Semicorex bietet N-Typ-SiC-Ingots mit 4 Zoll, 6 Zoll und 8 Zoll an. Wir sind seit vielen Jahren Hersteller und Lieferant von Waffeln. Unser 4" 6" 8" N-Typ SiC-Barren hat einen guten Preisvorteil und deckt die meisten europäischen und amerikanischen Märkte ab. Wir freuen uns darauf, Ihr langfristiger Partner in China zu werden.
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4-Zoll-N-Typ-SiC-Ingot-Spezifikation |
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Artikel |
Produktionsqualität |
Dummy-Note |
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Polytypie |
4H |
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Dotierstoff |
Stickstoff vom n-Typ |
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Widerstand |
0,015~0,025 Ohm · cm |
0,015~0,028 Ohm · cm |
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Durchmesser |
100,25 ± 0,25 mm |
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Dicke |
≥15 mm |
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Fehler bei der Oberflächenausrichtung |
4° in Richtung <11-20> ±0,2° |
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Primäre flache Ausrichtung |
[1- 100]±5,0° |
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Primäre flache Länge |
32,5 ± 1,5 mm |
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Zweitwohnung |
90,0°CW von der Primärseite ±5,0°, Siliziumseite nach oben |
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Sekundäre flache Länge |
18 ± 1,5 mm |
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Mikrorohrdichte |
≤0,5 ea/cm2 |
≤10 ea/cm2 |
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BPD |
≤2000 ea/cm2 |
-- |
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|
TSD |
≤500 ea/cm2 |
-- |
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Kantenrisse |
≤3 von,≤1mm/Stück |
≤5 von,≤3mm/Stück |
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Polytypiebereiche |
Keiner |
≤5 % Fläche |
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Randeinzüge |
≤3 Stück, ≤1 mm Breite und Tiefe |
≤5 Stück, ≤2mm Breite und Tiefe |
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Etikett |
C-Gesicht |
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Verpackung |
Einheit-Barren-Kassette, Vakuumverpackung |
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6-Zoll-N-Typ-SiC-Ingot-Spezifikation |
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Artikel |
Produktionsqualität |
Dummy-Note |
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Polytypie |
4H |
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Dotierstoff |
Stickstoff vom n-Typ |
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|
Widerstand |
0,015~0,025 |
0,015~0,028 |
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|
Durchmesser |
150,25 ± 0,25 mm |
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|
Dicke |
≥15 mm |
|||||||
|
Fehler bei der Oberflächenausrichtung |
4° in Richtung <11-20> ±0,2° |
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|
Primäre flache Ausrichtung |
[1- 100]±5,0° |
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Primäre flache Länge |
47,5 ± 1,5 mm |
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Mikrorohrdichte |
≤0,5 ea/cm2 |
≤10 ea/cm2 |
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BPD |
≤2000 ea/cm2 |
-- |
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TSD |
≤500 ea/cm2 |
-- |
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|
Kantenrisse |
≤3 von,≤1mm/Stück |
≤5 von,≤3mm/Stück |
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Polytypiebereiche |
Keiner |
≤5 % Fläche |
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Randeinzüge |
≤3 Stück, ≤1 mm Breite und Tiefe |
≤5 Stück, ≤2mm Breite und Tiefe |
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Etikett |
C-Gesicht |
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Verpackung |
Einheit-Barren-Kassette, Vakuumverpackung |
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8-Zoll-N-Typ-SiC-Ingot-Spezifikation |
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Artikel |
Produktionsqualität |
Forschungsgrad |
Dummy-Note |
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Polytypie |
4H |
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Dotierstoff |
Stickstoff vom n-Typ |
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Widerstand |
0,015~0,028 |
0,01~0,04 |
DAS |
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Durchmesser |
200,25 ± 0,25 mm |
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Dicke |
DAS |
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Fehler bei der Oberflächenausrichtung |
4° in Richtung<11-20>±0,5° |
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Kerbenausrichtung |
[1- 100]±5,0° |
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Kerbtiefe |
1~1,5 mm |
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Mikrorohrdichte |
≤2 ea/cm2 |
≤10 ea/cm2 |
≤50 ea/cm2 |
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BPD |
≤2000 ea/cm2 |
≤500 ea/cm2 |
-- |
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TSD |
≤500 ea/cm2 |
≤1000 ea/cm2 |
-- |
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Kantenrisse |
≤3 von,≤1mm/Stück |
≤4 von,≤2mm/Stück |
≤5 von,≤3mm/Stück |
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Polytypiebereiche |
Keiner |
≤20 % Fläche |
≤30 % Fläche |
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|
Randeinzüge |
≤3 Stück, ≤1 mm Breite und Tiefe |
≤4 Stück, ≤2mm Breite und Tiefe |
≤5 Stück, ≤2mm Breite und Tiefe |
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Etikett |
C-Gesicht |
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Verpackung |
Einheit-Barren-Kassette, Vakuumverpackung |
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