Anwendungen von PBN -Material

PBNoder pyrolytisches Bornitrid gehört zum sechseckigen System und ist ein fortschrittliches anorganisches nicht-metallisches Material mit einer Reinheit von bis zu 99,999%. Es hat eine gute Dichte, keine Poren, eine gute Isolierung und eine thermische Leitfähigkeit, eine hohe Temperaturresistenz, die chemische Trägheit, die Säureresistenz, die Alkaliresistenz und die Oxidationsresistenz. Es hat eine offensichtliche Anisotropie in mechanischen, thermischen und elektrischen Eigenschaften. Es ist eine ideale Tiegel- und Schlüsselkomponente beim Halbleiterkristallwachstum (VGF-Methode, VB-Methode, LEC-Methode, HB-Methode), polykristalliner Synthese, MBE-Epitaxie, OLED-Verdampfung, hochwertige Halbleiterausrüstung, Hochleistungs-Mikrowellenröhrchen usw. werden mithilfe von Advanced Chemical Vapor-Depor-Technologie hergestellt. Unter hohen Temperaturen und hohen Vakuumbedingungen werden hohe Purity-Borhalogenide und Ammoniak und andere Rohstoffe in die CVD-Reaktionskammer eingeführt. Nach der Rissreaktion wächst es langsam auf der Oberfläche von Substraten wie Graphit. PBN kann direkt in Behälter wie Tiegel, Boote und Röhren gewachsen oder zuerst in Platten abgelagert und dann in verschiedene PBN -Teile abgelagert werden. Es kann auch auf andere Substrate zum Schutz beschichtet werden, und die Produktspezifikationen werden gemäß den Anwendungsszenarien angepasst. Im Gegensatz zum gewöhnlichen heißgepressten Sinterbor-Nitrid wird PBN unter Verwendung der fortschrittlichen chemischen Dampfablagerung (CVD) hergestellt, die starke technische Barrieren und ein hohes Maß an Branchenkonzentration aufweist.

PBN -Produkte spielen im Halbleiterbereich eine unersetzliche Rolle. Downstream-Anwendungen umfassen hauptsächlich Kristallwachstum, polykristalline Synthese, Molekularstrahl-Epitaxie (MBE), OLED, organische chemische Dampfabscheidung (MOCVD), hochwertige Halbleiterausrüstungsteile, Luft- und Raumfahrt und andere Fells.

1) Kristallwachstum

Das Wachstum von zusammengesetzten Halbleiter -Einzelkristallen (wie Galliumarsenid, Indiumphosphid usw.) erfordert eine extrem strenge Umgebung, einschließlich Temperatur, Rohstoffreinheit sowie der Reinheit und chemischen Trägheit des Wachstumsbehälters. PBN Crucible ist derzeit der idealste Behälter für zusammengesetzte Halbleiter -Einkristallwachstum. Die Hauptmethoden für den zusammengesetzten Halbleiter -Einzelkristallwachstum sind die LEC -Methode, die HB -Methode, die VB -Methode und die VGF -Methode. Die entsprechenden PBN -Tiegel umfassen Lec Crucible, VB Crucible und VGF Crucible.

2) Molekularstrahlpitaxie (MBE)

MBE ist einer der wichtigsten epitaxialen Wachstumsprozesse von III-V- und II-VI-Halbleitern der Welt. Diese Art von Technologie ist eine Methode zum Anbau von dünnen Filmen Schicht für Schicht entlang der Kristallachse des Substratmaterials unter geeigneten Substraten und geeigneten Bedingungen. PBN Crucible ist ein notwendiger Quellofenbehälter im MBE -Prozess.

3) organische lichtemittierende Diodenanzeige (OLED)

OLED gilt als eine neue Generation von Panel-Display-Technologien, da ihre hervorragenden Eigenschaften wie Selbstlumineszenz, keine Hintergrundbeleuchtung, eine hohe Kontrast, eine dünne Dicke, einen breiten Betrachtungswinkel, die schnelle Reaktionsgeschwindigkeit für flexible Felder, breitem Betriebstemperaturbereich, einfache Struktur und Prozess verwendet werden können. Der Verdampfer ist die Kernkomponente des OLED -Verdunstungssystems. Unter ihnen sind der PBN -Führungsring und der Tiegel die Hauptkomponenten der Verdunstungseinheit. Der Führungsring muss eine gute thermische Leitfähigkeit und Isolationsleistung aufweisen, kann in komplexe Formen verarbeitet werden und verformen oder freisetzt Gas bei hohen Temperaturen nicht. Der Tiegel muss ultrahohe Reinheit, Hochtemperaturwiderstand, elektrische Isolierung und keine Benetzung mit dem Ausgangsmaterial aufweisen. PBN ist ein ideales Material für die weit verbreitete Verwendung.

4) High-End-Halbleiterausrüstung

Da sich die Halbleiterchips weiterhin in Richtung Miniaturisierung und hoher Leistung entwickeln, werden die Anforderungen an die Herstellung von Halbleitern und die Systeme immer höher. PBN-Materialprodukte werden in den Kernkomponenten von High-End-Geräten aufgrund ihrer ultrahoch-purität, hohen thermischen Leitfähigkeit, elektrischer Isolierung, Korrosionsbeständigkeit, Oxidationsresistenz und verschiedener Leistungsanisotropie häufig verwendet.

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