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Versetzung in SiC-Kristallen

SiC-Substrat kann mikroskopische Defekte aufweisen, wie z. B. Threading Screw Dislocation (TSD), Threading Edge Dislocation (TED), Base Plane Dislocation (BPD) und andere. Diese Defekte werden durch Abweichungen in der Anordnung der Atome auf atomarer Ebene verursacht.

Über Defekte in SiC-Kristallen – Micropipe

SiC-Substrat kann mikroskopische Defekte aufweisen, wie z. B. Threading Screw Dislocation (TSD), Threading Edge Dislocation (TED), Base Plane Dislocation (BPD) und andere. Diese Defekte werden durch Abweichungen in der Anordnung der Atome auf atomarer Ebene verursacht. SiC-Kristalle können auch makr......

Warum sollten Sie sich für die Flüssigphasenepitaxie-Methode entscheiden?

Im Vergleich zur PVT-Methode bietet die Flüssigphasenmethode zum Züchten von SiC folgende Vorteile:

Was ist Flüssigphasenepitaxie?

Die Flüssigphasenmethode liegt näher an den thermodynamischen Gleichgewichtsbedingungen und ist in der Lage, SiC-Kristalle mit besserer Qualität zu züchten.

TaC-Beschichtung

Den Forschungsergebnissen zufolge kann die TaC-Beschichtung als Schutz- und Isolationsschicht fungieren, um die Lebensdauer von Graphitkomponenten zu verlängern, die radiale Temperaturgleichmäßigkeit zu verbessern, die SiC-Sublimationsstöchiometrie aufrechtzuerhalten, die Migration von Verunreinigun......

Was ist ein CVD-Prozess in Halbleitern?

Unter chemischer Gasphasenabscheidung (CVD) versteht man das Einbringen von zwei oder mehr gasförmigen Rohmaterialien in eine Reaktionskammer unter Vakuum- und Hochtemperaturbedingungen, wo die gasförmigen Rohmaterialien miteinander reagieren und ein neues Material bilden, das auf der Waferoberfläch......