Im Bereich der Einkristallzüchtung spielt die Temperaturverteilung innerhalb des Kristallzüchtungsofens eine entscheidende Rolle. Diese Temperaturverteilung, allgemein als thermisches Feld bezeichnet, ist ein entscheidender Faktor, der die Qualität und Eigenschaften des gezüchteten Kristalls beeinfl......
WeiterlesenDie isostatische Presstechnologie ist ein entscheidender Prozess bei der Herstellung von isostatischem Graphit und bestimmt maßgeblich die Leistung des Endprodukts. Daher bleiben umfassende Forschung und Optimierung der isostatischen Graphitproduktion weiterhin wesentliche Schwerpunkte der Branche.
WeiterlesenKohlenstoffbasierte Materialien wie Graphit, Kohlenstofffasern und Kohlenstoff/Kohlenstoff (C/C)-Verbundwerkstoffe sind für ihre hohe spezifische Festigkeit, ihren hohen spezifischen Modul und ihre hervorragenden thermischen Eigenschaften bekannt und eignen sich daher für eine Vielzahl von Hochtempe......
WeiterlesenGalliumnitrid (GaN) ist ein wichtiges Material in der Halbleitertechnologie, das für seine außergewöhnlichen elektronischen und optischen Eigenschaften bekannt ist. GaN hat als Halbleiter mit großer Bandlücke eine Bandlückenenergie von etwa 3,4 eV und ist damit ideal für Hochleistungs- und Hochfrequ......
WeiterlesenSiliziumkarbid (SiC), eine bekannte Strukturkeramik, ist für seine außergewöhnlichen Eigenschaften bekannt, darunter Hochtemperaturfestigkeit, Härte, Elastizitätsmodul, Verschleißfestigkeit, Wärmeleitfähigkeit und Korrosionsbeständigkeit. Aufgrund dieser Eigenschaften eignet es sich für ein breites ......
WeiterlesenKristallwachstumsöfen aus Siliziumkarbid (SiC) sind der Grundstein für die Herstellung von SiC-Wafern. SiC-Öfen weisen zwar Ähnlichkeiten mit herkömmlichen Siliziumkristall-Züchtungsöfen auf, stehen jedoch aufgrund der extremen Wachstumsbedingungen des Materials und der komplexen Defektbildungsmecha......
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