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4 Zoll hochreines halbisolierendes HPSI SiC doppelseitig poliertes Wafer-Substrat

Semicorex bietet verschiedene Arten von 4H- und 6H-SiC-Wafern an. Wir sind seit vielen Jahren Hersteller und Lieferant von Wafer-Substraten. Unser 4-Zoll-hochreines halbisolierendes HPSI-SiC-Wafersubstrat mit doppelseitiger Polierung hat einen guten Preisvorteil und deckt die meisten europäischen und amerikanischen Märkte ab. Wir freuen uns darauf, Ihr langfristiger Partner in China zu werden.

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Produktbeschreibung

Semicorex verfügt über eine komplette Produktlinie von Siliziumkarbid(SiC)-Wafern, einschließlich 4H- und 6H-Substraten mit N-Typ-, P-Typ- und hochreinen halbisolierenden Wafern, die mit oder ohne Epitaxie sein können.

Wir stellen Ihnen unser hochmodernes, hochreines, halbisolierendes HPSI-SiC-Wafersubstrat mit beidseitiger Polierung vor, ein Spitzenprodukt, das den anspruchsvollen Anforderungen moderner Elektronik- und Halbleiteranwendungen gerecht wird.

Das hochreine, halbisolierende HPSI-SiC-Wafersubstrat mit beidseitiger Polierung von 4 Zoll wird hauptsächlich in der 5G-Kommunikation, Radarsystemen, Leitköpfen, Satellitenkommunikation, Kampfflugzeugen und anderen Bereichen eingesetzt und bietet die Vorteile einer Verbesserung der HF-Reichweite und einer extrem großen Reichweite Identifikation, Anti-Jamming und Hochgeschwindigkeits-Informationsübertragung mit hoher Kapazität sowie andere Anwendungen gelten als das idealste Substrat für die Herstellung von Mikrowellen-Leistungsgeräten.

Spezifikationen:

â Durchmesser: 4â³

â Doppelt poliert

âl-Klasse: Produktion, Forschung, Dummy

â 4H-SiC-HPSI-Wafer

â Dicke: 500 ± 25 µm

âl Mikrorohrdichte: â¤1 Stück/cm²~ â¤10 Stück/cm²

Artikel	Produktion	Forschung	Dummy
Kristallparameter
Polytypie	4H
Oberflächenorientierung auf der Achse	<0001 >
Oberflächenorientierung außerhalb der Achse	0±0,2°
(0004)FWHM	â¤45Bogensekunden	â¤60 Bogensekunden	â¤1OOarcsec
Elektrische Parameter
Typ	HPSI
Widerstand	â¥1 E9ohm·cm	100 % Fläche > 1 E5ohm·cm	70 % Fläche > 1 E5ohm·cm
Mechanische Parameter
Durchmesser	99,5 - 100 mm
Dicke	500 ± 25 µm
Primäre flache Ausrichtung	[1-100]±5°
Primäre flache Länge	32,5 ± 1,5 mm
Sekundäre flache Position	90° CW von der Primärebene ±5°. Silikonseite nach oben
Sekundäre flache Länge	18 ± 1,5 mm
TTV	â¤5 Î¼m	â¤10 Î¼m	â¤20 Î¼m
LTV	â¤2 Î¼m(5mm*5mm)	â¤5 Î¼m(5mm*5mm)	N / A
Bogen	-15Î¼m ~ 15Î¼m	-35Î¼m ~ 35Î¼m	-45Î¼m ~ 45Î¼m
Kette	â¤20 Î¼m	â¤45 Î¼m	â¤50 Î¼m
Rauheit der Vorderseite (Si-Fläche) (AFM)	Raâ¤0,2nm (5Î¼m*5Î¼m)
Struktur
Mikrorohrdichte	â¤1 Stück/cm²	â¤5 Stück/cm²	â¤10 Stück/cm²
Kohlenstoffeinschlussdichte	â¤1 Stück/cm²	N / A
Sechseckige Leere	Keiner	N / A
Metallverunreinigungen	â¤5E12Atome/cm²		N / A
Vordere Qualität
Vorderseite	Si
Oberflächenfinish	Si-Face-CMP
Partikel	â¤60 Stück/Wafer (Größe â¥0,3Î¼m)	N / A
Kratzer	â¤2ea/mm. Kumulierte Länge â¤Durchmesser	Gesamtlänge: 2 x Durchmesser	N / A
Orangenschale/Kerne/Flecken/Streifen/Risse/Verunreinigung	Keiner		N / A
Kantensplitter/Einkerbungen/Bruch/Sechskantplatten	Keiner
Polytypiebereiche	Keiner	Kumulierte Flächeâ¤20 %	Kumulierte Flächeâ¤30 %
Lasermarkierung vorne	Keiner
Zurück Qualität
Hinterer Abschluss	C-Gesichts-CMP
Kratzer	â¤5ea/mm, Gesamtlänge â¤2*Durchmesser	N / A
Mängel an der Rückseite (Kantenabsplitterungen/Einkerbungen)	Keiner
Rückenrauheit	Raâ¤0,2nm (5Î¼m*5Î¼m)
Lasermarkierung auf der Rückseite	1 mm (ab Oberkante)
Rand
Rand	Fase
Verpackung
Verpackung	Der Innenbeutel wird mit Stickstoff gefüllt und der Außenbeutel vakuumiert. Multi-Wafer-Kassette, Epi-ready.
*Hinweise: „NA“ bedeutet keine Anfrage. Nicht erwähnte Artikel beziehen sich möglicherweise auf SEMI-STD.

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