Siliziumkarbid (SiC) ist ein anorganischer Stoff. Die Menge an natürlich vorkommendem Siliziumkarbid ist sehr gering. Es ist ein seltenes Mineral und wird Moissanit genannt. Siliziumkarbid, das in der industriellen Produktion verwendet wird, wird größtenteils künstlich synthetisiert.
WeiterlesenIn der Halbleiterindustrie spielen Epitaxieschichten eine entscheidende Rolle, indem sie auf einem Wafersubstrat spezifische einkristalline Dünnfilme bilden, die zusammenfassend als Epitaxiewafer bezeichnet werden. Insbesondere epitaktische Schichten aus Siliziumkarbid (SiC), die auf leitfähigen SiC......
WeiterlesenDerzeit verwenden die meisten SiC-Substrathersteller ein neues Tiegel-Thermofeld-Prozessdesign mit porösen Graphitzylindern: Sie platzieren hochreine SiC-Partikel-Rohmaterialien zwischen der Graphittiegelwand und dem porösen Graphitzylinder, während der gesamte Tiegel vertieft und der Tiegeldurchmes......
WeiterlesenUnter epitaktischem Wachstum versteht man den Prozess des Aufwachsens einer kristallographisch wohlgeordneten monokristallinen Schicht auf einem Substrat. Im Allgemeinen umfasst das epitaktische Wachstum die Züchtung einer Kristallschicht auf einem einkristallinen Substrat, wobei die gewachsene Schi......
WeiterlesenUnter chemischer Gasphasenabscheidung (CVD) versteht man eine Prozesstechnologie, bei der mehrere gasförmige Reaktanten bei unterschiedlichen Partialdrücken unter bestimmten Temperatur- und Druckbedingungen eine chemische Reaktion eingehen. Der resultierende Feststoff lagert sich auf der Oberfläche ......
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