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Einführung in den Siliziumkarbid-Ionenimplantations- und Temperprozess

Bei der herkömmlichen Herstellung von Silizium-Leistungsbauelementen sind Hochtemperaturdiffusion und Ionenimplantation die wichtigsten Methoden zur Dotierstoffkontrolle, jede mit ihren Vor- und Nachteilen. Typischerweise zeichnet sich die Hochtemperaturdiffusion durch ihre Einfachheit, Kosteneffizi......

Verfahren zur Herstellung von SiC-Pulver

Siliziumkarbid (SiC) ist ein anorganischer Stoff. Die Menge an natürlich vorkommendem Siliziumkarbid ist sehr gering. Es ist ein seltenes Mineral und wird Moissanit genannt. Siliziumkarbid, das in der industriellen Produktion verwendet wird, wird größtenteils künstlich synthetisiert.

Epitaxieschichten: Die Grundlage fortschrittlicher Halbleiterbauelemente

In der Halbleiterindustrie spielen Epitaxieschichten eine entscheidende Rolle, indem sie auf einem Wafersubstrat spezifische einkristalline Dünnfilme bilden, die zusammenfassend als Epitaxiewafer bezeichnet werden. Insbesondere epitaktische Schichten aus Siliziumkarbid (SiC), die auf leitfähigen SiC......

Poröser Graphit für das SiC-Kristallwachstum

Derzeit verwenden die meisten SiC-Substrathersteller ein neues Tiegel-Thermofeld-Prozessdesign mit porösen Graphitzylindern: Sie platzieren hochreine SiC-Partikel-Rohmaterialien zwischen der Graphittiegelwand und dem porösen Graphitzylinder, während der gesamte Tiegel vertieft und der Tiegeldurchmes......

Die entscheidende Rolle epitaktischer Schichten in Halbleiterbauelementen

Unter epitaktischem Wachstum versteht man den Prozess des Aufwachsens einer kristallographisch wohlgeordneten monokristallinen Schicht auf einem Substrat. Im Allgemeinen umfasst das epitaktische Wachstum die Züchtung einer Kristallschicht auf einem einkristallinen Substrat, wobei die gewachsene Schi......

GaN kennen

In letzter Zeit widmet die Halbleiterindustrie der Galliumnitrid-Technologie (GaN) immer mehr Aufmerksamkeit. Aufgrund seiner hervorragenden elektronischen Eigenschaften finden Galliumnitrid-Geräte wichtige Anwendungen in vielen High-Tech-Bereichen:

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