Der grundlegendste Schritt aller Prozesse ist der Oxidationsprozess. Beim Oxidationsprozess wird der Siliziumwafer für eine Hochtemperatur-Wärmebehandlung (800–1200 °C) in eine Atmosphäre aus Oxidationsmitteln wie Sauerstoff oder Wasserdampf gebracht. Auf der Oberfläche des Siliziumwafers kommt es z......
WeiterlesenDas Wachstum der GaN-Epitaxie auf einem GaN-Substrat stellt trotz der im Vergleich zu Silizium überlegenen Eigenschaften des Materials eine einzigartige Herausforderung dar. Die GaN-Epitaxie bietet erhebliche Vorteile hinsichtlich der Bandlückenbreite, der Wärmeleitfähigkeit und des elektrischen Dur......
WeiterlesenHalbleiter mit großer Bandlücke (WBG) wie Siliziumkarbid (SiC) und Galliumnitrid (GaN) werden voraussichtlich eine immer wichtigere Rolle in leistungselektronischen Geräten spielen. Sie bieten mehrere Vorteile gegenüber herkömmlichen Silizium (Si)-Geräten, darunter einen höheren Wirkungsgrad, eine h......
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