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Branchen-News

Welche Herausforderungen sind mit der SiC-Herstellung verbunden?

Im Bereich der Halbleitermaterialien mit großer Bandlücke hat sich Siliziumkarbid (SiC) zu einem hoch angesehenen Material entwickelt, das sich insbesondere im Bereich der Hochleistungsumwandlung hervorhebt.

Was ist die Halbleiter-Ionenimplantationstechnologie?

In der Halbleiterfertigung werden bei der Ionenimplantation hochenergetische Beschleuniger eingesetzt, um bestimmte Verunreinigungsatome wie Arsen oder Bor in ein Siliziumsubstrat zu injizieren.

Glühen

Das Tempern nach der Ionenimplantation ist ein wichtiger Schritt bei der Herstellung von Halbleiterbauelementen, der sich auf die Leistung und Zuverlässigkeit des Bauelements auswirkt.

AlN-Kristallwachstum durch PVT-Methode

Die dritte Generation von Halbleitermaterialien mit großer Bandlücke, darunter Galliumnitrid (GaN), Siliziumkarbid (SiC) und Aluminiumnitrid (AlN), weist hervorragende elektrische, thermische und akusto-optische Eigenschaften auf. Diese Materialien beseitigen die Einschränkungen der ersten und zweit......

Selektive Ätztechnologie für SiGe und Si

Ein entscheidender Schritt bei der Herstellung von GAAFETs vom n-Typ ist das hochselektive Ätzen von SiGe:Si-Stapeln vor der Abscheidung innerer Abstandshalter, wodurch Silizium-Nanoschichten erzeugt und Kanäle freigesetzt werden.

SiGe in der Chipherstellung: Ein professioneller Nachrichtenbericht

Um den Anforderungen an hohe Leistung und geringen Stromverbrauch im Bereich der modernen Halbleitertechnologie gerecht zu werden, hat sich SiGe (Siliziumgermanium) aufgrund seiner einzigartigen physikalischen und elektrischen Eigenschaften als Verbundmaterial der Wahl für die Herstellung von Halble......

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