- English
- Español
- Português
- русский
- Français
- 日本語
- Deutsch
- tiếng Việt
- Italiano
- Nederlands
- ภาษาไทย
- Polski
- 한국어
- Svenska
- magyar
- Malay
- বাংলা ভাষার
- Dansk
- Suomi
- हिन्दी
- Pilipino
- Türkçe
- Gaeilge
- العربية
- Indonesia
- Norsk
- تمل
- český
- ελληνικά
- український
- Javanese
- فارسی
- தமிழ்
- తెలుగు
- नेपाली
- Burmese
- български
- ລາວ
- Latine
- Қазақша
- Euskal
- Azərbaycan
- Slovenský jazyk
- Македонски
- Lietuvos
- Eesti Keel
- Română
- Slovenski
- मराठी
- Srpski језик
Branchen-News
Siliziumkarbid-Industrie
Die Siliziumkarbid-Industrie umfasst eine Kette von Prozessen, die die Substraterstellung, das epitaktische Wachstum, das Gerätedesign, die Geräteherstellung, die Verpackung und das Testen umfasst. Im Allgemeinen wird Siliziumkarbid in Form von Barren hergestellt, die dann in Scheiben geschnitten, g......
Weiterlesen
Kann man Siliziumkarbid schleifen?
Siliziumkarbid (SiC) findet aufgrund seiner hervorragenden physikalisch-chemischen Eigenschaften wichtige Anwendungen in Bereichen wie der Leistungselektronik, Hochfrequenz-HF-Geräten und Sensoren für hochtemperaturbeständige Umgebungen. Der Schneidvorgang während der SiC-Wafer-Bearbeitung führt jed......
Weiterlesen
GaN vs. SiC
Derzeit werden mehrere Materialien untersucht, von denen Siliziumkarbid als eines der vielversprechendsten gilt. Ähnlich wie GaN zeichnet es sich im Vergleich zu Silizium durch höhere Betriebsspannungen, höhere Durchbruchspannungen und eine bessere Leitfähigkeit aus. Darüber hinaus kann Siliziumkarb......
Weiterlesen
Beschichtung im thermischen Bereich von Halbleiter-Silizium-Einkristallen
Die beschichteten Teile im Halbleiter-Silizium-Einkristall-Heißfeld werden im Allgemeinen durch CVD-Verfahren beschichtet, einschließlich pyrolytischer Kohlenstoffbeschichtung, Siliziumkarbid-Beschichtung und Tantalkarbid-Beschichtung, jeweils mit unterschiedlichen Eigenschaften.
Weiterlesen
3 Methoden der Graphitformung
Die vier Hauptformverfahren für das Graphitformen sind: Extrusionsformen, Formen, Vibrationsformen und isostatisches Formen. Die meisten gängigen Kohlenstoff-/Graphitmaterialien auf dem Markt werden durch Heißextrusion und Formen (kalt oder heiß) geformt, wobei isostatisches Formen eine Methode mit ......
Weiterlesen
Einführung des physikalischen Dampftransports (PVT)
Aufgrund der Eigenschaften von SiC ist das Einkristallwachstum schwieriger. Aufgrund des Fehlens einer Si:C=1:1-Flüssigphase bei Atmosphärendruck kann der ausgereiftere Wachstumsprozess, der von der Hauptströmung der Halbleiterindustrie übernommen wird, nicht zum Züchten der ausgereifteren Wachstums......
Weiterlesen
