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4-Zoll-N-Typ-SiC-Substrat
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4-Zoll-N-Typ-SiC-Substrat

Semicorex bietet verschiedene Arten von 4H- und 6H-SiC-Wafern an. Wir sind seit vielen Jahren Hersteller und Lieferant von Siliziumkarbidprodukten. Unser 4-Zoll-SiC-Substrat vom Typ N hat einen guten Preisvorteil und deckt die meisten europäischen und amerikanischen Märkte ab. Wir freuen uns darauf, Ihr langfristiger Partner in China zu werden.

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Produktbeschreibung

Semicorex verfügt über eine komplette Produktlinie von Siliziumkarbid(SiC)-Wafern, einschließlich 4H- und 6H-Substraten mit N-Typ-, P-Typ- und hochreinen halbisolierenden Wafern, die mit oder ohne Epitaxie sein können. Das 4-Zoll-N-Typ-SiC-Substrat (Siliziumkarbid) ist eine Art hochwertiger Wafer, der aus einem Einkristall aus Siliziumkarbid mit einer N-Typ-Dotierung besteht.

4-Zoll-SiC-Substrat vom Typ N wird hauptsächlich in Fahrzeugen mit neuer Energie, Hochspannungsübertragung und Umspannwerken, Haushaltsgeräten, Hochgeschwindigkeitszügen, Elektromotoren, Photovoltaik-Wechselrichtern, gepulsten Stromversorgungen und anderen Bereichen verwendet, die den Vorteil einer Reduzierung der Ausrüstung bieten Energieverlust, Verbesserung der Gerätezuverlässigkeit, Reduzierung der Gerätegröße und Verbesserung der Geräteleistung und bieten unersetzliche Vorteile bei der Herstellung leistungselektronischer Geräte.

Artikel

Produktion

Forschung

Dummy

Kristallparameter

Polytypie

4H

Fehler bei der Oberflächenausrichtung

<11-20 >4±0,15°

Elektrische Parameter

Dotierstoff

Stickstoff vom n-Typ

Widerstand

0,015–0,025 Ohm·cm

Mechanische Parameter

Durchmesser

99,5 - 100 mm

Dicke

350 ± 25 µm

Primäre flache Ausrichtung

[1-100]±5°

Primäre flache Länge

32,5 ± 1,5 mm

Sekundäre flache Position

90° CW von der Primärebene ±5°. Silikonseite nach oben

Sekundäre flache Länge

18 ± 1,5 mm

TTV

â¤5 μm

â¤10 μm

â¤20 μm

LTV

â¤2 μm(5mm*5mm)

â¤5 μm(5mm*5mm)

N / A

Bogen

-15μm ~ 15μm

-35μm ~ 35μm

-45μm ~ 45μm

Kette

â¤20 μm

â¤45 μm

â¤50 μm

Rauheit der Vorderseite (Si-Fläche) (AFM)

Raâ¤0,2nm (5μm*5μm)

Struktur

Mikrorohrdichte

â¤1 Stück/cm2

â¤5 Stück/cm2

â¤10 Stück/cm2

Metallverunreinigungen

â¤5E10Atome/cm2

N / A

BPD

â¤1500 ea/cm2

â¤3000 Stück/cm2

N / A

TSD

â¤500 Stück/cm2

â¤1000 ea/cm2

N / A

Vordere Qualität

Vorderseite

Si

Oberflächenfinish

Si-Flächen-CMP

Partikel

â¤60 Stück/Wafer (Größe â¥0,3μm)

N / A

Kratzer

â¤2ea/mm. Kumulierte Länge â¤Durchmesser

Gesamtlänge: 2 x Durchmesser

N / A

Orangenschale/Kerne/Flecken/Streifen/Risse/Verunreinigung

Keiner

N / A

Kantensplitter/Einkerbungen/Bruch/Sechskantplatten

Keiner

N / A

Polytypiebereiche

Keiner

Kumulierte Flächeâ¤20 %

Kumulierte Flächeâ¤30 %

Lasermarkierung vorne

Keiner

Zurück Qualität

Hinterer Abschluss

C-Gesichts-CMP

Kratzer

â¤5ea/mm, Gesamtlänge â¤2*Durchmesser

N / A

Mängel an der Rückseite (Kantenabsplitterungen/Einkerbungen)

Keiner

Rückenrauheit

Raâ¤0,2nm (5μm*5μm)

Lasermarkierung auf der Rückseite

1 mm (ab Oberkante)

Rand

Rand

Fase

Verpackung

Verpackung

Der Innenbeutel wird mit Stickstoff gefüllt und der Außenbeutel vakuumiert.

Multi-Wafer-Kassette, Epi-ready.

*Hinweise: „NA“ bedeutet keine Anfrage. Nicht erwähnte Artikel beziehen sich möglicherweise auf SEMI-STD.





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