MOCVD-Suszeptoren

Die MOCVD-Suszeptoren von Semicorex sind speziell dafür konstruiert, den Hochtemperaturbedingungen standzuhalten und den rauen chemischen Bedingungen zu widerstehen, die häufig bei Wafer-Produktionsprozessen eingesetzt werden. Durch Präzisionstechnik werden diese Komponenten auf die strengen Anforderungen epitaktischer Reaktorsysteme zugeschnitten. Die Zusammensetzung unserer MOCVD-Suszeptoren mit Siliziumkarbid (SiC), beschichtet auf hochwertigem Graphit, sorgt nicht nur für Robustheit unter extremen thermischen und korrosiven Bedingungen, sondern garantiert auch eine gleichmäßige Wärmeverteilung, die für die Aufrechterhaltung einer gleichbleibenden Qualität bei der epitaktischen Filmabscheidung von entscheidender Bedeutung ist.

Darüber hinaus ermöglichen die beeindruckenden thermischen Eigenschaften unserer MOCVD-Suszeptoren ein schnelles und gleichmäßiges Temperaturmanagement während des Halbleiterwachstums und optimieren so den Produktionsprozess. Ihre Beständigkeit gegenüber hohen Temperaturen, Oxidation und Korrosion gewährleistet eine zuverlässige Funktion auch unter den anspruchsvollsten Betriebsbedingungen.

Darüber hinaus sind die MOCVD-Suszeptoren mit Schwerpunkt auf Gleichmäßigkeit konzipiert, was für die Synthese einkristalliner Substrate von entscheidender Bedeutung ist. Der erreichte Grad an Ebenheit ist für die Erzielung eines hervorragenden Einkristallwachstums auf der Waferoberfläche unerlässlich.

Bei Semicorex wird unsere Leidenschaft, die Branchenmaßstäbe zu übertreffen, nur durch unser Engagement für Kosteneffizienz für unsere Partner übertroffen. Wir sind bestrebt, Produkte wie die MOCVD-Suszeptoren bereitzustellen, die die sich entwickelnden Anforderungen der Halbleiterfertigung nicht nur erfüllen, sondern auch antizipieren und sicherstellen, dass Ihre Betriebe mit den besten verfügbaren Werkzeugen ausgestattet sind.