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4 Zoll hochreines halbisolierendes HPSI SiC doppelseitig poliertes Wafer-Substrat

Semicorex bietet verschiedene Arten von 4H- und 6H-SiC-Wafern an. Wir sind seit vielen Jahren Hersteller und Lieferant von Wafer-Substraten. Unser 4-Zoll-hochreines halbisolierendes HPSI-SiC-Wafersubstrat mit doppelseitiger Polierung hat einen guten Preisvorteil und deckt die meisten europäischen und amerikanischen Märkte ab. Wir freuen uns darauf, Ihr langfristiger Partner in China zu werden.

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Produktbeschreibung

Semicorex verfügt über eine komplette Produktlinie für Siliziumkarbid-Wafer (SiC), einschließlich 4H- und 6H-Substraten mit N-Typ-, P-Typ- und hochreinen halbisolierenden Wafern, die mit oder ohne Epitaxie sein können.

Wir stellen Ihnen unser hochmodernes 4-Zoll-hochreines, halbisolierendes HPSI-SiC-Wafersubstrat mit doppelseitiger Polierung vor, ein Spitzenprodukt, das für die anspruchsvollen Anforderungen fortschrittlicher Elektronik- und Halbleiteranwendungen entwickelt wurde.

4 Zoll hochreines, halbisolierendes HPSI-SiC-Wafersubstrat mit doppelseitiger Polierung wird hauptsächlich in der 5G-Kommunikation, Radarsystemen, Leitköpfen, Satellitenkommunikation, Kampfflugzeugen und anderen Bereichen verwendet und bietet die Vorteile einer Verbesserung der HF-Reichweite und einer extrem großen Reichweite Identifikation, Anti-Jamming und Hochgeschwindigkeits-Informationsübertragung mit hoher Kapazität sowie andere Anwendungen gelten als das idealste Substrat für die Herstellung von Mikrowellen-Leistungsgeräten.

Spezifikationen:

● Durchmesser: 4″

● Doppelt poliert

●l Grad: Produktion, Forschung, Dummy

● 4H-SiC-HPSI-Wafer

● Dicke: 500 ± 25 μm

●l Mikrorohrdichte: ≤1 ea/cm²~ ≤10 Stück/cm²

Artikel	Produktion	Forschung	Dummy
Kristallparameter
Polytypie	4H
Oberflächenorientierung auf der Achse	<0001 >
Oberflächenorientierung außerhalb der Achse	0±0,2°
(0004)FWHM	≤45 Bogensekunden	≤60 Bogensekunden	≤1OOarcsec
Elektrische Parameter
Typ	HPSI
Widerstand	≥1 E9ohm·cm	100 % Fläche > 1 E5ohm·cm	70 % Fläche > 1 E5ohm·cm
Mechanische Parameter
Durchmesser	99,5 - 100 mm
Dicke	500 ± 25 μm
Primäre flache Ausrichtung	[1-100]±5°
Primäre flache Länge	32,5 ± 1,5 mm
Sekundäre flache Position	90° CW von der Primärebene ±5°. Silikonseite nach oben
Sekundäre flache Länge	18 ± 1,5 mm
TTV	≤5 μm	≤10 μm	≤20 μm
LTV	≤2 μm (5 mm * 5 mm)	≤5 μm (5 mm * 5 mm)	DAS
Bogen	-15μm ~ 15μm	-35μm ~ 35μm	-45μm ~ 45μm
Kette	≤20 μm	≤45 μm	≤50 μm
Rauheit der Vorderseite (Si-Fläche) (AFM)	Ra≤0,2nm (5μm*5μm)
Struktur
Mikrorohrdichte	≤1 Stück/cm²	≤5 Stück/cm²	≤10 Stück/cm²
Kohlenstoffeinschlussdichte	≤1 Stück/cm²	DAS
Sechseckige Leere	Keiner	DAS
Metallverunreinigungen	≤5E12atome/cm²		DAS
Vordere Qualität
Front	Und
Oberflächenbeschaffenheit	Si-Face-CMP
Partikel	≤60 Stück pro Wafer (Größe ≥ 0,3 μm)	DAS
Kratzer	≤2ea/mm. Kumulierte Länge ≤Durchmesser	Kumulierte Länge ≤ 2 * Durchmesser	DAS
Orangenschale/Kerne/Flecken/Streifen/Risse/Verunreinigung	Keiner		DAS
Kantensplitter/Einkerbungen/Bruch/Sechskantplatten	Keiner
Polytypiebereiche	Keiner	Kumulierte Fläche ≤ 20 %	Kumulierte Fläche ≤ 30 %
Lasermarkierung vorne	Keiner
Zurück Qualität
Hinterer Abschluss	C-Gesichts-CMP
Kratzer	≤5ea/mm, Gesamtlänge≤2*Durchmesser	DAS
Mängel an der Rückseite (Kantenabsplitterungen/Einkerbungen)	Keiner
Rückenrauheit	Ra≤0,2nm (5μm*5μm)
Lasermarkierung auf der Rückseite	1 mm (ab Oberkante)
Rand
Rand	Fase
Verpackung
Verpackung	Der Innenbeutel wird mit Stickstoff gefüllt und der Außenbeutel vakuumiert. Multi-Wafer-Kassette, Epi-ready.
*Hinweise: „NA“ bedeutet keine Anfrage. Nicht erwähnte Artikel beziehen sich möglicherweise auf SEMI-STD.

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