseitig poliertes Wafer-Substrat
  • 4 Zoll hochreines halbisolierendes HPSI SiC doppelseitig poliertes Wafer-Substrat4 Zoll hochreines halbisolierendes HPSI SiC doppelseitig poliertes Wafer-Substrat
  • 4 Zoll hochreines halbisolierendes HPSI SiC doppelseitig poliertes Wafer-Substrat4 Zoll hochreines halbisolierendes HPSI SiC doppelseitig poliertes Wafer-Substrat

4 Zoll hochreines halbisolierendes HPSI SiC doppelseitig poliertes Wafer-Substrat

Semicorex bietet verschiedene Arten von 4H- und 6H-SiC-Wafern an. Wir sind seit vielen Jahren Hersteller und Lieferant von Wafer-Substraten. Unser 4-Zoll-hochreines halbisolierendes HPSI-SiC-Wafersubstrat mit doppelseitiger Polierung hat einen guten Preisvorteil und deckt die meisten europäischen und amerikanischen Märkte ab. Wir freuen uns darauf, Ihr langfristiger Partner in China zu werden.

Anfrage absenden

Produktbeschreibung

Semicorex verfügt über eine komplette Produktlinie von Siliziumkarbid(SiC)-Wafern, einschließlich 4H- und 6H-Substraten mit N-Typ-, P-Typ- und hochreinen halbisolierenden Wafern, die mit oder ohne Epitaxie sein können.

Wir stellen Ihnen unser hochmodernes, hochreines, halbisolierendes HPSI-SiC-Wafersubstrat mit beidseitiger Polierung vor, ein Spitzenprodukt, das den anspruchsvollen Anforderungen moderner Elektronik- und Halbleiteranwendungen gerecht wird.

Das hochreine, halbisolierende HPSI-SiC-Wafersubstrat mit beidseitiger Polierung von 4 Zoll wird hauptsächlich in der 5G-Kommunikation, Radarsystemen, Leitköpfen, Satellitenkommunikation, Kampfflugzeugen und anderen Bereichen eingesetzt und bietet die Vorteile einer Verbesserung der HF-Reichweite und einer extrem großen Reichweite Identifikation, Anti-Jamming und Hochgeschwindigkeits-Informationsübertragung mit hoher Kapazität sowie andere Anwendungen gelten als das idealste Substrat für die Herstellung von Mikrowellen-Leistungsgeräten.


Spezifikationen:

â Durchmesser: 4â³

â Doppelt poliert

âl-Klasse: Produktion, Forschung, Dummy

â 4H-SiC-HPSI-Wafer

â Dicke: 500 ± 25 µm

âl Mikrorohrdichte: â¤1 Stück/cm2~ â¤10 Stück/cm2


Artikel

Produktion

Forschung

Dummy

Kristallparameter

Polytypie

4H

Oberflächenorientierung auf der Achse

<0001 >

Oberflächenorientierung außerhalb der Achse

0±0,2°

(0004)FWHM

â¤45Bogensekunden

â¤60 Bogensekunden

â¤1OOarcsec

Elektrische Parameter

Typ

HPSI

Widerstand

â¥1 E9ohm·cm

100 % Fläche > 1 E5ohm·cm

70 % Fläche > 1 E5ohm·cm

Mechanische Parameter

Durchmesser

99,5 - 100 mm

Dicke

500 ± 25 µm

Primäre flache Ausrichtung

[1-100]±5°

Primäre flache Länge

32,5 ± 1,5 mm

Sekundäre flache Position

90° CW von der Primärebene ±5°. Silikonseite nach oben

Sekundäre flache Länge

18 ± 1,5 mm

TTV

â¤5 μm

â¤10 μm

â¤20 μm

LTV

â¤2 μm(5mm*5mm)

â¤5 μm(5mm*5mm)

N / A

Bogen

-15μm ~ 15μm

-35μm ~ 35μm

-45μm ~ 45μm

Kette

â¤20 μm

â¤45 μm

â¤50 μm

Rauheit der Vorderseite (Si-Fläche) (AFM)

Raâ¤0,2nm (5μm*5μm)

Struktur

Mikrorohrdichte

â¤1 Stück/cm2

â¤5 Stück/cm2

â¤10 Stück/cm2

Kohlenstoffeinschlussdichte

â¤1 Stück/cm2

N / A

Sechseckige Leere

Keiner

N / A

Metallverunreinigungen

â¤5E12Atome/cm2

N / A

Vordere Qualität

Vorderseite

Si

Oberflächenfinish

Si-Face-CMP

Partikel

â¤60 Stück/Wafer (Größe â¥0,3μm)

N / A

Kratzer

â¤2ea/mm. Kumulierte Länge â¤Durchmesser

Gesamtlänge: 2 x Durchmesser

N / A

Orangenschale/Kerne/Flecken/Streifen/Risse/Verunreinigung

Keiner

N / A

Kantensplitter/Einkerbungen/Bruch/Sechskantplatten

Keiner

Polytypiebereiche

Keiner

Kumulierte Flächeâ¤20 %

Kumulierte Flächeâ¤30 %

Lasermarkierung vorne

Keiner

Zurück Qualität

Hinterer Abschluss

C-Gesichts-CMP

Kratzer

â¤5ea/mm, Gesamtlänge â¤2*Durchmesser

N / A

Mängel an der Rückseite (Kantenabsplitterungen/Einkerbungen)

Keiner

Rückenrauheit

Raâ¤0,2nm (5μm*5μm)

Lasermarkierung auf der Rückseite

1 mm (ab Oberkante)

Rand

Rand

Fase

Verpackung

Verpackung

Der Innenbeutel wird mit Stickstoff gefüllt und der Außenbeutel vakuumiert.

Multi-Wafer-Kassette, Epi-ready.

*Hinweise: „NA“ bedeutet keine Anfrage. Nicht erwähnte Artikel beziehen sich möglicherweise auf SEMI-STD.




Hot-Tags: 4 Zoll hochreines halbisolierendes HPSI SiC doppelseitig poliertes Wafersubstrat, China, Hersteller, Lieferanten, Fabrik, kundenspezifisch, Bulk, fortschrittlich, langlebig

Verwandte Kategorie

Anfrage absenden

Bitte zögern Sie nicht, Ihre Anfrage im untenstehenden Formular zu stellen. Wir werden Ihnen innerhalb von 24 Stunden antworten.